携帯電Bのメモリコンテンツ、NANDとNORのクロスオーバーは07Q

2007Q、携帯電B1当りのメモリコンテンツ量は、NANDフラッシュがNORフラッシュをえ、480Mbとなり、その後は2008Qに1024Mb、2009Qには1408Mb、2010Qには2070Mbと\していくとの予RがInStat社から発表された。 [→きを読む]
2007Q、携帯電B1当りのメモリコンテンツ量は、NANDフラッシュがNORフラッシュをえ、480Mbとなり、その後は2008Qに1024Mb、2009Qには1408Mb、2010Qには2070Mbと\していくとの予RがInStat社から発表された。 [→きを読む]
2006Q〜2009Qの半導x場は、CAGR9%で成長し、2009Qには3,210億ドル模になるとの予[がSIAから発表された。 SIAによると、2005Qの半導x場は、2,275億ドル、2006Qは、Q率9.4%\の2,488億ドルになると予Rされている。2007Qには同10%\の2,738億ドル、2008Qには同10.8%\の3,034億ドル、2009Qは調D期として成長率が少し下がり、5.8%\の3,210億ドルになると見られている。 [→きを読む]
中国42%\、日本39%\ 2006Qの3四半期の世c半導]x場はi期比14%\、iQ同期比38%\の109.7億ドルとなったことが、SEMIならびにSEAJから発表された。また、同期のpR高は116.2億ドルとなり、iQ同期比51%となった。 [→きを読む]
櫺奮愃眞帖National Science Foundation = NSF)は、1972Qから2001Qまで約30Q来拡j(lu┛)向にあった噞cから盜餝|への研|開発Jмq関係はブレーキがかかったとの見(sh┫)を発表した。『@金はどこへ行ったのか?少する噞cのj(lu┛)学研|開発мq(Where Has the Money Gone? Declining Industrial Support of Academic R&D)』という報告書に、下T向にある噞cの学|機関に瓦垢мqの分析やその主要な考察T果が記載されている。 [→きを読む]
HP、エプソン、キヤノンで72%める 中国の2006Q四半期のプリンターx場は、iQ同期比12.4%\、i期比8.6%\となり、250万の出荷数となったことが中国のコンサルティング企業、Analysis International社から発表された。 [→きを読む]
中国では、?sh┫)戮澳間、中国ポータブルデジタルAV 機_が売れる。 2004 Qのの商戦ではMP3 がブームとなり、2005 QにはそのMP3 がまるでQから庶cのような地位に落ち、今Qのの商戦は次世代のMP4 、PMP(Portable Media Player) が豸を浴びた。 [→きを読む]
AMD、Hynix、QimondaがiQ比30%を越える 2006Qの半導メーカー売峭皀薀鵐ング岼15社がIC Insights社から発表され、それによると、岼15に食い込むためには少なくとも50億ドルの売屬要であることが白となった。昨Q度は50億ドルは岼11社までであった。 [→きを読む]
中国は、デジタルTV の地崚疏Y格の実施により、デジタルTV IC チップメーカーにj(lu┛)きなビジネスチャンスを与えている。 [→きを読む]
経愱、パブリックコメント募集 IT 分野におけるめざましい\術革新により、デジタル放送(ワンセグ)p信やIC カード官など携帯電B機の高機Σ宗新サービス官が進むk(sh┫)で、国内外の携帯電B機x場における争は化している。 経済噞省では、8月に「携帯電B機噞の(j┤ng)来のあり(sh┫)に関する~識v懇i会」を開し、携帯電B機メーカーの開発における連携や格の共通化、新しいサービスの実現に向けたDり組みなど日本の携帯電B機噞の(j┤ng)来についての(sh┫)向性を議bするとともに、課解に要な(sh┫)策について検討した。 [→きを読む]
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