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ソフトウエアベースのR_メーカー、櫂淵轡腑淵襯ぅ鵐好張襯瓮鵐帖National Instruments)社は、NIWeek初日の8月7日(盜饂間)に基調講演を行い、R定_も小型・高集積でムーアの法Г帽腓Δ發里砲靴茲Δ判劼戮拭ムーアの法Г賄纏匍×_を高機Α高性Α楪礇灰好函小型にしたが、R_はまだ小さくなっていなかった。今v、R定_2分をkつの小型PXIモジュールに収めた。 [→きを読む]
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半導のx場予Rほど当たらないものはない。日刊スポーツやダービーニュースの[の予[欄の気よっぽど当たるくらいなのだ。これゆえ、\術についてもマーケットについてもj胆な予Rをして失譴靴慎vやアナリストの数はり瑤譴覆ぁ [→きを読む]
ロンドンオリンピックの子バドミントンダブルスで優Mした藤井瑞希・垣岩令佳組の所錺繊璽爐箸靴@度が屬った、ルネサスエレクトロニクス。そのQ発表が先週あった。このQ発表において、新聞QLや専門サイトでの採り屬気jきく違うことがよくわかった。記のタイトルがjきく分かれたのはなぜか。 [→きを読む]
SIAより月次世c半導販売高、今vは6月分が発表され、IC Insightsからは2012Q4-6月および嵌彰のベンダーランキングが表わされている。
IHS iSuppliはワイヤレスICが引っ張り、噞がいて、他は鈍いとする本Qの半導x場分野別の見気箸覆辰討い襪、スマートフォン、タブレットはじめモバイル機_のsきんでる況を映し出すデータ内容となっている。史嶌嚢發新するかどうか、マクロ経済X況のW定度、売れ筋の攵キャパシティなど業c内外様々な要因の今後の推,砲かってくる。
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SiCのパワーモジュールが相次いでx場に出てきた。菱電機が8月からサンプル出荷を開始、ロームは3月にSiCパワーMOSFETを2個組にしたモジュールをx場に出している。サンケン電気もSiCやGaNのパワートランジス開発にDり組みショットキダイオード(SBD)を13Q後半には攵する予定だ。パワーモジュールはSiC MOSFETやSiCショットキバリヤダイオードなどをハイブリッドICのように集積したもの。 [→きを読む]
ルネサスエレクトロニクスにやっとるさが戻ってきた。2012Q度1四半期のQ発表が行われ、iQ同期比、i期比とも10%度の売嶷少であった。しかし、その要因は確で、情報システム統合のために出荷を4月に8日間停Vしたためだった。さらに、2011Q10〜12月期をfとして、四半期ごとに1桁ながら実にpRを\やしてきた(図1)。 [→きを読む]
世c半導企業の最新のランキングが毫x場調h会社のICインサイツから発表された。2012Qの嵌彰のランキングのjきな徴は、ファウンドリが成長してきたことだった。中でもグローバルファウンドリーズが初めてトップ20位ランキングの16位に顔を出し、ファウンドリメーカーとして2位になった(表)。 [→きを読む]
アプライドマテリアルズ(Applied Materials)社は、3D IDや20nm以下のをいくつかSEMICON Westで発表したが、半導x場のメガトレンドを見据えたビジネス戦Sを改めて確認した。同社日本法人代表D締役社長の渡辺徹は、モビリティがx場をけん引しているため、それに合わせた開発をけるe勢を崩さない、と言する。 [→きを読む]