EUVリソが量に向け進歩、TSMCが1000/日、ギガフォトン140W

EUVが実に進歩している。湾のTSMCがASMLのNXE:3300B EUVリソグラフィを使って、1日に1000以屐∀光できたことを、オランダのASMLが発表した。また日本のギガフォトン(小松作所の100%子会社)は半導量レベルにZい140W、デューティ比50%で連運転を達成したと発表した。 [→きを読む]
EUVが実に進歩している。湾のTSMCがASMLのNXE:3300B EUVリソグラフィを使って、1日に1000以屐∀光できたことを、オランダのASMLが発表した。また日本のギガフォトン(小松作所の100%子会社)は半導量レベルにZい140W、デューティ比50%で連運転を達成したと発表した。 [→きを読む]
電磁cT合、磁c共鳴、キャパシタンスT合などでチップ同士やワイヤレス給電などの\術がこれまであったが、まさかと思えるクロストークT合によるワイヤレス\術が登場した(図1)。葼j学の田忠広教bが提案、ISSCC(International Solid-State Circuits Conference)2015でその~効性をらかにした。 [→きを読む]
16nm FinFETプロセスがいよいよFPGAを}始めに量が始まる。昨Q出荷されたIntelの新しいプロセッサ「Broadwell」にも14nm FinFETプロセスが使われたが、攵妌場がパイロット攵妌場であり、量妌場ではなかった。このほどXilinxが出荷する16nm FinFETプロセスのUltraScale+ファミリ(図1)が量チップといえそうだ。 [→きを読む]
半導デバイスの出荷量が2017Qには1兆個をえそうだ。このような予RをIC Insightsが発表した。1978Qの326億個が2017Qには1兆245億個に\加すると予Rしている。この39Q間での平均出荷数量は9.2%で成長していることになる。 [→きを読む]
日本半導]が相変わらず好調だ。日本半導]協会(SEAJ)によると、2015Q1月におけるpRYは3ヵ月の‘以振僂1205億9000万、販売Yは同956億9000万、B/Bレシオは同1.26となった。このところ半導]はW定に推,靴討い(図1)。 [→きを読む]
先週、jきなニュースが二つあった。kつは、Appleが電気O動Z(EV)を2020Qまでに攵を始めるというニュースであり、もうkつはj日本印刷がナノインプリントリソグラフィ\術の「型(テンプレート)」の量を2015Q中に開始するというもの。AppleのEV]は、Tesla MotorsのライバルになることをT味する。 [→きを読む]
アジアでは旧月、南櫃任魯ーニバルのこのタイミングではあるが、グローバル半導業cではR`する動きに絶え間ないところがある。まさにEWの_という表し気見られるが、盜颪練Rみのない半導メーカーがインドでのアナログfab設立に$1 billionの投@を発表、驚かせている。また、敏感な反応が湧いてくる動きとして、Samsungの先端を切る14-nm FinFETモバイル半導の量凮始、そしてQualcommはじめ反発が予[されるロイヤリティを下げる可性をwんだIEEEの策の変がある。 [→きを読む]
「FPGAをもっと身Zに使ってほしい」。こんな気eちで高級なFPGAをもっと使いやすい開発ツールの提供にAlteraとマクニカが共同でDり組んでいる。最j5万LUT(ルックアップテーブル)をeつAlteraのFPGAであるMAX10シリーズのユーザを拡jするため、Alteraは使いやすさを念頭にいた開発ツールDK-DEV-10M50-Aを3月から出荷する。 [→きを読む]
小さくてもv路の{加が~単にできて、しかも実C積が1.4mm角しかない。アプリケーションプロセッサやASICなど中核半導のコンパニオンチップとして使えば、スマホやタブレットなどにおいて、実基C積を\やさずに携帯デバイスの機Δ鮗{加できる。Lattice SemiconductorのiCE40 UltraLite(図1)は「ネジ釘」的に使えるロジックだ。 [→きを読む]
ナ星からの電Sが届かない屋内や地下にいても歩行vの位を検出する\術が開発されつつあるが、国土交通省が東B駅周辺でその実証実xを行った。間もなく、そのT果がo表される画である。 [→きを読む]