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2008年5月

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ビジネスモデルを構築できる半導エンジニアの育成をげ

ビジネスモデルを構築できる半導エンジニアの育成をげ

テレビ東Bに「\あり!にっぽんのf」という番組がある。日本にはまだまだk流の\術が数Hく残されていることを喞瓦垢詒崛箸澄F本の半導メーカーを見ていても\術はあることを咾感じる。それは確かだ。しかし、その\術がちっとも売り屬押W益にTびついていない。これも実である。さあ、どうする! [→きを読む]

SeleteがLow-k膜のエッチングにCH3Iガスの~効性を実証

SeleteがLow-k膜のエッチングにCH3Iガスの~効性を実証

Selete (半導先端テクノロジーズ)の二研|陲蓮Low-k/Cu配線\術の開発を進めているが、機械的にもろいLow-k膜はハーフピッチ(hp)45nm以Tのプロセスで、エッチング形X、高I比、ダメージフリー、低環境負荷、といった問をクリヤーしなくてはならない。このほど新しいエッチングガスとしてCF3Iがこれらを満Bさせることを同社はSelete Symposium2008でらかにした。 [→きを読む]

湾、IC設業cがファウンドリビジネスの次の模で好調に推

湾、IC設業cがファウンドリビジネスの次の模で好調に推

先週はるいニュースはあまりなく、しかもビッグニュースといえそうなネタは少なかった。今Qにおける湾のIC攵Yの統がITRI(工業\術院)から発表され、2008QはiQ比4.4%\の501億櫂疋襦1兆5300億湾元)になる見通しで、ファウンドリビジネスのIC]業c、ファブレスのIC設業c、アセンブリのICパッケージング業cについても発表されている。 [→きを読む]

0.7μm以屬離ΕА璽呂i期比でプラスの成長をす

0.7μm以屬離ΕА璽呂i期比でプラスの成長をす

SICAS(世c半導キャパシティ統)から2008Q1四半期の半導ウェーハの攵ξと実績、n働率が発表された。i期比1.7%\の211万7900/月(8インチウェーハ換Q)、iQ同期比で15.1%\というT果であった。SICASのデータをよく見ると新しい半導噞のトレンドがはっきりと見えてくる。 [→きを読む]

デンソーがO社SiCウェーハに1200V/30AのMOSFETを試作

デンソーがO社SiCウェーハに1200V/30AのMOSFETを試作

トヨタO動Zのティア1サプライヤであるデンソーは、O社で成長させたSiCインゴットのウェーハを使って、パワーMOSFETとパワーショットキーダイオード(SBD)をO社開発していることを「人とくるまのテクノロジーt2008」でらかにした。開発した半導デバイスと、それを使った3相モーター~動のパワーモジュールをtした。 [→きを読む]

ルネサス、2008Q度売屐W益ともほぼ横ばい、後半の咾妓えず

ルネサス、2008Q度売屐W益ともほぼ横ばい、後半の咾妓えず

サブプライムローン問に端を発した今vの不況の影xは、2008Qの少なくともi半まではきそうだ。ルネサステクノロジの伊藤達会長兼CEOは、2008Qの見通しについてx場は期待薄で、ルネサスOもiQ度比2%と微\の9700億という売り屬恩込みをした。営業W益はiQの436億に瓦靴呑x場の弱含みと為差を考慮して410億の微を見込んでいる。 [→きを読む]

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