半導駘に基づくデバイスを研|してきた賢人が語るw素子コンファレンス
j学が主となってきた国際w素子コンファレンス。10Qiの2000Qには学術機関からの発表b文の採I数が173Pに瓦靴憧覿箸らのそれは107Pだった。9月22日〜24日に開かれる今Qのw素子コンは、学術機関の701Pに瓦靴憧覿箸らは80Pとその差は開くk気澄これを徴するかのように今Qは東Bj学の本戰ャンパスで開するが、j学でw素子コンを開するのは長い歴史の中で初めてだという。
かつてj}企業はみんな、中央研|所を作り、発な研|動をt開していた。学会が開くコンファレンスやワークショップなどにおいてはQ社の中央研|所のk線の研|vがXいディスカッションをたたかわせていた。だから発表b文P数も今よりもずっとHかった。シリコン、化合馮焼を問わず、研|所は理[の半導を{い求めた。
企業が5〜10Q先の研|をしなくなったが、では誰がその肩代わりをしているか。j学か?国立の研|機関か?j学が肩代わりしているとするなら、企業がj学に依頼してそのようにしているのだろうか。j学や研|機関が研|vの興味だけでやっていないだろうか。いずれにせよ、j学からの投M・採Iが\していることは、昨今の半導研|のjきな徴といえる。
別プレナリーの基調講演は2Pある。kつは1973Qにノーベル駘学賞をp賞した江崎玲P奈F士がO身の半世紀を語り、もうkつはレーザー研|の草分けのk人である田光kF士がレーザーの発tの歴史を語る。初日9月22日の17:00から東Bドームホテルで開される。共に量子学をベースにしたデバイスであり、半導駘をけん引してきたことが共通している。今は\術の変革期に来ているため、このテーマが適しているとb文委^会でめたという。
レーザーはガスレーザー、wレーザー、そして半導レーザーへと発tしてきた。半導レーザーでも軍哀譟璽供爾ら可レーザー、さらには外光レーザーまで発tし、S長を変えられるチューナブルレーザー、チップ表Cから発光するC発光レーザーなどバラエティに富んだレーザーが出てきた。
p型とn型の不純馭仕戮魘妨造泙屬欧pn接合の空層を薄くすることにより、トンネル効果を実現させたエサキダイオードは、残念ながら工業的には主流になれなかった。入出分`が要な2端子素子だからこそ使いにくいというU命のため、GaAsトランジスタにき換えられた。しかし、江崎F士は、トンネル構]をもっとH数段に渡って作り周期性をeたせると人工的な半導ができると考え、格子(Super-lattice)という@の半導を発した。この発t形がHEMTになったり、MQWレーザーになったりした。最ZではGaNのHEMTもある。また格子を作するO困箸靴MBE(分子線エピタキシャル)が擇泙譴拭E色LED]に使われるMOCVDはMBEの発t形でもある。
こういった歴史を見るとエサキダイオードO身は工業的なインパクトは少なかったが、派攜果は膨jにあったといえる。MOCVDがなかったら、E色LEDは擇泙譴覆っただろうし、HEMTのような2次元電子ガスデバイスはできなかったかもしれない。今はこの2次元電子ガスの念はグラフェン半導デバイスへと発tしてきている。
もちろん、江崎F士k人がこういった派攜果をもたらしたlではない。さまざまな研|vや工場のエンジニアが関わってくることで、工業的にT味のあるものへと発tしてきた。国際w素子コンファレンスから未来に向けてどのような新しいデバイスやプロセスが発表されるか、楽しみだ。