携帯電�BやWiFi、カーナビ、RFIDなどワイヤレスの機�_(d│)や����が、通信だけの分野からコンピュータやカーエレクトロニクス、�c�擇覆匹△蠅箸△蕕罎詈�野に�Dり込まれるようになってきた。高周�S（RF）�v路とアナログやデジタル�v路を搭載したプリント��設��はますます�H���|になってくる。��ての�v路を統合したEDAツールがあればPCB設��期間は半��(f┫)する。こんな設��ツールをMentor Graphics社とAgilent Technologies社が共同で開発した。 [→��きを読む]
PVとはPhotovoltaicsの省�S形であって�陵枦澱咾鯀T味する。この�\術も基盤はわれらの愛する半導��である。PVが�j(lu┛)きなブームになって来た。 [→��きを読む]
携帯電�B並みの�j(lu┛)きさで、どこでも誰でも映せる��小型ハンディプロジェクタを��Microvision社は2009�Q��に����化する��画である。このプロジェクタモジュールは�j(lu┛)きさが2cm角��(d┛ng)、厚さは7mmと極めて小さいため、iPodサイズの専��のハンディプロジェクタのほか、携帯電�B機に実�△靴織廛蹈献Д�タも2009�Q��2四半期ないし��3四半期には出荷する��画だ。Globalpress主��のeSummit2008でMicrovision社が��らかにした。 [→��きを読む]
�b理の検証やタイミングは��常だったのに、タイミングエラーによってSoCチップが動作しなくなるというエラーが65nm以�Tの微細化と共に��こりやすくなっている。配��配線のやり直しを含め、ユーザーと��めた納期に間に合わなくなるという問��が現実的になってきている。最初からタイミングクロージャーを考えて設��しなければならない。これを可�Δ砲垢襯帖璽襦�CHAIN works2.0を��Silistix社が発表した。 [→��きを読む]
SEMIが先週、極めて興味深い発表をしている。それは半導��関係の材料が2007�Qに14%�Pび、2008�Qも11%�Pびると予�[しているというニュースだ。2007�Qには半導��デバイスそのものは3%しか�Pびなかったが、材料の�Pびはそれをずっと��?j┼n)vっている。ちなみに、半導��チップの売り�屬欧�3%�\の2560億ドルに�瓦靴萄猯舛�420億ドルである。この数�C(j┤)がなぜ興味深いか。 [→��きを読む]
配線パターンが露光する光の�S長（193nm）よりもはるかに�]くなると、光がマスクパターンの隙間に入っていかなくなるため、設��通りのパターンを作ってもその通りに�W�^されない。極端に�Mしいのは長さの�]い�科��C(j┤)のパターンだ。もはやこのようなパターンは45nmでは不可�Δ��Zい。 [→��きを読む]
65nm、45nmへと微細化が進むにつれ、LSIの�駘�層設��、��に配線設��が�_要になってくる。配線の細りや��線を��こさないようにするためのプレッシャーは極めて高くなってくる。Globalpress Connections社主��のElectronics Summit 2008の基調講演で述べた、Mentor GraphicsのCEOであるWalter Rhines��は、ESL（electronic system level）ツールの��(j┤ng)来性は�Aうものの、�g��の課��は配線のマルチコーナー問��だと述べた。 [→��きを読む]
旧日立��作所の専���D締役であった牧本次����が提唱する、Makimoto’s Waveによると、次の10�Qは専��化の時代になる。Makimoto’s Waveとは、専������と�Y��(�@��)����が10�Q周期で切り��わるという、牧本��が提唱したサイクルの法�Г任△襦�次の10�Qを乗り越える�}法について2つの見��(sh┫)が出てきた。これは、Globalpress Connection社が主��するElectronics Summit 2008でXilinxとeASICの両CEOがMakimoto’s Waveを引��し述べたもの。 [→��きを読む]
「エレクトロニクス・イノベーションのエコシステムができている代表的な地域は、ケンブリッジとブリストル地域だろう」とBERR Deputy DirectorのTim Goodship��はみる。ともに�j(lu┛)学があり、ベンチャーが集う莂砲覆辰討い襦Ｎ消楼茲箸癲⊃靴靴ぅ戰鵐船磧璽咼献優垢�芽�擇┐討い襦�この二つの地域では�j(lu┛)学発ベンチャーを�擇漾�育て、世�c企業と�甘�に��争できる企業へと向かわせよう、という�`的�T識を�eって、これからのベンチャーに��争��を�eたせるように育成している。それだけではない。 [→��きを読む]
�盜颪離�ルバニーナノテクは2001�Q(�R1)にニューヨーク�ο��Bが主導しニューヨーク�ξ��j(lu┛)学オルバニー�鬟淵離好院璽詬�工学�陲鮹羈砲箸靴難T成されたナノエレクトロニクス研�|開発のための�匲学連携コンソーシアムである。その後、発�t的にここを母��としてナノスケール理工学カレッジ（CNSE）が創設され(�R1)、ニューヨーク�Δ�5つの「�R越した研�|拠点」、�tち「センター・オブ・エクセレンス」の1つに��(li│n)定されて成長し、今や半導��クラスターの成功例と報告2)されるに至っている。ここでは����の予�Q教書と合わせてその成果を考えてみたい。 [→��きを読む]
