ニッポンの風��発電ベンチャーに�R�`〜導入量最低レベルでも�\術開発は最先行
2009�Qの世�cにおける風��発電導入量実績は3810万kWで、これまでの����で言えば１億6000万kWとなっている。これを国別で見ると欧�櫃��Hく、���檗▲疋ぅ帖▲好撻ぅ鵝�中国、インドでトップ５を形成している。わが国は09�Q次の����で、設�⇒椴�218万kW、設��機数1683機であり、先進国では最下位レベルの10位以下となっている。 [→��きを読む]
2010年9月
シリコンウェーハの�攵��C積は2010�Q�垉邵嚢發砲覆蠅修Α△肇▲ぅ汽廛薀�
�毫x場調�h会社のアイサプライによると、�攵�するシリコンウェーハの�C積は2010�Qに�i�Q比23.6%�Pび、89億平�汽ぅ鵐舛��垉邵嚢發砲覆襪藩襲Rした。2014�Qには124億平�汽ぅ鵐舛砲盖擇屬噺�ている。 [→��きを読む]
シリコンラボ、24ビットデュアルコアDSPを集積したD級アンプで新興�x場狙う
�盜颪涼聟�半導��ファブレスメーカーであるシリコンラボラトリーズ（SiLabs）社は、ローコストアンプ�x場を狙ったデジタルD級ステレオアンプICを開発した。EMIノイズ�敢�を内�鼎靴討い襪燭甞���けのノイズ�敢��v路がいらない。AM/FMラジオチューナを�Zづけられるため、携帯音楽プレーヤーのドッキングステーション設��の�O�y度が�屬�る。 [→��きを読む]
ルネサス、集積化などSiP�\術を�擇�したパワーMOSFETの差別化戦�Sを発表
ルネサスエレクトロニクスが新しい���Uでのパワーデバイスの�Dり組みについて、記�v会見を開き、��らかにした。それによると、2012�Q度までの中期��画では2009�Qに�瓦靴�1.6倍の売り�屬花`�Yを立て、2010〜2012�Q度の平均�Q率成長率CAGRは10%という�啜い亮�画となっている。そのけん引��はパワーデバイスの集積化である。 [→��きを読む]
電池の��命を6倍以�嶐�ばす充電アルゴリズムを�∈蠅離戰鵐船磧爾�開発
電池の充電�桔，鯤僂┐襪海箸如�電池の��命を�Pばすことができる。このような新しい充電アルゴリズムを開発することで電池の��命を��ばせる充電�_を開発してきた、兵�U県�∈袤xのベンチャー、テクノコアインターナショナルがこの充電の考え�気鬟札潺灰鵐檗璽織觴臾�の「パワーエレクトロニクスの��貌と半導��の未来｣(関連�@料1)の中で発表した。 [→��きを読む]
はっきり見えてきた、ノートPCからタブレットPCへの�jきなパラダイムシフト
DRAMの単価が落ちてきた。1GビットのDDR3��が図1のように契約価格が2.1ドルにまで下がっている。パソコンの先行きが不透��になってきたというニュースもある。さらに、インテルやAMDが相次いで業績を下�巨T��したという動きもある。こういった景気後��の�Bの背後において実は��るい成長�噞が�擇泙譟▲僖愁灰鵑�らポストPCへの流れがはっきりと見えてきた。 [→��きを読む]
タブレット PC向けのNANDフラッシュメモリの出荷量、来�Qは今�Qの4倍に
�毫x場調�h会社のアイサプライは、タブレットPC向けのNANDフラッシュの出荷数が2011�Qには4倍�Zくに成長するとの見�気鮨�した。タブレット��NANDフラッシュの出荷数は、2010�Qの4億2800万Gバイトから、3.96倍の17億Gバイトと�\加すると予�Rしている。 [→��きを読む]
�S的な�v復の流れから、クールダウン、小康�X��の�x場
昨�Q���k四半期、1-3月の�fの�fとの比較数値に見慣れてしまうのは致し�気覆い�、今�Q�i半の半導��、デバイス�x場の�Pびは、予�Rの�I�`ごとに���巨T��されてきている。ここにきてやはり理性的な落ち��きを�Dり戻してきているということかもしれないが、�k�K感のある�x場の空気、見�気���配的になっている。現下の���E問��に振り�vされる影�xを合わせて、それこそさらに理性的に考えていく��要があると思う。 [→��きを読む]
NXPが高性�Ε潺�ストシグナル����と�Y����に�R��、ブランド戦�Sも差別化要因に
NXPセミコンダクターズは、2006�Qにフィリップスからスピンオフして以来、2008�Qにモバイル�靆腓鯒箋僉�2009�Qにはホーム�靆腓鯒箋僉�2009�Qから高性�Ε潺�ストシグナル分野と�Y����分野に�R��してきた。このほどそれぞれの分野を�啣修垢���動として、高�]・高分解�Δ離如璽織灰鵐弌璽燭鯣�表すると共に、ブランディング戦�Sを��らかにした。ブランディングこそ�Y����を差別化するための�_要な�}段と位����けている。 [→��きを読む]
新素材グラフェンを��いたトランジスタに期待
グラフェン（Graphene）と称する新材料の応��研�|が�Xを帯びて来た。その�@は炭素素材のグラファイトに�y来し語�_のeneは二�_�T合を�T味する。グラフェンはゲルマニウムやシリコンと同じ周期��表の四��である炭素のみで構成されるが、ダイヤモンドとは�jきく異なり3次元�T晶��ではない。 [→��きを読む]
