2008�QがFPDの�j分岐点となる−その2：新しい局�Cに突入するLCDとPDP−
2007�Q秋から�Q��にかけてFPD（�R1）を�Dり巻く�X況が���]に動き始め、�kつの�jきな潮流が見え始めた。この機会に筆�vなりの見�気鯑��vに分けてまとめてみた。今�vがその二�v�`である。 [→��きを読む]
2008年1月
機械からエレクトロニクスへ（��2�v）−シリコンの�咾澆��擇�すカーエレ
カーエレクトロニクスへの半導��メーカーやエレクトロニクスメーカー、ITメーカーの���Aはすさまじい。�O動�Zに使われてきたさまざまな機械的な機�Δ鬟┘譽�トロニクスで実現しようとするものだ。カーエレの�x場は今後5�Q間で平均�Q率成長率10%の�Pびていくと言われている。�O動�Z�噞そのものは完��に成�^�噞で、先進国での平均�Q間の�Pび率は2~3%にも満たない。 [→��きを読む]
機械からエレクトロニクスへ（��1�v）−シリコンは金�錣茲蠅��咾�
最�Z、ジェットコースターやロープウエイの��故が�`につく。�O動�Zのタイヤのボルトネジが外れる��故、古くは日�豕仝譱禊a�凾c落��故、エレベータが開いたまま�峺�した��故、高�]�O路のコンクリートの橋が崩れ落ちた��故、さまざまな機械による��故が気になっている。この13日にはクレーンの土��が半分から折れて落下した��故があった。出光興��では配管の�愎�が原因で石��の��れがあったと14日に報�Oされた。鉄や�^鉄などこれまで硬さや丈夫さでは負けないと思われていた金�鏈猯舛涼C耗や、金�鑒莽�、さびによる�愎�などが原因の��故が�T外と�\えているような気がする。金�錣亘��Δ任呂覆ぁ� [→��きを読む]
国際パートナーシップの締�T･成果が出てきた�Q始め
先週は、グローバルなパートナーシップに基づく開発���Uに関するニュースが�`立っていた。1月7日に、��湾の不ｧ発性メモリーメーカーのマクロニクス社（旺�檰子）と、ドイツのDRAMメーカーのキマンダがNANDフラッシュメモリーを共同開発するというニュースから始まった。マクロニクスはマスクROMやNORフラッシュは�}がけてきた。キマンダはDRAMだけを�攵�してきた。この両社が始めて挑戦するNANDフラッシュを共同で開発する。 [→��きを読む]
企業トップが口にする、今�Qのテーマは環境
JEITAと電子�v路工業会、SEAJの賀詞交��会に出席した。いずれの工業会も、また挨拶した経済�噞省の�機垢癲�口々に今�Qのテーマの�kつとして、環境・地球�a暖化を採り�屬欧討い襦�昨�Q、ノーベル平和賞を�p賞したアル・ゴア元�盜馼��j統�襪�不都合な真実というタイトルのドキュメンタリ映画を��作、地球�a暖化へ警告を発した。�盜颪��陵枦澱啌�発が��発になり、バイオ�\料がすでに実��化されている。世�c��模で環境、地球�a暖化への関心がいつになく高まっている。 [→��きを読む]
2008�QがFPDの�j分岐点となる−その1：�~機ELテレビの登場−
2007�Qの秋から�Q��にかけてFPD（�R1）を�Dり巻く�X況が���]に動き始め、�jきな潮流が見え始めた。この機会に筆�vなりの見�気�2�vに分けてまとめてみる。 [→��きを読む]
2008�Q度���]����は半導��が-5.2%��だが、FPDは46%�\とSEAJが予�R
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2007�Q度〜2009�Q度にわたる半導�����]����・FPD���]����の��要予�RがSEAJから発表された。日本�����]����の販売高は、半導��とFPDを合わせて、2006�Q度が���i�Q比13.5%�\の2兆3206億��であったのに�瓦掘�2007�Q度は5.2%��の2兆2001億��になる見込みである。2008�Q度以�Tは成長基調に入り、2008�Q度が2.5%�\の2兆2544億��、2009�Q度は7.5%�\の2兆4244億��になると予�Rされている。 [→��きを読む]
銅線で100mの10Gbps伝送を可�Δ砲垢�ActiveConnect�\術
カナダのGennum社が�盜颯薀好戰�スで開かれたInternational CESにおいて、100mの銅線を使い、HDMI（high definition multimedia interface）1.3��格に基づいたビデオのリアルタイム伝送をデモンストレーションしたと発表した。この�\術はActiveConnectと同社は�}び、光ファイバよりも�W価にビデオ伝送システムを設��できることが��長である。この�\術は、HDMI 1.3��格で伝送レート10.2Gビット/秒、DisplayPort��格で10.8Gビット/秒をサポートする。 [→��きを読む]
東��、NANDフラッシュ向け設��投�@を積極的に�M��
東��が積極的な設��投�@を�M��していくことを、�D締役 代表執行役社長の�ﾅ銚�����が1月8日に開かれた新�QのJEITA（電子情報�\術�噞協会）賀詞交換会で改めて�喞瓦靴拭�フラッシュメモリーの価格が毎�Q30%��度下がっていくことを�i提に微細化によりNANDフラッシュメモリーのチップ�C積を小さくし、低価格化に�官�しようという�e勢を�]ち出したものである。 [→��きを読む]
なぜトランジスタの発��が�_要なのか(��3�v)
デジタル、アナログ�v路を組む�屬任�MOSやバイポーラの差はたいしたことがなく、トランジスタというデバイスの発��こそが�_要だということを述べてきた。最後に、今ならラテラル（横型）バイポーラトランジスタというアイデアはどうかと、提案した。もちろん、今の低消�J電��時代には、CMOSと同様にnpnとpnpの相��構成を基本とするラテラルバイポーラのことを指している。 [→��きを読む]
