Si IGBTやパワーMOSFETの性�Δ鬯�える、SiCやGaNといった高�a(b┳)半導��トランジスタが期待されながら�j(lu┛)きく成長していけない最�j(lu┛)の問��はコスト。SiCはSiよりも10倍も高い。Siのパワートランジスタは���]プロセスがSiCやGaNに比べて完成しており、��来の設�△�使え、低コストである。化合�馮焼���はどうやってコストの壁を突破するか、その�kつのアイデアをTransphorm（トランスフォーム）社が提案した。 [→��きを読む]
中国におけるIC�攵�をけん引するのは外国企業で、トップはIntel、2位はSK Hynixという�T果が��(sh━)�x場調�h会社IC Insightsから発表された(表1)。これは2012�QにおけるIC�攵��Yについて調べたもの。中国におけるIC�攵�は2012�Qに89億ドルにとどまり、ICを使う�x場の810億ドルに比べてまだ小さい。 [→��きを読む]
フリースケール・セミコンダクタ・ジャパンが�x販�Zのカーレース、Super GTに参戦する。ADAS（Advanced Driver Assist System：次世代ドライバー?x━)мqシステム）を実際のレースでテストしてみるのがその�`的だ。�]度やエンジン�v転数などの�Z両情報、クルマの�i後左��の周辺情報、そしてドライバーの����情報を、同期をとりながら�D�u(p┴ng)していく。 [→��きを読む]
MOSトランジスタのゲートしきい電圧Vthのバラつきを本��的に��(f┫)らす�\術企業のSuVolta（スボルタ）社。このほど、ARMコアで高性�Αδ秕嫡J電��を実証、さらにUMCと28nmプロセスを共同開発することを発表した。この�\術は、Vthバラつきを小さくできるため、電源電圧を下げ、消�J電��を削��(f┫)できる。 [→��きを読む]
パワー半導��に��を入れているInfineon Technologiesは、そのプロセス工場で300mmウェーハの�攵�を始めたが、パッケージに関しても新しいコンセプトを次々と�]ち出している。例えば、ボンディングワイヤーを使わずにCuピラーを��いて、パワートランジスタとドライバトランジスタの�v路を接��するというマルチチップパワーパッケージ�\術を、7月17〜19日東�Bで開��(h┐o)されたTechno Frontier2013で�o開した。 [→��きを読む]
DRAMの平均単価ASP（average selling price）が2010�Q��4四半期レベルにまで戻った。2013�Q��1四半期の1.97ドルが��2四半期には2.42ドルになり、以�Tの��3四半期、��4四半期はそれぞれ2.53ドル、2.52ドルと�x場調�h会社のIC Insightsは予�Rしている。 [→��きを読む]
スマートフォンやタブレットに使われるアプリケーションプロセッサの世�c�x場シェア(金�Yベース)を、��(sh━)国�x場調�h会社のStrategy Analytics（ストラテジーアナリティクス）社が発表した。それによると、スマホのトップ企業は昨�Qよりもシェアを広げたQualcommで、49%だった。だが、タブレットではQualcommはトップ5社には入っていない。 [→��きを読む]
スウェーデンの通信機�_(d│)メーカーであるエリクソンが2018�Qまでのモバイルネットワークの世�c動向をこのほど��らかにした。これによると、モバイルデータトラフィックは2012�Qから2018�Qの間に12倍に�\加するとしている。直�Zの2013�Q��1四半期のデータ量は�i�Q同期比2倍に�\えたという。 [→��きを読む]
Xilinxは、20nmルールのLSIを早くもテープアウトした。デザインルールが20nmと微細化すると、集積できる�v路が膨�j(lu┛)になるため、アーキテクチャを根本的に見直し、UltraScaleと�@��けた(図1)。CLB（Configurable Logic Block）周りの配線や、DSPブロック、クロック分配などを最適化した。 [→��きを読む]
ミニマルファブのプロジェクトが組�E化され、昨�Q12月のセミコンジャパンにおいて初めて����のモックアップが�t��(j┤)された。今どこまで進�tしたのか。その��1�vの報告会とも言うべき「ミニマルファブ・シンポジウム2013」が東�B��川で開��(h┐o)された。 [→��きを読む]
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