「できれば�O動�Z���x場は���霪Dりたい」。ルネサスエレクトロニクスがカーエレクトロニクスに使われるECU（電子�U(ku┛)御ユニット）�x場に�T欲を見せている。エンジン�U(ku┛)御、シャシー、エアバッグ、カーオーディオ、EV/HEV(電気�O動�Z/ハイブリッド)、ボディ�U(ku┛)御、メータ、予防�W��といったカーエレシステム(図1)の��てにフラッシュマイコンを提供する、その��1��としてボディ�U(ku┛)御��RH850をリリースした。 [→��きを読む]
45nm以下のプロセスの比率が最も高いファウンドリはGlobalFoundriesであることが、��(sh━)�x場調�h会社のICインサイツ（Insights）の調べでわかった。ファウンドリ専門�j(lu┛)�}4社のうち、45nm以下のプロセスが��プロセスに��める比率はGFが2011�Q55%もあったのに�瓦靴董�TSMCは26%だった(表1)。 [→��きを読む]
欧�Δ�2�j(lu┛)半導���j(lu┛)�}がNFCの普及に��を入れている。セキュアなアプリケーションにはもってこいだからである。NXPセミコンダクターズはもともとソニーと�k緒にNFCの�Y��化を進めてきた経緯もありさまざまなNFCの応��に��を入れているが、インフィニオンテクノロジーズはセキュアチップに集中している。 [→��きを読む]
音楽を�eち歩くという発�[を最初に実現したのは、ソニーのウォークマンであることはよく��(m┬ng)られている。1979�Qに登場して、あっという間に世�cを席巻した。好きな音楽を�eち歩き、イヤホンで聞く文化を定��させたという�T味でも、素晴らしい発��である。 [→��きを読む]
![マキシム、アナログの高集積化で成長を加�]](/assets_c/900px/120925-maximintegration.png "マキシム、アナログの高集積化で成長を加�]")
��(sh━)アナログ・ミクストシグナル半導���j(lu┛)�}のMaxim Integratedは、これまでのシステムソリューションプロバイダから�k歩先んじて、高集積という段階に踏み出した。同社は、社�@もこれまでのMaxim Integrated Products社から、Maxim Integratedに変��(g┛u)した。これは、����を売るだけではないというメッセージであり、戦�Sの�j(lu┛)きな変��(g┛u)になる。Apple ComputerがAppleに変えたことと同じだという。 [→��きを読む]
![���]����、半導��は�p�R�Y、FPDは販売�Yで��(f┫)�]��向に](/assets_c/900px/120925-equipmentbbratio.png "���]����、半導��は�p�R�Y、FPDは販売�Yで��(f┫)�]��向に")
SEAJ（日本半導�����]����協会）が発表した、8月の日本��半導�����]����とFPD���]����のB/Bレシオは、それぞれ0.74、1.57であった。半導��は2ヵ月�iに警告(参考�@料1)を出したように、要�R�Tから警��に変わっている。FPDは1.0を�j(lu┛)きく��えているが、要�R�Tである。 [→��きを読む]
先週は、シャープとインテルとの提携交渉、ルネサスエレクトロニクスへの国内ファンドと顧客企業からの出�@、というニュースが週��に相次いで報じられた。尖�V�o��問��で中国の��しいデモの��、パナソニックとキヤノンの工場が��撃(attack)されたというニュースは�L(zh┌ng)外にも伝わった(参考�@料1)。 [→��きを読む]
iPhone 5が発売され、発表に��く余韻、反�xが引き��いている感じ��(sh┫)である。アップルの株価も記�{的な�j(lu┛)��を突破した後の発売となり、�t日に中身のteardown解析による��(ch┘)要データがいくつか記��に表われて、スピード溢れる�t開に高揚感を覚えるところがある。直接�Tびつくかどうかはあるが、Globalfoundriesが、モバイル�x場拡�j(lu┛)に向けてFinFETベースで工夫を施した新14-nmプロセス�\術を発表、今後への期待感をもたせている。��性化材料とそれによる�T気発揚の空気拡�j(lu┛)を期待する1つの表われと感じている。 [→��きを読む]
通信��ハイエンドの10Gb/40Gbイーサネットスイッチ��のIC(図1)にもいろいろな数のI/Oを構成できるフレキシブルな考えが入り込んでいる。このほどブロードコム（Broadcom）社がリリースしたStrataXGS Trident IIシリーズは、��ハイエンド����ながらフレキシビリティのある半導��チップだ。ASICのように��定����しか使えないチップではない。 [→��きを読む]
プロセスノードが28nmになりfinFETが登場した�T果、��LSIの集積度は凄まじく�屬�った現在、ファンドリに深刻な問��が発�擇靴討い襦�finFETは3次元的な構�]を�W(w┌ng)��して集積度を�屬欧襪海箸�可�Δ�(図1、参考�@料1)。ファウンドリ問��を記述する�iにファブレス企業とファンドリの関係を筆�vなりに�D理し理解をしたのでそれを共�~しておこう。 [→��きを読む]
