医��機�_向け半導��、2018�Qまでに12.3%成長
医��機�_向けの半導��は2013�Qから2018�Qにかけて�Q平均成長率CAGRで12.3%という高い割合で成長すると�歡��h会社IC Insightsが発表した。2018�Qには82億ドル（約1兆��になり、この内ICチップは10.7%�\の66億ドル、ディスクリート（O-S-D）は20.3%�\の16億ドルになると見込む。その理�yは2つの�jきなトレンドによる。 [→��きを読む]
セミコンポータルによる分析
SSDより�]いフラッシュストレージをViolin Memoryが出荷
![SSDより�]いフラッシュストレージをViolin Memoryが出荷](/assets_c/900px/150319-violinflash.png "SSDより�]いフラッシュストレージをViolin Memoryが出荷")
NANDフラッシュを�j量に使う、フラッシュアレイストレージがこれまでハイエンドのティア0ストレージから、1次ストレージのティア1ストレージへと下位�t開を図ろうとしている。これはNANDフラッシュが今後、�j量に使われることを�T味する。これまでは�]度(レイテンシ)を優先するハイエンドのティア0レベルがメイン����だった。 [→��きを読む]
superMHLの��頭でビデオ伝送の新��格争い開始か
ビデオ映�気料��p信に使う高�]インターフェース��格争いがまた�k段と��しくなりそうだ。MHLが、我こそは次世代高�]ビデオ通信��格なり、と主張するsuperMHLという仕様がそれである。最�j8K、120fpsと��高�]のビデオ映�気鬟汽檗璽箸垢襦� [→��きを読む]
IoTシステムの実現に向けた動きが��出
いよいよ、IoTシステムのビジネストピックスが��々登場してきた。日立��作所がIoTを���]現場で����するためのシステム開発に乗り出し、東�Bエレクトロンデバイスは工業��IoTの中核となるワイヤレスセンサネットワークのゲートウェイ機�_の開発、ロームはIoTのセンサ����を使う企業との協業を探るマッチング会を開��する。IoTからのデータを�pけ�Dり加工するデータセンター向けのトピックスもある。 [→��きを読む]
20nmの最先端FPGAやSoCの消�J電��を削��するデジタルDC-DCコン
低電圧、�j電流の最先端LSI向けの電源は、今やデジタル�U御する時代になった。数10mV��度のわずかな電圧単位で、電源電圧を�屬欧燭蟆爾欧燭蠅垢襪�らだ。Alteraが�A収したEnpirionは最微細化Gen10のFPGA向け30Aの電源モジュールEM1130を発売した。この�T圧DC-DCコンバータは並�`仕様で電流容量を拡張できる。 [→��きを読む]
TSVを使った新型メモリHMCの詳細がまもなく��らかに
DRAMのデータレート（バンド幅）を1ピン当たりDDR4の8.5倍�]いHMC（Hybrid Memory Cube）の���Sが��らかになった。HMCは、TSV（Through Silicon Via）を使ってDRAMチップを�eに積み�屬欧�3D-ICの�k�|で、基地局やデータセンターなどに向け消�J電��を�屬欧困帽��]性を�uるRAMメモリである。詳細は3月25日に開��されるSPIフォーラム「3次元実�△悗量O」で��らかになる。 [→��きを読む]
スマホの出荷��数、パソコンの4倍に
2014�Qにおける世�c����のスマートフォンの出荷��数は12億4489万��と、パソコンの4倍にもなった。�x場調�h会社のGartnerが発表したものだが、これによると、世�cのスマホの出荷��数は2013�Qの9億6972万��から28.4%も�Pびた。 [→��きを読む]
世�cを�~け巡ったNXPとFreescaleの合���S、ルネサスに�jきな脅威
�盜饂�間3月2日、世�cの半導��業�cは、オランダのNXP Semiconductorsが�盜颪�Freescale Semiconductorを吸収･合��すると発表したことに驚いた。日本では新聞よりも早く、EE Times Japanが同日そのニュースを翻�l・掲載した。新聞では日本経済新聞が3日�D刊に�]く「オランダ半導��NXP、�歹蔚箸�2兆��で�A収」と掲載したのが最も早かった。 [→��きを読む]
キーサイトの新型1/fノイズ�R定�_、IoTのセンサ、ジッタの�h価にも
「1/fノイズを�Rりたい」と思うエンジニアに福音。Agilent Technologiesから�R定�_�靆腓�独立したKeysight Technologiesの日本法人、キーサイト・テクノロジーは、低周�S雑音が極めて低い1/f�R定�_を開発した。1/fノイズの�莟Rできる周�S数が20Hz以下と低く、ホワイトノイズが��めるノイズフロアも��来の-177dB2/Hzから-183dB2/Hzと下がった。 [→��きを読む]
2月に最もよく読まれた記��はNANDフラッシュの勢��図変化
2015�Q2月に最もよく読まれた記��は、「NANDフラッシュ、�j�}トップ3社を下位3社が�{いかける」であった。NANDフラッシュは長�Q、1位Samsung、2位東��、3位San Disk、4位Micron、5位SK Hynix、6位Intelという順位であった。�岼�3社は�i�Q比ややマイナス成長だが、下位3社は2桁成長という勢いである。 [→��きを読む]
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