3D-Xpointメモリの位づけをMicronが確に

NANDフラッシュとDRAM、ストレージクラスメモリの他にも今後10Qに渡り、コンピュータおよびAIシステムを構成するメモリ階層の構[をMicron Technologyが]ち出した。ストレージクラスメモリとしての3D-Xpointメモリだけではなく、NVDIMM、TLCとQLCの役割分担なども確にした。 [→きを読む]
NANDフラッシュとDRAM、ストレージクラスメモリの他にも今後10Qに渡り、コンピュータおよびAIシステムを構成するメモリ階層の構[をMicron Technologyが]ち出した。ストレージクラスメモリとしての3D-Xpointメモリだけではなく、NVDIMM、TLCとQLCの役割分担なども確にした。 [→きを読む]
Googleが53ビットの量子コンピュータを試作、現在のスーパーコンピュータをvる性Δ鮗泰xでした、と10月25日の日本経済新聞が報じた。記v会見を開いたため世c中で報じられた。コンピュータ実ではクラウドビジネスでMicrosoftの勢が`立ちAmazonとの2啝代に入った。また、先週後半にモーターショーが開され、クルマの未来がされた。 [→きを読む]
Micron Technologyが日本とシンガポールで工場の拡張にを入れていることをJ報したが(参考@料1、2)、盜颪任ポートフォリオを広げる疑砲鯣表した。これまで、DRAMとNANDフラッシュ、3D-Xpointメモリというメモリ業にフォーカスしてきたが、NORフラッシュやAIアクセラレータボードにまで}を広げることをらかにした。 [→きを読む]
日本、の半導]x場は、共に順調にv復基調にある。日本半導]は、iQ同期比こそ16.8%だったが、i期比10.9%\の1781億3600万と3カ月連でプラスとなった。は、iQ同期比がわずか6.0%の19億5370万ドルとなり、iQ同期比のマイナスが6カ月連で縮小しけている。 [→きを読む]
またkつ新しい形の電気O動Zができた。東Bj学は、ローム、ブリジストン、日本@工、東洋電機]と共同で、走行中にO路からワイヤレス給電によって電気O動Z(EV)を走らせるという実xを行った(図1)。わずかな容量の電池を搭載するだけで済む屬法⊂さな容量の電池でさえEVの走行{`には関係がなくなるというメリットがある。 [→きを読む]
半導x況のv復がはっきりして来たことを10月18日の日本経済新聞が伝えた。セミコンポータルでは、WSTSの数Cやメモリ価格、TSMCのpR、半導]、シリコンの出荷C積の動向のX況などから半導x況のv復を1〜2月iから報じてきた(参考@料1、2、3)。日経はTSMCの動向からx況のv復を分析している。 [→きを読む]
これぞ逆転の発[だ。ロームは、アナログv路内にマイコンのCPUコアを集積するという新しいモータU御ICを開発した。これまでマイコンIC内にアナログv路IPを集積したpSoCなどはあったが、ロームのICはそのく逆だ。主要機Δ魯癲璽U御。ここにソフトウエアでU御命令を△┐織泪ぅ灰鵐灰△鮑椶擦燭里澄これをCEATECでした。 [→きを読む]
パナソニックコネクティッドソリューションズ(CNS)社と日本IBMは、半導後工の分野で提携した(図1)。これは、パナソニックのeつ後工のプラズマダイシングとプラズマクリーナにIBMのFDC(故障予管理)ソフトウエアを組み込んだシステムの開発を`指すもの。 [→きを読む]
今Qのノーベル化学賞は、リチウムイオン電池の発vである盜颯謄サスj学オースチン鬚John Goodenough、ニューヨークξj学ビンガムトン鬚Stanley Whittinghamと共にリチウムイオン2次電池の実化にこぎつけた、旭化成の@誉フェロー、吉野彰がp賞した。今Qのb賞理yはk般にもわかりやすい業績である。 [→きを読む]
NANDフラッシュアレイやソフトウエアをビジネスとしているPure Storage社がQLC(4ビット/セル)擬阿離侫薀奪轡絅瓮皀蠅鮑涼したを発表、ストレージクラスメモリをキャッシュとしているI肢も提した。「All Flash Arrayを発して10Q経った」と述べる同社戦S靆VPのMatt Kixmoellerがこのほど最新X況を紹介した。 [→きを読む]
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