Micronの232層NANDフラッシュは1Tビットの高集積+2.4GB/sの高]化
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Micron Technologyがこれまで最Hのセル層数である232層の3D-NANDフラッシュメモリを開発(図1)、それを搭載したCrucialブランドのSSDのサンプル出荷を限定ユーザー向けに始めた(参考@料1)。量は2022Qになる見込みだ。232層と3ビット/セル\術でNANDフラッシュは1Tビットのチップと2Tバイトのパッケージ容量を実現できるという。 [→きを読む]
Micron Technologyがこれまで最Hのセル層数である232層の3D-NANDフラッシュメモリを開発(図1)、それを搭載したCrucialブランドのSSDのサンプル出荷を限定ユーザー向けに始めた(参考@料1)。量は2022Qになる見込みだ。232層と3ビット/セル\術でNANDフラッシュは1Tビットのチップと2Tバイトのパッケージ容量を実現できるという。 [→きを読む]
2022Q2四半期におけるSiウェーハ出荷C積がi四半期比0.68%\とほぼ横ばいの37億400万平汽ぅ鵐舛任△襪SEMIが発表した。SiウェーハC積は、厳密には歩里泙蠅忘されるCはあるが、それがほぼk定だとすると半導チップの数量を表す指Yとなっている。2021Q3四半期から37億平汽ぅ鵐i後で推,靴討い襦 [→きを読む]
SEAJ(日本半導]協会)が発表した2022Q6月の日本半導]は、iQ同月比14.1%\の2845億8400万となった。1Qiと比べるとプラス成長ではあるが、i月比では7.5%の少となった。毎月の半導]は2021Q12月を最後にSEMIがo表しなくなったため、SEAJの発表する数Cで景況ぶりを見ていくことにする。 [→きを読む]
毫x場調h会社のGartnerは、2022Qの半導デバイスx場はiQ比7.4%\の6392億ドルになりそうだと、下巨Tした(参考@料1)。WSTSが6月のx場予Rで、16.3%\と巨Tしたばかりだが、ここに来てブレーキがかかったようだ(参考@料2)。Gartnerは四半期iには今Qの半導x場は13.6%成長と予Rしていた(参考@料3)。 [→きを読む]
Z載半導がjきく変貌しようとしている。kつは、クルマのさまざまな機Δ鬟灰鵐團紂璽燭U御するのであるが、分gコンピュータであるECU(電子U御ユニット)があまりにも\えてしまったため、ECUや配線をD理しようという動きであり、もうkつは電動(EV)化である。機械からシリコンへ、という流れはに加]している。8月23日にオンラインで開するSPIフォーラム「Z未来のZ載半導」ではこの流れを解説する(図1)。 [→きを読む]
Infineonは7月マイコンセミナーを開、来のXMCマイコンに加え、A収したCypressのpSoC、それ以iの旧富士通UのFMシリーズマイコンを融合・拡張性をeつ新マイコンを開発していることをらかにした。てArm Cortex-MシリーズのCPUコアを△┐討い襪燭瓠比較的融合させやすく、3社の長を集積したものになりそうだ。 [→きを読む]
LTEや5G基地局向けの通信機_メーカーであるNokiaが独Oのシリコンチップを開発していることをすでに報じていたが(参考@料1)、独Oチップをさらに高集積化・微細化を進めることがらかになった。通信機_は_く20〜30kgもあるが、独Oチップを使うともっとj容量で、もっと軽くなる。独Oチップで通信機_を進化させることが同社の狙い。 [→きを読む]
半導噞は直Zではメモリの下落によるk時的な景気]が懸念されるが、中長期的には成長噞であることには変わりはない。東Bエレクトロンはの賞与を平均30万崟僂澆垢襪汎経が報じた。半導噞での人材確保はK烈を極めている。これまでA陽噞と喧伝されてきたことへの反動がようやく表れてきたからだ。 [→きを読む]
新型コロナウイルスによる感v数は金曜22日午後時点、世cで5億6787万人に達し、7日iの午後から748万人\、i週比55万人\と引きく\加である。我が国では、新たな国の感がこのところ垉邵箔Hを新、またもやk段の警&敢が求められている。盜餽馥發糧焼業cмqに向けた約$52 billionの連邦\金供給法案が、岷,曜19日呂64-34の投票が行われ、k陲療衂竺稜Г鮖弔靴覆らもやっとi進のX況がうかがえている。この間のk筋縄ではいかぬS乱含みの動き&進tを以下{っている。もう1つ、盜颪主導するf国、湾、および日本での‘Chip 4’同盟について、中国との挟みのf国のZ境があらわれている。 [→きを読む]
IBM Researchは、東BエレクトロンとパートナーシップをTび、櫂縫紂璽茵璽Δ離▲襯丱法爾砲いて共同で300mmウェーハ同士を接するための3D-ICスタック\術を開発したとブログでらかにした。3D-ICは、TSV(through silicon via)\術で2以屬離ΕА璽脇瓜里鮴橙して3次元的に集積する\術。薄いウェーハを容易にDり扱えるようにした。 [→きを読む]