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SPIフォーラム「3次元実�△悗量O」が�した3D-ICの現実解

2015年4月 8日｜会議報告（レビュー）

セミコンポータル主�のSPIフォーラム「3次元実�△悗量O」が3月25日、開�された(図1)。高集積化の�}段をこれまでの微細化だけではなく、�eに積み�屬欧�擬阿皺辰錣襪噺��、企画した。システムから見た3D、ブームになりそうなFO-WLP、実際にメモリシステムを構成するHMC、など現実解は�実に進んでいる。 [→�きを読む]

バンプ形成、PCB実�△覆怖�子ビジネスが��発に

2015年4月 6日｜週間ニュース分析

ファウンドリやEMS（��]�佗蘋賁腑機璽咼后砲覆�、ブランドを表に出さない「�子ビジネス」が国内で��発になっている。�Bセラはウェーハ�屬縫丱鵐廚魴狙�垢�佗薀機璽咼垢任△襯ΕА璽魯丱鵐團鵐哀機璽咼垢魍判jし、沖プリンテッドサーキットは横�Q電機のプリント配線��攵�基�実�△竜�業を�A収する。 [→�きを読む]

「サイバーフィジカル時代はスマートATEで�擇Ⅶ弔襦�

2015年4月 3日｜�業分析

National InstrumentsはICT業�cのトレンドを常にウォッチしており、毎�Qトレンドに関する冊子を発行している。今�Qは、5Gと、それに伴うIoTの普及によって�業�のIoTすなわちIIoTによる機械の��Σ宗△修譴砲茲訖靴靴ぅ皀里鼎�螻很�、さらにATE（�O動テスト��）の変革、について触れている。 [→�きを読む]

先月最もよく読まれた記�は東�の3D-NANDフラッシュ

2015年4月 2日｜�Q月のトップ5

2015�Q3月に最もよく読まれた記�は、東�の3次元NANDフラッシュメモリに関する記�だった。これは、サムスンの発表よりも�れること1�Q半、東�も3D-NANDを��化したというニュースだ。東�は、微細化を優先したのち10nm時代に入ると同時に3D-NANDに�々圓垢觴�画だったから、予定を早めたことになる。 [→�きを読む]

SiCに加えGaNも�}に入れ、パワー半導��の地位を�wめるInfineon

2015年3月31日｜経営�vに聞く

森　康��▲ぅ鵐侫�縫�� テクノロジーズジャパン株式会社　代表�D締役社長

パワー半導��でトップを行くドイツのInfineon Technologiesの好調が�いている。2015�Q��1四半期(2014�Q12月�期)の売�幢Yは11億2800万ユーロ、�W益1億6900万ユーロ、�W益率は15%になる。総合電機のSiemensから独立したInfineonだが、かつての親会社の�@本は今やゼロ。Infineonから分社化したQimondaはバブル崩�s後2009�Qに倒�したが、その株式を保�~していたInfineonは�jきく�aついた。しかし、見�に独�で立ち直った。(動画あり)

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3D-NANDの��発表相次ぐ

2015年3月30日｜週間ニュース分析

先週�、東�が3D-NANDの��を発表した翌日にMicron TechnologyとIntelのグループからも3D-NANDの発表があった。3D-NANDは3D-ICとは違い、モノリシックのSi内に�e�妓�縫瓮皀蠅鯆蒋`接�した構�]で、リソグラフィを�H少緩くしても容量を�屬欧蕕譴�。ただし、2グループの間で、3次元と言ってもメモリセル構�]に�jきな差があった。 [→�きを読む]

MEMSトップ30社ランキング、2014�QはBoschが圧�M

2015年3月27日｜�x場分析

2014�Qの世�cMEMSメーカーのトップ30社ランキングが発表された。トップはRobert Boschで、2位のSTMicroelectronicsに�j差をつけた。Boschの売り�屬欧�STの1.5倍にあたる12億ドル。�i�Qは10億ドルで並んでいたが、14�QのSTの売り�屬欧�8億ドルに�少した。これは、フランスの�x場調�h会社Yole Developpementが発表したもの。 [→�きを読む]

東�、ついに3D-NANDフラッシュを��化、BiCSを採�

2015年3月26日｜�\術分析（半導��）

東�が48層のNANDフラッシュメモリを3月26日からサンプル出荷すると発表した。128Gビットの��で2ビット/セル構�]を�eち、当社の3次元メモリBiCS�\術で�攵�る。これはモノリシックにメモリセルを�eに積み�屬欧�擬阿�、いわゆる3D-ICとは違う。 [→�きを読む]

LEAPの成果報告、どう��するか、問われる参加企業

2015年3月24日｜会議報告（レビュー）

�低電圧デバイス�\術研�|組合（LEAP）のプロジェクト「低炭素社会を実現する�低電圧デバイスプロジェクト」は平成22�Q度から本�Q度までの5�Q間に渡って研�|されてきた。LEAPが主�する「��4�v　低炭素社会を実現する�低電圧デバイスプロジェクト成果報告会」がこのほど開かれ、その開発されたデバイスが披露された。 [→�きを読む]