3MとIBMが100シリコン積層チップ向け接剤の共同開発で合T

(sh━)国の3M社とIBM社は、3次元実の接剤を共同で開発することで合Tしたと発表した。半導チップを100でも1000でも高層ビルのように積んでいくようにすることが狙いである。IBMはこれによって高性Δ離廛蹈札奪気魍発する。3次元実△鯆礇灰好箸納存修垢襪燭瓩両}段となりうる。 [→きを読む]
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オランダのNXP SemiconductorはNFC(near field communication)やRFID半導を100|類以屬碾t開しているが、O動認識t2011においても(r┫n)接触のRFIDカードから、10m度までの通信を可Δ砲垢U(xi┌n)HF帯通信RFIDカード、そしてNFCなど新しいx場を狙ったIC群を発表した。 [→きを読む]
英国の電子・機械のディストリビュータであるRS Components社の日本法人アールエスコンポーネンツがモバイル環境からもをR文できるシステムを(d┛ng)化している。エンジニアがよく使う電子ディストリビュータが3社あるが、RSはその内の1社であり、電子と機械のl(shu┴)富さを売り颪砲靴討い襦 [→きを読む]
半導ビジネスにソフトウエアの比率が高まってくるにつれ、ソフトウエアプログラムにつきもののバグが頭痛の|になる。これまでバグをEするツールは見つけて除去するだけで、他にも(l━)んでいる可性はあった。もし、バグがないことを証してくれたら、SoCの設時間がぐんと](m└i)くなる。この夢を実現してくれるソフトウエアツールが普及の兆しを見せている。 [→きを読む]
SEAJが発表した、7月における日本半導およびFPD]のB/Bレシオ(販売Yに瓦垢pRYの比)がそれぞれ、0.84と1.38になった。共にpRYが落ちてきており、要RTである。 [→きを読む]
Siウェーハ屬GaNをエピタキシャル成長させ、GaNパワーデバイスや白色LEDを実化させるベンチャー企業が(sh━)国を中心に出している。このGaN-on-Si\術はもはや研|フェーズではない。実化開発に点が,辰討い襦8堕螢罅璽供叱けにサンプル出荷をしている所もある。 [→きを読む]
Xをよく逃がすが、電気は通さない、という放Xの絶縁材料を、エポキシにフィラー子として混ぜることでX伝導の優れた`脂が使えるようになる日がZい。AlNのフィラーを開発しているトクヤマ、X伝導率の高いエポキシ`脂を研|している関スj(lu┛)学の原田研|室が、マイクロ・ナノファブリケーション研|会で顔を合わせた。 [→きを読む]
(sh━)国のLED(発光ダイオード)専門メーカーのBridgelux社は、8インチSiウェーハ屬GaNの白色LEDを作り、色a(b┳)度4350Kのクールホワイトで160 lm/Wと、来のサファイヤやSiC基で作ったLED並みのるさを実現した。クラックのないGaNT晶層を実現できたためで、2Q後には商化したいとしている。 [→きを読む]
c效半導ファブレスの(sh━)トライデントマイクロシステムズ(Trident Microsystems)がテレビやセットトップボックス(STB)の画改ICのロードマップを発表した。2次元画気ら3次元画気鮑遒蟒个靴燭蝓▲侫譟璽犲S数を240Hzと4倍]にしたり、画Cサイズ21:9というシネマスコープのアスペクト比に官したりするなど次世代テレビ向け\術を満載している。 [→きを読む]
Ronen Jashek(hu━)、イスラエルSiano Mobile Silicon社マーケティング担当バイスプレジデント 中東から欧Δ砲けての地域でイスラエルは英国に次いでファブレス企業のHい国である。イスラエルでシリコンの1チップテレビp信機を設しているSiano Mobile Silicon社から電Bインタビューの誘いが来た。Siano社とは何vか。何を狙い日本のメディアに接触したか、そのファブレス企業の(d┛ng)みについて紹介する。 [→きを読む]
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