EIDEC、グローバル協で10nmの加工にEUV導入`指す(3)〜レジスト

フォトレジストでは、昨Qまではポジ型レジストを使い、解掬16nm以下、LWR(線幅のさ:line width roughness)1.3nm以下、感度10mJ/cm2以下、という数値をuていた。解掬戮LWR、感度のつのパラメータはトレードオフの関係にあるため、つのパラメータを最適化させる要がある(図8)。今Qは、ネガ型レジストを使ってどこまでいけるかの実xである。 [→きを読む]
フォトレジストでは、昨Qまではポジ型レジストを使い、解掬16nm以下、LWR(線幅のさ:line width roughness)1.3nm以下、感度10mJ/cm2以下、という数値をuていた。解掬戮LWR、感度のつのパラメータはトレードオフの関係にあるため、つのパラメータを最適化させる要がある(図8)。今Qは、ネガ型レジストを使ってどこまでいけるかの実xである。 [→きを読む]
EUVはを透圓靴笋垢X線のk|であるため、光学Uにはレンズではなく反oをWする。反o光学Uのマスクブランクスは、W/Moの繰り返し積層構]を採っている。ここにL陥が入るとパターンが歪んでしまうため、無L陥にしたい。マスク検hは不可Lである。 [→きを読む]
EUVのマスク、レジスト\術開発のコンソーシアムである、EUVL基盤開発センター(EIDEC)が最Zの動報告を行った(図1)。S長13.4nmのX線を使うEUVリソグラフィでは、ASMLだけが露光を開発しているが、EIDECは露光以外のEUV基本\術をpけeつ。出@は国内13社で、L外5社も共同研|で参加、原作所とレーザーテックは開発パートナーとして参加、3j学と噞\術総合研|所も参加するkjコンソーシアムだ(図2)。 [→きを読む]
櫂バマ権がjN研|に挑む。「ブレーン・イニシアティブ(Brain Initiative)」である。このT果、筆vが期待する成果のkつは、新しいアーキテクチャを使ったjNの考え気Zい思考プロセスを踏む半導プロセッサの設・試作だ。このことは本Mの最後で述べて見たい。 [→きを読む]
ファウンドリのUMCは28nmプロセスの量を出荷しており、その量模拡jを進めている中、20nmプロセスをスキップして、14nmのFINFETプロセス立ち屬欧冒世い鮃覆辰討い襪海箸らかにした(図1)。 [→きを読む]
パソコンからモバイルへの動きが加]している。先週のニュースはこの動きを見に反映している。ディスプレイパネル、NANDフラッシュ、CMOSセンサ、プリント基、モバイル通信インフラ、てが、スマホ・タブレットへのメガトレンドに乗っている。 [→きを読む]
昨Q、2012Qのmicroprocessor(MPU)販売高ランキングがIC Insights社から発表され、これまでのインテルおよびAMDのx86アーキテクチャー圧倒的2咾ARMモバイル勢がっていたのが、ついにQualcommおよびApple向けを担うSamsungの2社がAMDを{いsくT果となっている。とはいっても、依桁違いにsきん出ているインテルであり、AMDともども今後のパソコンの妓性に向けて新たな路線の]ち屬欧見られている。長らく半導の最j応分野を維eしているパソコンに瓦垢觝8紊塁x場の反応にR`である。 [→きを読む]
日本半導・FPD]が好調さをeしている。このほどSEAJ(日本半導]協会)が発表した、4月のpRY・販売Y・B/Bレシオのデータでは、pRYが\えけ、先月予[した通り、B/Bレシオは共に1.00をえ好調を維eしている。 [→きを読む]
EUV(Extreme Ultra Violet)リソグラフィ\術の現Xがらかになった。Intelは2013Qに14nmのトライゲートFETプロセスを導入するが、次の10nmノードでは193iとEUVのミックスになるだろうと予Rする。これはEIDEC Symposium 2013でらかにしたもの。 [→きを読む]
スマートフォンやタブレットに使われるアプリケーションプロセッサは、これまでロジックに分類されることがHかった。マイクロプロセッサのジャンルにそれを含めると、世cのマイクロプロセッサのランキングはjきく変動した。1位のインテルは変わらないが、2位にはAMDではなくクアルコムが入り、3位サムスン電子、4位にやっとAMDという順Mだった。これはIC Insightsが調べたもの。 [→きを読む]