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英国��集2011・ワイヤレス&モバイルのベンチャー育成に�を入れる英国

2011年3月10日｜�業分析

英国は国を挙げてワイヤレスとモバイルビジネスを�мqし、�擇泙譴憧屬發覆ぅ戰鵐船磧爾��業家たちを勇気づけている。3GSM Congressという�@称からスタートしたMobile World Congress（MWC）では、開�当初からUKパビリオンを設�、�O社でブースを出すほどの�@金�のないベンチャーをここに集めてきた。 [→�きを読む]

世�c半導��]��x場は昨�Q12月時点での予�Rよりも20億ドル��?j┼n)vる

2011年3月10日｜�x場分析

SEAJ（日本半導��]��協会）が3月9日に発表した、2010�Qにおける世�cの半導��]��販売�Y（参考�@料1）の�Pびは2010�Q12月の時点で予�[を20億ドルも��?j┼n)vった。この実績はSEAJとSEMIおよびSEMIジャパンが協�してデータを集�したもの。 [→�きを読む]

NvidiaがタブレットXoomに使えるほどの低消�J電�化を達成させた�\術とは？

$NvidiaがタブレットXoomに使えるほどの低消�J電�化を達成させた�\術とは？$

2011年3月 9日｜�\術分析（デバイス設�& FPD）

欧�δ命�噞・半導��業のプロフェッショナルがモトローラのタブレットXoomを絶賛したことはすでに伝えた(参考�@料1)が、iPad2が3月2日に�盜颪波�修気譴襪�Xoomと同レベルかそれ以�屬了斗佑任△襪海箸�錣�辰拭�参考�@料2）。iPad2にはデュアルコアCPUが使われている点もサクサク動くという点も裏表にカメラ2�を載せている点も�く同じ。アップルはプロセッサA(ch┳)5の中身を��蕕�砲靴覆い�、Xoomに搭載されたNvidiaのプロセッサTegra2の消�J電�削�(f┫)�\術を紹介する。 [→�きを読む]

フリースケールがARMアーキテクチャもマイコンシリーズに�{加

2011年3月 4日｜�\術分析（半導��）

�櫂侫蝓璽好院璽襦Ε札潺灰鵐瀬�燭�ARMのプロセッサコアの�kつ、Cortex-M4をコアとするマイクロコントローラ(マイコン)を?y┐n)��シリーズに加えると発表した。これまで同社独�OのColdFireコアとPowerコアに加え、業�c�Y��のコアを�{加することでマイコンの��ポートフォリオを広げ、巻き返しを狙っている。 [→�きを読む]

渡りに�`か、半導��企業のグローバルへの進出とそのコラボを�}�\けするGSA

$渡りに�`か、半導��企業のグローバルへの進出とそのコラボを�}�\けするGSA$

2011年3月 2日｜経営�vに聞く

Global Semiconductor Alliance (GSA)が日本メンバーの参加を�任垢燭畚蕕瓩討侶弍珍悗鮟犬瓩寝餤弔魍��した。��1�vの会議にメディアはオフリミットだが、会議開�の�iに記�v会見を開き、その狙いを語った。 [→�きを読む]

�O動�Z�半導��ICは2011�Qに12%成長、とICインサイツが発表

2011年2月25日｜�x場分析

�歡�h会社のICインサイツ（IC Insights）は、2011�Qの�O動�Z�半導��は12%も成長するという見��(sh┫)を発表した。半導��では6%�i後の例�Q(1999�Q以来)の�Pび率に変わり、2010�Qの32%という驚異的な�v復�を見せた�Qとは違う。だからといって景気後�という�lではない。健�な�Pびを�すだろうというのが�k致した見��(sh┫)である。 [→�きを読む]

65nmNORフラッシュから4G NAND、省ピンSPIまで�めに転じるスパンション

2011年2月25日｜�\術分析（半導��）

業績�v復から�めに転じ始めたスパンション社が�来の90nmおよび110nmのGLシリーズから65nmプロセスのGL-Sシリーズへと��を転換していく。このほど都内で記�v会見を開き、NANDと比べて高�]動作が可�Δ�NOR型フラッシュメモリーの��をすべて65nmラインに��┐討い�櫃鯣�修靴拭� [→�きを読む]

理�U�`れを食い�Vめるための��(sh┫)策をIBMフェローが提案－Siシーベルト会議にて

2011年2月24日｜�業分析

福�K県および福�K先端システムLSI開発拠点推進会議、九�θ焼��・エレクトロニクスイノベーション協議会が主�するシリコンシーベルトサミット福�K2011において、IBMフェローでありIBMシステム&テクノロジーグループのJohn Cohn�F士は、その��別講演の中で、理�U�`れを食い�Vめるためのソリューションを提案した。 [→�きを読む]

FD-SOI CMOSは20nm以�Tではバルクよりも��~�W(w┌ng)とSOIコンソーシアムが発表

2011年2月21日｜�\術分析（プロセス）

完�空�型（fully depleted）SOI CMOS�\術は20nm以�TのCMOS�\術として性�Α⊂嫡J電�、コストの点でバルクCMOSと比べ�~�W(w┌ng)になることをSOIインダストリコンソーシアムが発表した。このため携帯機�_(d│)に使うべきSoCには向いていると同コンソーシアムの�峙薀妊�譽�燭��瓩�Horacio Mendez��麓臘イ垢�。 [→�きを読む]

MWC2011～LTE-Advancedチップや LTEの�W(w┌ng)�環境、M2Mのエコシステムが�点

2011年2月17日｜�業分析

3GからHSPA（high speed packet access）、HSPA+へと進みLTE（long term evolution）の世�cが開かれることは疑いのない�実になってきた。逆に、このMWC2011でLTEだけの発表はもはやニュース価値はなくなってきた。�k��(sh┫)、端�はどうか。アップルがiPhone5をリリースするかと思われたものの発表はなかった��靴靴っ蒔�の��(sh┫)向がアンドロイドであることは誰も疑わなくなってきた��靴靴っ蒔�はもはやニュース価値はない。 [→�きを読む]

セミコンポータルによる分析