パワー半導、今Qはk転、プラス8%成長の125億ドルに

2012Qは8%(f┫)、2013Qも6%(f┫)とマイナス成長が2Q連いてきたパワートランジスタの販売Yが2014Qはk転して、8%成長とプラスに転じるもようだ。これはIC Insightsが発表したパワートランジスタの予Rである。 [→きを読む]
2012Qは8%(f┫)、2013Qも6%(f┫)とマイナス成長が2Q連いてきたパワートランジスタの販売Yが2014Qはk転して、8%成長とプラスに転じるもようだ。これはIC Insightsが発表したパワートランジスタの予Rである。 [→きを読む]
電気的には絶縁ながらX伝導率がCuの5倍と高いダイヤモンドウェーハを、英国のElement Six Technologies社が開発しているが、このほど直径4インチのGaN-on-Diamondウェーハを開発、発Xのj(lu┛)きな高周Sパワーデバイスに向くことを実証した。このウェーハは今(c│i)に販売するという。 [→きを読む]
6月11日D(sh┫)、ルネサスエレクトロニクスの子会社であるルネサスエスピードライバ(RSP)を、タッチセンサコントローラに(d┛ng)い(sh━)Synaptics社がA収するという記v会見が行なわれた。RSPはルネサスとシャープ、Powerchip Groupがそれぞれ55%、25%、20%を出@した]晶ドライバ会社。 [→きを読む]
半導業cの最Zの、あるいは気になるB項`3点について、現下に見られる動きにR`している。何といっても次世代のx場牽引役として出てくるInternet of Things(IoT)およびwearable electronics、半導]業靆腓稜箋僂留修いているIBM、そして次世代の450-mmウェーハを巡る半導、および材料Q社のDり組みである。いずれも半導x場の今後をj(lu┛)きく左する内容に入るものであるが、引きく動きの流れの中から、定期的にR`する動きのアップデートを行い、今vはこれら3点である。 [→きを読む]
アナログ・デバイセズは、14Qぶりにj(lu┛)きく仕様を変(g┛u)したDSPの2世代のBlackfin+コアを開発、それを搭載したプロセッサファミリーADSP-BF70x(図1)を発売した。この2世代Blackfin+シングルコアは、400MHzと比較的低]でさえ16ビットの積和演Q性Δ800 MMACS(Mega Multiply-Accumulate per Second)と高く消J電は95mWと低い。 [→きを読む]
IoT(Internet of Things)とは何か。ウェアラブルデバイス、M2M、ワイヤレスセンサネットワーク、Industrial InternetなどをD理してみた。2020Qに260億とも500億とも見積もられているIoTだが、ウェアラブルデバイスも含めてビデオを通して考察する。(動画あり)
[→きを読む]ノリタケカンパニーリミテドは、NEDOのмqをpけた「低炭素社会を実現する新材料パワー半導プロジェクト」において、ファインセラミックス\術研|組合のk^として、a(b┳)度サイクル試xに(d┛ng)いCuペーストを開発した。-40〜+250℃を1000vクリアしている。 [→きを読む]
(sh━)国時間6月10日からハワイで開かれる2014 Symposia on VLSI Technology and CircuitsでLEAP(低電圧デバイス\術研|組合)が3|類のメモリを発表する。FPGAのスイッチとして使う「原子‘扱織好ぅ奪船妊丱ぅ后廚STT-MRAMのk|「磁性変化デバイス」、PCRAMのk|「相変化デバイス」である。 [→きを読む]
久(sh┫)ぶりにDan Hutcheson(hu━)の講演を聞く機会にLまれた。彼はVLSI Research社の代表であり、半導業cの専門家および代弁vとして(m┬ng)られている。に]やプロセスの分析は、ピカイチといわれている人だ。筆vは林k(hu━)(日本データクエストの元j(lu┛)(chu┐ng)陝砲両匆陲20QほどiにHutcheson(hu━)に出会い、もちろんインタビューもさせていただき、さまざまな(j┤)唆に富んだ分析で(d┛ng)もさせていただいた。 [→きを読む]
コンピューティングの最j(lu┛)のt(j┤)会であるComputex Taipei 2014が6月3〜7日、で開かれ、先週の新聞L屬任呂海漣t(j┤)会で発表されたニュースが相次いだ。例えば5日の日本経済新聞はMediaTekのウェアラブル端開発キット、Acerの時型端、ITRIは眼(d┣)型端などをt(j┤)したと伝えている。 [→きを読む]