世cウエハレベルパッケージx場、2010QまでCAGR26.8%予[

ウェハレベルパッケージ(WLP:Wafer Level Package)x場は2007 Qに数量ベースで64 億個、売峭2 億7000 万櫂疋襪ら、Q平均成長率26.8%でPび、2010 Qには数量ベースで130 億個、売峭發5 億5000 万櫂疋襪砲覆襪箸陵襲Rが、ジェイスター株式会社から発表された。 [→きを読む]
ウェハレベルパッケージ(WLP:Wafer Level Package)x場は2007 Qに数量ベースで64 億個、売峭2 億7000 万櫂疋襪ら、Q平均成長率26.8%でPび、2010 Qには数量ベースで130 億個、売峭發5 億5000 万櫂疋襪砲覆襪箸陵襲Rが、ジェイスター株式会社から発表された。 [→きを読む]
的財堍保護、環境敢、MCP関税廃、MCP関税廃に中国も参加 5月24日、スイス・ジュネーブにてWSC(World Semiconductor Council:世c半導会議)の11v`となるミーティングを開、日本、欧Α盜顱∠f国、チャイニーズ、中国の6極の半導業cトップ23@が参加して世cの半導共通の課についてT見交換した。 [→きを読む]
07QQ1はiQ同期比40.6%(f┫)の90万売り屬 世cのパーム型PCx場は、ユーザー嗜好が携帯電Bや他のコンシューマーエレクトロニクスに加]していることをpけて、13四半期連で下Tをけているとの発表が、IDCからなされた。2007Qk四半期の同x場は、i期比36.3%(f┫)、iQ同期比40.6%(f┫)の91.9万となった。同x場ではトップ5社にあったDellが本x場からのを発表している。 [→きを読む]
l・ニッケル水素電池からの々圓砲茲螻判j(lu┛) j(lu┛)型蓄電デバイスx場は06Q度でiQ比11.7%\の2,632億となり、2012Qには82.3%\の4,799億になることが予[されている。(富士経済調hによる、j(lu┛)型二次電池を搭載する4分野35におけるj(lu┛)型二次電池と雕爐塁x場調h報告書、「エネルギー・j(lu┛)型二次電池・材料の(j┤ng)来t望 2007」) 中でもリチウムイオン電池は、ハイブリッドO動Zへの採拡j(lu┛)が主要因となって、2012Q度には06Q度20倍の1,111億模になることが予[されている。 [→きを読む]
iQ比30.6%\、ULVAC、TELとく 2006Qのフラットパネルディスプレイ(FPD)]の売峭Top 15がVLSI Research社から発表された。位はiQ3位のアプライドマテリアルズ、2位はiQ同様ULVAC、3位はiQ4位の東Bエレクトロンとなった。4位はニコン(iQ5位)、5位はキヤノン(同位)、6位は日本スクリーン](同7位)、7位は日立ハイテクノロジーズ(同6位)となった。 [→きを読む]
Foxconn社EMS位M、Asustek社ODMで位に 2006Qの世cの契約型]業x場は2005Qの2,235億ドルから15%\の2,560億ドルとなったことがiSupply社から発表された。岼EMS社間の合により岼10社の売峭盥膽が始めてEMSx場の70%をえ、平均20%の売峭盪\となった。 [→きを読む]
Nokia、Motorola、Samsungとく [→きを読む]
世cの半導噞の進化は、kつはプロセスの微細化であり、もうkつはウェハサイズの\j(lu┛)である。現在、世cは12 インチ、65nm 時代に突入している中で、中国のIC ]はまだ初期段階に里泙辰討い襦 [→きを読む]
2007 Qの中国半導x場Q会で、中国半導噞協会は2006 Q度の中国IC 設企業、ウェハ]メーカー、パッケージングとテスト業vのトップ10 社を発表した。 [→きを読む]
グローバルに瓦靴寅れをDる日本企業のプライシング実施 今後半導業cがW(w┌ng)益ある成長の達成のためには、コストの削(f┫)だけでは維eできず、プライシング(価格け)へのDり組みが_要となる。プライシングの菘世ら、世cの半導企業のマネージメントがプライシングにどのような認識をもって戦Sのk環としているか、プライシングにDり組んでいるかについて、アクセンチュアが調hT果を発表した。 [→きを読む]