デュポン、10μmの薄いポリイミド絶縁材料でLEDの放X性を改

最j90度まで折れ曲がった放XにもDりけられる電気的絶縁材料として、デュポンがポリイミド材料CooLamシリーズを開発した。LEDの放X基向けに使う。曲げられる柔らかい材料なので丸い電球形Xの基に複数のLEDを張りけることができる。このT果、白Xi並みに広がりをeった光をLED電球でuることができる(図1)。 [→きを読む]
最j90度まで折れ曲がった放XにもDりけられる電気的絶縁材料として、デュポンがポリイミド材料CooLamシリーズを開発した。LEDの放X基向けに使う。曲げられる柔らかい材料なので丸い電球形Xの基に複数のLEDを張りけることができる。このT果、白Xi並みに広がりをeった光をLED電球でuることができる(図1)。 [→きを読む]
「これまでプロセス世代は2Q間の開発期間を経てきたが、20nmから14nmへは1Qで到達できそうだ」。こう語るのは、グローバルファウンドリーズ(GlobalFoundries)のグローバルセールス兼マーケティング担当峙薀丱ぅ好廛譽献妊鵐箸任△Mike Noonen。アジアQ地でメディアとのロードショーを行い、最終地のと東Bとの間で電B会見を行った。 [→きを読む]
「できればO動Zx場は霪Dりたい」。ルネサスエレクトロニクスがカーエレクトロニクスに使われるECU(電子U御ユニット)x場にT欲を見せている。エンジンU御、シャシー、エアバッグ、カーオーディオ、EV/HEV(電気O動Z/ハイブリッド)、ボディU御、メータ、予防Wといったカーエレシステム(図1)のてにフラッシュマイコンを提供する、その1としてボディU御RH850をリリースした。 [→きを読む]
45nm以下のプロセスの比率が最も高いファウンドリはGlobalFoundriesであることが、毫x場調h会社のICインサイツ(Insights)の調べでわかった。ファウンドリ専門j}4社のうち、45nm以下のプロセスがプロセスにめる比率はGFが2011Q55%もあったのに瓦靴董TSMCは26%だった(表1)。 [→きを読む]
欧Δ2j半導j}がNFCの普及にを入れている。セキュアなアプリケーションにはもってこいだからである。NXPセミコンダクターズはもともとソニーとk緒にNFCのY化を進めてきた経緯もありさまざまなNFCの応にを入れているが、インフィニオンテクノロジーズはセキュアチップに集中している。 [→きを読む]
櫂▲淵蹈亜Ε潺ストシグナル半導j}のMaxim Integratedは、これまでのシステムソリューションプロバイダからk歩先んじて、高集積という段階に踏み出した。同社は、社@もこれまでのMaxim Integrated Products社から、Maxim Integratedに変した。これは、を売るだけではないというメッセージであり、戦Sのjきな変になる。Apple ComputerがAppleに変えたことと同じだという。 [→きを読む]
SEAJ(日本半導]協会)が発表した、8月の日本半導]とFPD]のB/Bレシオは、それぞれ0.74、1.57であった。半導は2ヵ月iに警告(参考@料1)を出したように、要RTから警に変わっている。FPDは1.0をjきくえているが、要RTである。 [→きを読む]
通信ハイエンドの10Gb/40GbイーサネットスイッチのIC(図1)にもいろいろな数のI/Oを構成できるフレキシブルな考えが入り込んでいる。このほどブロードコム(Broadcom)社がリリースしたStrataXGS Trident IIシリーズは、ハイエンドながらフレキシビリティのある半導チップだ。ASICのように定しか使えないチップではない。 [→きを読む]
毫x場調h委会社のIC インサイツ(Insights)は、2021Qまでの半導ICのx場について調hしたところ、そのQ平均成長率は8.0%となるとTbけた。これは半導ICの出荷量はこれまでよりもPびなくなるものの平均単価が{J屬るという向を見出したT果である。 [→きを読む]
IR(軍粟)スペクトロスコピー(図1)が}のひらサイズになった。これは、英国のベンチャー、パイレオス(Pyreos)社が開発したMEMS\術によるIRセンサを使い、O社で開発したものだ。来、IRスペクトロスコピー(分光分析_)はデスクトップのサイズしかなく、_量は数kgもあり、しかもa度償が要であり、100万以屬塙皺舛世辰拭 [→きを読む]
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