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2018年6月

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半導]メーカー啜い領△肪羚颪療蟀@画あり

半導]メーカー啜い領△肪羚颪療蟀@画あり

先週は東BエレクトロンのQ報告があり、半導]メーカーの好調さが浮き彫りとなった。同社を含む半導・ディスプレイパネル]j}7社の設投@Yが4割\える見通しだ、と5月30日の日本経済新聞が報じた。k気如中国の光集団は今後10Qで1000億ドル(約11兆)を半導に投@することを6月1日の日経が伝えた。 [→きを読む]

動&況の中の中国x場の動き:ZTE、DRAM価格、連携、半導業c

動&況の中の中国x場の動き:ZTE、DRAM価格、連携、半導業c

歡、歟罎呂犬しく動く世cのE・経済情勢の中でく世c半導業cの況となっているが、とりわけ中国x場が絡む動きに`が`せないところがある。中国の通信機_j}、中興通訊(ZTE)へのU裁緩和は、歟翊名γCo交渉の_要懸案の1つであり歟譱気糧焼業cにインパクト要因となる。DRAM価格の峺については、中国Bが抑Uに乗り出している。中国のエレクトロニクス&半導x場での協業、提携がいくつか`についている。そして、O立化を図っている中国の半導業cの発なt開の動きが引きき見られており、そのアップデートである。 [→きを読む]

Intel、3D-Xpoint\術によるパーシステントメモリを提案、階層構成を見直し

Intel、3D-Xpoint\術によるパーシステントメモリを提案、階層構成を見直し

Intelは、データセンターのメモリとストレージの階層構]を見直すべき、新型メモリをサンプル出荷すると発表した。彼らは、CPUに最もZい層では来のDRAM、次に3D-XpointメモリをいたOptaneパーシステントメモリ(図1)、その次に3D-XpointメモリをいたSSD、そして3D-NANDのSSDという構成を提案した。サンプル出荷を始めたばかりのパーシステントメモリは、最j512Gバイトのメモリモジュール。 [→きを読む]

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