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2016年12月

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グローバルM&Aに待った! 盜顱湾Bからの相次ぐ動き

グローバルM&Aに待った! 盜顱湾Bからの相次ぐ動き

依収まらないグローバル半導業cのM&A(企業のA収・合)の動きについて、れる世cのE経済情勢を背景とするCoの兆しをDり屬欧燭个りであるが、k}吸もなく独禁V、oD引など審hする盜颪よび湾B筋から待った!がかかって反瓦忙蠅覦賑Pがいている。いずれも中国が関わる内容であり、国家5ヶQ画に挙げて半導業cのO立&拡jに向けてグローバルなM&AにDり組む同国に瓦垢觀搦感がk層\幅してきている。Donald Trump次期盜饅j統襪湾の蔡英文(ツァイインウェン)総統と電B会iという来の殻を破る動きもあって、今後にますますR`となる。 [→きを読む]

WSTS、2016Qの世c半導x場は2.4%から横バイへと(sh┫)T

WSTS、2016Qの世c半導x場は2.4%から横バイへと(sh┫)T

2016Qの世c半導の成長率は、春のWSTS(世c半導x場統)の予R(2016Q5月の会議)では2.4%のマイナス成長だったが、11月に行われた会議では0.1%とほぼ横ばいへと、(sh┫)Tすることになった。直ZのメモリがDRAM、NANDフラッシュとも単価が屬り、売り屬欧蝋ツ瓦砲覆辰討たためとみられる。 [→きを読む]

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