IntelとMicron、クロスポイント型不ァ発性メモリをサンプル出荷へ

IntelとMicron technologyは共同で、DRAMとNANDフラッシュをつなぐ新型メモリを開発した(図1)。3D XPoint(スリーディークロスポントと}ぶ)\術と@けたこの不ァ発性メモリは、ストレージクラスメモリである。NANDよりも3ケタ]く、DRAMよりも10倍高密度で、NANDよりも書き換えv数が1000倍Hいという。 [→きを読む]
IntelとMicron technologyは共同で、DRAMとNANDフラッシュをつなぐ新型メモリを開発した(図1)。3D XPoint(スリーディークロスポントと}ぶ)\術と@けたこの不ァ発性メモリは、ストレージクラスメモリである。NANDよりも3ケタ]く、DRAMよりも10倍高密度で、NANDよりも書き換えv数が1000倍Hいという。 [→きを読む]
今Q後半の半導x場はどう見ればよいのだろうか。半導メーカーの販売Yを集しているWSTS (世c半導x場統) の発表によれば、5月までの半導販売Yは25ヵ月連プラス成長である。そのk(sh┫)で、2週間ほどiには、x場調h会社のガートナーがQ初予[の5.4%\から2.2%\へと下(sh┫)Tした。kどちらの数C(j┤)を信じたらよいのだろうか。 [→きを読む]
Bluetooth LE (Low Energy)を使ったIoTやウェアラブル、スマートホームなどのx場が拡j(lu┛)すると期待されているが、ビーコンのでそのx場はk段と広がりそうだ。Bluetooth LEを使った電Sの発信機ビーコンは、屋内や地下莂覆匹琉検出に威を発ァするようになる。 [→きを読む]
半導業cは企業A収(M&A)が発になってきたが、その裏けとなる金Yデータを櫂▲螢哨Ε好灰奪張如璽襪砲△諫x場調h会社IC Insights が調h、発表した。そのT果、今Qi半のA収金Yは2010Qから2014QまでのQ平均金Yの6倍にも達するという。 [→きを読む]
Texas Instrumentsは世cトップのアナログICメーカーであるが(参考@料1)、IoT時代にはO社のuTなアナログとプログラマブルデジタルをますますかせる、と啜い琳e勢を見せる。このほど来日した同社アナログ靆腑轡縫▲丱ぅ好廛譽献妊鵐箸Stephen Anderson(図1)は、ワンストップショップの咾気鮗臘イ靴拭 [→きを読む]
スマートフォンビジネスがな変化を~げているが、スマホビジネスは調に推,靴討い襦Qualcommが社^15%の削(f┫)策を画しているという報Oが相次ぐk(sh┫)で、中国x場で小櫃Pびが鈍り、スマホトップのSamsungが世cx場でもZしんでいる。この中で日本のビジネスは好調、半導後工のディスコも好調な業績を発表した。 [→きを読む]
中国のTsinghua UnigroupがMicron TechnologyにA収勢をかけているP、ありuないとする見(sh┫)がj(lu┛)(sh┫)のなか、依くすぶりを見せている。M&Aの荒Sにこの春からj(lu┛)きくれるk(sh┫)、スマホそして中国x場の和感が日々色濃くなってきて、Q国半導業cから新たなフェーズの変を乗り越えるべく警感に満ちたメッセージが表わされている。f国、湾はやはり中国の動きへの反応であるが、世cの半導業cを引っ張る盜颪らは、Bとの連携をk層密にする的な会合の場を]ち屬欧董革新そしてx場における優位性、主導性をさらに高めるというDり組みが]ち出されている。 [→きを読む]
2015Q6月の日本半導]の販売Yにブレーキがかかった。pRYは7.4%落ちたが、販売Yが28%も下がった(図1)。B/Bレシオ(販売Yに瓦垢pRYの比)は1.18と峺したからと言って喜ぶ数C(j┤)ではない。販売Yの落がしいからだ。 [→きを読む]
直Z(2015Q1四半期)のスマートフォンアプリケーションプロセッサのx場シェアを英x場調h会社Strategy Analyticsが発表した。それによると1位は依としてQualcommだが、そのシェアを昨Q同期の55%から47%へと落とした。 [→きを読む]
実的ではない~機トランジスタでLSIを作るのではなく、Si CMOSLSIを使ったフレキシブルエレクトロニクスが実的になってきた。研|開発センターでさえ、実化を念頭にく。ベルギーのIMECとオランダの研|機関TNOが共同で設立した研|所Holst Centre (図1)がフレキシブルデバイスの実化を進めている。 [→きを読む]