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NANDフラッシュ輝眷で儉疤サムスンをじわじわ納い低める澎記

2011年2月 9日 ∶輝眷尸老

NANDフラッシュ輝眷では澎記がサムスンをじわじわと汗を低めてきている。DRAMエクスチェンジが券山した2010鉗媽4煌染袋におけるNANDフラッシュメ〖カ〖のランキング∈山1∷によると、儉疤サムスンが18帛4000它ドルだったのに灤して、澎記は17帛4300它ドルと迄泅してきた。 [ⅹ魯きを粕む]

2010鉗におけるシリコンのウェ〖ハ叫操燙姥は冊殿呵光の40%籠に

2011年2月 9日 ∶輝眷尸老

2010鉗のシリコンウェ〖ハの叫操燙姥は灤漣鉗孺40%籠の93帛7000它士數インチ、と冊殿呵光に茫したことをSEMIが券山した。ウェ〖ハの任卿馳は票45%籠の97帛ドルになった。 [ⅹ魯きを粕む]

アナデバ、癱欄輝眷の面から喇墓尸填を聯買、海稿も喇墓を積魯

2011年2月 8日 ∶沸蹦莢に使く

アナログˇデバイセズ家は癱欄の動い泣塑輝眷においても、癱欄から緩度脫へあるいは癱欄の面の喇墓尸填へ孺腳を敗すことにより喇墓を積魯していく里維をとる。黎降、票家は海鉗刨の瀾墑里維棱湯柴を倡き、坤腸輝眷、泣塑輝眷について票家泣塑恕客洛山艱涅舔家墓敷柴墓の竅畔餞會が胳ったが、その數克をじっくりかみしめてみると、懼のことが咐えそうだ。 [ⅹ魯きを粕む]

NANDフラッシュの絡推翁步と光廬步が渴む秦肥にデジカメの瓢茶步がある

2011年2月 7日 ∶緩度尸老

勢フラッシュカ〖ド絡緘のサンディスク家は今き哈みˇ粕み艱り廬刨が呵絡45MB/擅で、SD ver3.0慌屯に潔凋したUHS-Iインタ〖フェ〖スを積つ8GB、16GB、32GBのSDカ〖ドを辦忍羹けに券卿した。UHS∈Ultra High Speed∷-Iインタ〖フェ〖スは呵絡104MB/擅の啪流廬刨まで灤炳する憚呈。 [ⅹ魯きを粕む]

タブレット羹けDRAMの見妥締籠の徒盧をエルピ〖ダ、アイサプライ鼎に袋略

2011年2月 4日 ∶緩度尸老

エルピ〖ダメモリは票家の瘋換券山柴において、タブレットやスマ〖トフォン羹けの≈モバイルDRAM∽がコンピュ〖タ羹けのDRAMの輝眷憚滔と票じ鎳刨になることを袋略している、と揭べた。アイサプライは、メディアタブレット羹けのDRAM見妥が9擒に籠えると券山した。 [ⅹ魯きを粕む]

グロ〖バルファウンドリ〖ズ、28nmのゲ〖トファ〖ストを20nmでラストに啪垂

2011年1月25日 ∶沸蹦莢に使く

Douglas A. Grose會、Global Foundries家CEO 勢グロ〖バルファウンドリ〖ズ家がシンガポ〖ルのチャ〖タ〖ドセミコンダクタ〖を槐布に箭めてほぼ1鉗。いまや坤腸媽2疤のファウンドリ措度になった。このほど丸泣したCEOのダグラスˇグロ〖ス會は海鉗の數克を胳った。 [ⅹ魯きを粕む]

アルテラ、ハイエンドからロ〖エンドまで鏈て票箕に28nmプロセスを何脫

2011年1月25日 ∶禱窖尸老∈染瞥攣瀾墑∷

アルテラは、ロ〖エンドからミッドレンジ、ハイエンドに畔る弓いアプリケ〖ションに羹けたFPGAを28nmプロセスで辦丹に侯ると券山した。これまでは、腮嘿步プロセスはハイエンドから幌まり、ミッドレンジ、ロ〖エンドへとマイグレ〖ションしてくるのが舍奶だった。海攙は鏈てのクラスを辦丹に28nmへと積ってくる。 [ⅹ魯きを粕む]

ナショナルセミ、プログラム材墻なセンサ〖慨規借妄ICを倡券ツ〖ルと鼎に捏丁

2011年1月25日 ∶禱窖尸老∈染瞥攣瀾墑∷

アナログ尸填に廟蝸してきた勢ナショナルセミコンダクタ〖家は、ICチップの肋紛瀾隴からソリュ〖ション捏丁ベンダ〖へと忙乳し幌めている。補刨センサ〖とそのコントロ〖ラで年刪のある票家は、佰なるセンサ〖にも灤炳し、肋年をユ〖ザ〖がプログラムできる1チップ慨規借妄ICを倡券、その倡券ツ〖ルも覓れずに捏丁する。 [ⅹ魯きを粕む]

話嫂排怠がSiC MOSFETのDC-ACコンバ〖タで98%動の跟唯を茫喇

2011年1月21日 ∶禱窖尸老∈染瞥攣炳脫∷

話嫂排怠の黎眉禱窖另圭甫墊疥は、SiCのパワ〖MOSFETとショットキ〖バリヤダイオ〖ドを脫いた木萎-蛤萎恃垂達を活侯、その掐叫蝸の恃垂跟唯を盧年したところ、98%動という猛を評た。これまでのシリコンIGBTとSiCショットキ〖ダイオ〖ドの寥み圭わせによる恃垂達と孺べ、2ポイント笆懼羹懼しているという。 [ⅹ魯きを粕む]