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2023年5月

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東半導靆腓離僖錙屡焼の300mmプロセスラインにMQがある理y

東半導靆腓離僖錙屡焼の300mmプロセスラインにMQがある理y

東の半導靆腓任△訶贄デバイス&ストレージ社がパワー半導工場である加賀東エレクトロニクスに300mmウェーハプロセスラインを設ける理yがらかになった。加賀東は2023Q4月に300mm官のパワー半導新]棟の工式を行い、2024Q度内でのn働を予定しているが、地味なパワー半導は供給埔蠅砲覆蕕覆い世蹐Δ。 [→きを読む]

收AIがデータセンター要を新たに擇濬个稿阿が見えた

收AIがデータセンター要を新たに擇濬个稿阿が見えた

收AIへの応を見込んだ半導要がR`されている。收AIにはNvidiaのGPU(グラフィックスプロセッサ)が数h個使われていると言われ、收AIがデータセンター要を新たにけん引しそうだ。NvidiaのQ(2023Q2〜4月期)発表でiQ同期比13%だったのにもかかわらず、株価が峺しけた。ソニーのy本での新地Duをはじめ早くも不況脱出後の△始まった。 [→きを読む]

Uに眼^、中国のMicron販売U限措:盜半導への動き

Uに眼^、中国のMicron販売U限措:盜半導への動き

盜颪涼羚颪瓦垢詒焼Uに、中国からのk石である。ネットワークセキュリティの審hで不合格として、盜颪離瓮皀衄焼メーカー、Micron Technologyのk陲について主要なインフラプロジェクトに携わる中国企業への販売を禁Vするとしている。欧Δ箍罎国などとB並みを揃える盜颪U啣修眼^する動きとみられるが、インパクトの度合いを見据えた今後の推 ∩気霊~け引きにR`するところである。AppleとBroadcomの5G調達契約、そしてApplied Materialsのシリコンバレー研|拠点建設と、盜の半導の啣膿覆妨けた動きが並行して見られている。中国では、盜Uで課をQえる中、眼^してi進を図る動きがあらわされるk機盜餬Q社にはCo化への辟易感もあらわれている見え気ある。 [→きを読む]

レゾナックがOらコンソーシアムを組E化する理yとは

レゾナックがOらコンソーシアムを組E化する理yとは

旧昭和電工と旧日立化成工業が合し、半導にを入れる化学材料メーカー、レゾナックは、これまでの合Sとはく異なる成長戦Sを掲げている。それは仲間と}を組もうというエコシステム「Joint2」を構成している点だ。その中心にいてまとめ役としてレゾナックがある。同じような化学材料メーカーとのコラボは、\術情報がれるのではないかと心配する向きはある。それでもレゾナックは発tするだろう。なぜか。 [→きを読む]

岸田相とL外半導7社経営陣とのBは日本への誘致

岸田相とL外半導7社経営陣とのBは日本への誘致

5月19日からのG7サミットをiに岸田文d相は18日、L外の半導メーカー7社を相官Qに集め、日本への投@を}びかけた。7社とは、湾TSMC、Intel、Micron Technology、f国Samsung Electronics、Applied Materials、IBM、ベルギーimecのN陣だ。19日(盜饂間18日)にはAMATが23Q度2四半期(2〜4月期)のQを報告、ルネサスは2023Qの成長戦Sを発表した。 [→きを読む]

G7広サミットに合わせた半導関連:汨fj}相C会、監投@発表

G7広サミットに合わせた半導関連:汨fj}相C会、監投@発表

世cQ国・地域の経済W保障に向けた半導サプライチェーンの顕蹴諒櫃主要議の1つに挙げられて、このほど開の主要7カ国N会議、G7広サミットの直iに、汨fの半導j}トップが岸田相とC会、T見交換を行っている。日本での業t開について、相Oら日本への投@を}びかけるとともに、日本Bのмqへの期待があらわされたものと思われる。いて、参加Q社から、それぞれに我が国での動そして投@の画があらわされている。サミットならではのk堂に会した今vの場の今後のt開にR`するところである。ChatGPTはじめ收人工(AI)のを巡っては、G7広サミットでも討議が行われ、ルールに向けた見解をQ内にまとめるとされている。ChatGPTを巡るDり組み、動きは、依世c的に発に引きいている。 [→きを読む]

世c半導x場、まだfから脱却できないが、後半にはv復へ

世c半導x場、まだfから脱却できないが、後半にはv復へ

WSTS(世c半導x場統)の3月の単月次の半導販売Yが発表された。これによるとiQ同月比で20%の438.8億ドルと依として厳しいXにある。常に3カ月の‘以振冀佑派集修靴討いSIA(半導工業会)は最Z、3カ月の‘以振僂3月がプラスだと報じたが、例Q3月はi月よりプラスなので、景気が峺いたわけではないことにRTする要がある。 [→きを読む]

未来Z載コンピュータ向けLPDDRのNORフラッシュ、Infineonがサンプル出荷

未来Z載コンピュータ向けLPDDRのNORフラッシュ、Infineonがサンプル出荷

クロックの立ち屬りとT下でトリガーをかけるLPDDR(Low Power Double Data Rate)\術は、これまでDRAMの高]化\術であった。これを高]アクセスに使ったNORフラッシュメモリをInfineon Technologiesが開発、サンプル出荷を開始した。狙いはZ載コンピュータのリアルタイム動作である。LPDDR4のDRAMと比べ読み出しアクセス時間が10nsと5倍]いという。 [→きを読む]

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