FPD業�c、�j(lu┛)��(f┫)�]に悲�茲靴��峺�局�Cに乗り��れるな：ディスプレイサーチ
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フラットパネルディスプレイ（FPD）業�cも、世�cの経済�e機下で�垉邵能j(lu┛)級の供給�埔蝓�価格��落、収益�K化に見舞われたが、もはや�fを�]ったと�x場調�h会社であるディスプレイサーチは「��16�vディスプレイサーチフォーラム」で報告した。 [→��きを読む]
2009年1月
12月の日本��半導�����]����の�p�R�Yは���i�Q比17%しかない、どん�f
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日本��半導�����]����の月間の�p�R高がここ数�Qで最低を記�{した。日本半導�����]����協会（SEAJ）がこのほど発表した2008�Q12月における日本��半導�����]����の�p�R�Yはわずか210億��となった。�i�Q同期は、1264億9200万��であったから、実にわずか16.6%しかない。その�i�Q（2006�Q）同期が2182億8200万��であったから、その時と比べると1ケタに落ち込んでしまっている。 [→��きを読む]
LSIの�b理設��をしながら検証できるツールをJasperが開発、設��期間を1/3に
LSI�b理設��のRTLコーディングしながら、すなわち�b理設��が終わらないうちに検証を始められるEDAツールを�盜颪寮濕�ベンチャーJasper Design Automationが開発、このほど売り出した。��来のLSI設��ではすべての�b理�v路設��が終わってから検証を始め、�b理の��しさが検証された後で、配��配線の�駘�設��を行い、フォトマスクを作り、シリコンに焼き��けるという�}順を踏んできた。この新しいEDAツール「Active Design」を使えばLSIの��模にもよるが、ザクっと言って1/3に設��・検証期間が�]縮できるという。 [→��きを読む]
��洋、薄型�陵枦澱咾膿憩�本石��と協業、HITのパートナーはパナソニック
��洋電機と新日本石��は薄型�陵枦澱咾��攵�、販売の合弁会社を設立したと発表した。合弁会社は東�Bに本社を��く��洋ENEOSソーラー。�@本金2億��で、出�@比率は均等に50%。��洋が社長を新日石が副社長を派遣する。 [→��きを読む]
キマンダが破���}��きを申�弌▲┘襯圈璽世悗留惇xとDRAMビジネスの今後を��う
1月24日の日本経済新聞は、ドイツのキマンダがミュンヘンの裁判所に破���}��きを申�个靴燭氾舛┐拭�DRAM�x場は、単価が��しく落ち込み、どのメーカーも原価割れを�咾い蕕譴襪箸い辰��埔蟠ゝ襪砲覆辰討靴泙辰討い襦�1Gビット����が12月中旬には0.6ドルまで低下し、1月に入り1ドルまで戻したものの、再び0.9ドル��に入りそうな気配だ。 [→��きを読む]
落ち込みの実��／DRAM業�cの混沌／グローバル雑学?f┫)棔?9
金融�e機がデバイス業�cに及んでいる影�xが、����的な�Q社業績発表に表われてきている。連日報�Oされているように世�c����、ほとんどの業�|が�j(lu┛)きな落ち込みに見舞われている中、我が半導��関係も推して�瑤襪戮靴任呂△襪�、統合再��の動きが��しいDRAM業�cとともに、以下実��の�pけ�Vめ��(sh┫)である。 [→��きを読む]
イタリア発の電池は飛躍的に発�tした!!〜リチウムイオンのもたらすインパクト
「半導��や�]晶の材料が�R�`されるのはわかりますけど、今後の��点はリチウムイオン電池の材料なのよ。それにしても、電池という�\術はあの��(j┼n)好きのイタリア男から始まったということを�瑤蕕覆た佑��Hいわ」。みずほインベスターズ証�wにあって、電子材料�Uのアナリストとして売り出し中の�兌�亜紀子(やまがあきこ)��の�i�Bである。 [→��きを読む]
テクトロニクス、20GHzで4チャンネル�R定できるハイエンドのオシロを発売
テクトロニクスは、帯域幅20GHzと高周�Sながら、4チャンネル同時に�R定できるデジタルオシロスコープ「DPO70000Bシリーズ」およびデジタルシリアルアナライザ「DSA70000Bシリーズ」を新����として発売した。これは、PCI Express (PCIe) やDisplayPort、HDMIなど高�]インターフェースで伝送する����に向けたもの。すなわち、デジタル家電などで動画をフルHDやさらに�j(lu┛)型高�@細画�Cに映し出すデジタル映�誼���には、GHz帯の高�]伝送が�L(f┘ng)かせない。 [→��きを読む]
チャンネル長10nm以下で�B�^がゼロになるバリスティックトランジスタは問��
MOSトランジスタのソース-ドレイン間の�{(di┐o)�`、すなわちチャンネル長が10nm以下になると、トランジスタの動作�]度はどうなるか。シリコン中の電子がシリコン格子と衝突せずにシリコン中を進める平均的な�{(di┐o)�`、すなわち平均�O�y(t┓ng)行��は、10nm��度だと言われている。となると、10nm以下のチャンネル長になると、電子は衝突せずにソースからドレインへ走行することになる。すなわち電子の�B�^は実��ゼロになる。これがバリスティック（���Oという�T味）トランジスタである。では電子は高�]に走るのか？ [→��きを読む]
仕��ができる人の4つの共通点
�Qが改まって平成21�Qの新春を迎えた。�Zくの�o�､任牢┐っ罎����△鬚靴討�た紅梅が可憐な�}を咲かせており、気�eちの和むひとときである。電子・情報・通信関連分野の�\術コンサルタントをしている関係から、ベンチャー企業や中��企業を訪問し経営�vの��(sh┫)と�Bをすることも�Hく、そのような��(sh┫)々との�Bの中から�Q経営�vの独�O性と共に仕��ができる人に共通する点を�`の当たりする機会が�Hい。 [→��きを読む]
