【動画】新半導工場の現X〜ラピダス、JASMなど〜会^限定Free Webinar(3/16)

【要】2nmプロセスのファウンドリビジネスを`指すラピダス社の量妌場の場所がLOのh歳xにまりました。また、TSMCとソニー、デンソーとの合弁企業のJASMのy本工場も順調に建設が進んでいるようです。今の段階でわかるJ囲の半導新工場の情報をお伝えします。 [→きを読む]
【要】2nmプロセスのファウンドリビジネスを`指すラピダス社の量妌場の場所がLOのh歳xにまりました。また、TSMCとソニー、デンソーとの合弁企業のJASMのy本工場も順調に建設が進んでいるようです。今の段階でわかるJ囲の半導新工場の情報をお伝えします。 [→きを読む]
新型コロナウイルスによる感v数は土曜18日午i10時半時点、世cで6億7800万人に達し、1週間iの金曜10日午後2時に瓦渓143万人\である。刻刻のデータ{跡ソースもってきている模様であるが、なおRを要するところではある。 {Z平権でかつてない3期`に入った中国、最Kの関係]開を図って日fN会iに漕ぎけたf国、とそれぞれの現時点で半導関連のR`の動き&内容が相次いで見られている。中国では、ここぞと半導唸颪悗厘ホ瓩かかるk機盜颪糧焼輸出Uへの様々な棺茵⊃兇詆颪いいている。f国は、歟罎龍拘屬かれる中、我が国の半導材料など輸出Uが解かれ、盜颪U&}びかけへの官がR`されるk機SamsungがソウルZ郊の世c最j拠点画を]ち屬欧討い襦 [→きを読む]
2022Q4四半期におけるファウンドリの岼10社ビジネスでは、i四半期比4.7%の335.3億ドルだが、1位のTSMCは同1%の199.2億ドルにとどまった。TSMCはファウンドリではまずまずの業績だが、cを始め中国の業績がにKい。 [→きを読む]
半導工場の脱炭素化が求められるようになってきたが、ベルギーの研|開発会社であるimecは、リソグラフィとエッチング工における環境負荷を定量的にh価するシミュレーションを発表した。半導プロセスの環境h価によりCO2削への敢を]つことができる。まずはリソとエッチング工でEUVの優位性がされた。 [→きを読む]
ITMedia Virtual EXPO 2023 春が2023Q2月14日-3月17日に開された(参考@料1)。建設業と]業のデジタル総合tとして、その@の通りバーチャルt会である。この|のt会は、@料や動画がアーカイブになっていて、居ながらにして、いつでも聴できるので常にありがたい。本MではQブースを訪問し、AI&IoTに関する情報を収集して、僭越ながら筆vなりにその動向を分析したT果をまとめる。 [→きを読む]
半導噞がかつてないほどrり屬りを見せているが、問となっている人材育成に関して経済噞省から新しいプログラムを創設するという画が発表された。旧昭和電工は日立化成をA収してレゾナックと社@を改め、半導を念頭にいた人U度を刷新する。LOもラピダスмqの新組Eを作る。盜颪魯ぅ鵐匹犯焼で協するという覚書を交わした。 [→きを読む]
新型コロナウイルスによる感v数は金曜10日午後2時時点、世cで6億7657万人に達し、ほぼ1週間iから約84万人\、i週比11万人である。我が国では、この3月13日からマスクのを個人の判に委ねるB疑砲任△襦盜颪主導する動きが相次いでいるなか、圧をpける関係国において奔走する、あるいは翻uされるが見られている。半導輸出はじめ中国に瓦垢Uへの同調を求められるオランダ、f国、そして我が国。申官を始めたばかりで、的な要Pをめぐって確認のやりとりが見られる盜Chips Act。そして、盜颪Entity Listの企業を拡j、盜餞覿箸涙kj中国顧客が{加ということで、落ちかないに。いずれも関係Q社のビジネス、業への常にjきな影xが予[される内容である。 [→きを読む]
2022Qの世c半導x場と岼10社ランキングをx場調h会社のOmdiaが発表した。Gartnerと同様(参考@料1)、1位はSamsung、2位Intelだが、3位にはSK HynixをsいてQualcommが入った。また、5位にはMicronをsいてBroadcomが浮屬靴拭F鵑弔猟h機関の違いは何でまるのであろうか。 [→きを読む]
サーバーのDRAMが2023Q中にモバイルDRAMを記憶容量のビット数でえるという見込みをTrendForceが発表した。DRAMの総ビット出荷量は、サーバー向けが37.6%になるのに瓦靴謄皀丱ぅ觚けは36.8%に里泙襪藩女[した。つまりこれまで、DRAMのビット出荷量をけん引していたモバイル向けがとって代わられることになる。 [→きを読む]
2023Q2月に最もよく読まれた記は、「GaNの常識を戮1200Vの\術でEVx場を狙うパワー半導ベンチャー」であった。GaNは650Vまで、SiCは1200V以屬皺帖△箸いΔ海譴泙任両鐚韻戮GaN HEMT構]を見直したT果、横型HEMTでも1200V、20A度のパワートランジスタを作れることを実証した。ソニー出身のエンジニアが設立したGaNのベンチャー「パウデック」を紹介した記だ。GaNでもe型にすれば1200Vは可Δ世噺世錣譴討い襪、作りやすくW価な可性のある横型で高耐圧を実現した。 [→きを読む]