神戸j(lu┛)/ASET、4096個のTSVを介して3D積層IC試作、100GB/sの]度を実証
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神戸j(lu┛)学と先端電子\術開発機構(ASET)は共同で、4096本のTSVバスをeつインターポーザを介して、メモリチップとロジックチップを積層した3次元ICを試作、100Gバイト/秒の高]データ伝送を実証した。これを櫂汽鵐侫薀鵐轡好海燃かれたISSCC(International Solid-State Circuits Conference)で発表した。 [→きを読む]
神戸j(lu┛)学と先端電子\術開発機構(ASET)は共同で、4096本のTSVバスをeつインターポーザを介して、メモリチップとロジックチップを積層した3次元ICを試作、100Gバイト/秒の高]データ伝送を実証した。これを櫂汽鵐侫薀鵐轡好海燃かれたISSCC(International Solid-State Circuits Conference)で発表した。 [→きを読む]
「国の魑牴修靴織肇鵐優襪箒悄建颪覆匹縫錺ぅ筌譽好札鵐汽優奪肇錙璽(WSN)を配△垢譴亠故を未に防げる。原子発電所に設すればWに放o(j━)Δ魃R定できる」。こう述べるのはリニアテクノロジー(LTC)日本法人代表D締役の望月靖志。リニアは2011QにA収したダストネットワークスのWSNを日本で発売する。 [→きを読む]
インドBの通信ITj(lu┛)臣のShri Kapil Sibalが来日し、インドが今Qの10月までに二つの半導ウェーハ工場の建設に}する画をらかにした。2015〜16Qころの]開始を`指す。インドが半導ウェーハのプロセス工場をeつ狙いは何か。 [→きを読む]
x場調h会社のICインサイツ(Insights)は、2013Qに成長が期待されるICをリストアップした。これによると、最も高い成長率を見込めるICはタブレット向けのMPUで50%\、その次が携帯電Bアプリケーションプロセッサで28%\と見ている。 [→きを読む]
SEMIは2012Qにおける半導シリコンウェーハの総C積がiQ比0.1%(f┫)の90億3100万平(sh┫)インチになったことを発表した。2010Qにはリーマンショックからのv復がすぎたため、11Qにその反動をpけたが、12Qではほぼ横ばいというT果に終わった。 [→きを読む]
世c半導3位のクアルコムは、電気O動Z(EV)向けのワイヤレス給電システムを開発しているが(参考@料1)、スマートフォンや携帯電B\術にRしてきたクアルコムがなぜEVにもRするのか、1月に東Bビッグサイトで開されたオートモーティブワールド2013において、らかになった。スマホとEVとの連携を狙っているのである。 [→きを読む]
カーエレクトロニクスに搭載するパワーMOSFETをリードレスパッケージに収容しても200Aを流すことのできる実\術を、インフィニオンがらかにした。これまでのD2PAK型パッケージでは180Aが最j(lu┛)電流だったが、新開発のTO-LL表C実型パッケージは200Aまで流せることで、インバータの小型化につながる。 [→きを読む]
R定可Δ兵S数帯域が15GHzおよび26.5GHzと常に高いにもかかわらず、基本仕様の価格がそれぞれ516万、576万と}頃なリアルタイムスペクトラムアナライザRSA5115AおよびRSA5126Aをテクトロニクス(Tektronix)社がリリースした。無線通信の機_(d│)や半導チップのノイズ解析・敢に(d┛ng)な}段となる。 [→きを読む]
日本半導]協会(SEAJ)が発表した2012Q12月における日本半導]のB/Bレシオ(販売Yに瓦垢pRYの比)は、ほぼ1Qぶりに1.0をえた。今vは販売Yが11月の714億1500万から589億5300万と下がり、pRYが11月の636億2100万から722億7700万と\加したことで、B/Bレシオは1.23となった。 [→きを読む]
「パワーエレクトロニクスのパートナーを探しに日本にやってきた」。こう語るのは英国ケンブリッジを拠点とするベンチャー、アマンティス(Amantys)のマーケティング担当VPのSteve Evans(図1)とマーケティングディレクタのRichard Ord(同左)。 [→きを読む]
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