ラピダスの進�t、社�^200�@確保、高圧ガスは�L�嵳∩�へ
半導���噞は��々と進んでいる。ラピダスの進�t�X況について、9月8日の日経�噞新聞が報じている。9月1日に���L�O�h歳�xで��工式を行ったときに日経が�D材して報じたもの。また、半導���噞に�Lかせない�\術�vをはじめとする人材の�啣什�について福�K県が�疑砲��]ち出し、���L�Oでも議�bが始まっている。 [→��きを読む]
2023年9月
7月半導��販売高、5ヶ月連���爐�に�\；Huaweiスマホ5G半導��を巡る�k�S乱
�盜顱�Semiconductor Industry Association(SIA)より月次世�c半導��販売高の発表が行われ、この7月について$43.2 billion、�i月比2.3%�\、�i�Q同月比11.8%��である。��常に小幅ながら3月から5ヶ月連��で�i月比�\加となっている�k�機��i�Q同月比ではまだ二桁%��ながらこれでも20%�i後から縮めた�T果となっている。世�c経済が低迷基調からなかなか脱せない中、人工����(AI)半導��など好材料をもとに�v復タイミングを探る�x場�X況が��いている。次に、中国・Huaweiの新型スマホ、Mate 60 Proに搭載の中国・SMIC��5G半導��についてのteardownレポートから、先端の�靂爐�7-nmプロセス��と��らかにされて、�盜��笋�ら調�hする動き、あるいはさらに輸出���Uを厳しく求める動きといった�k�S乱が見られている。 [→��きを読む]
新半導��会社が誕��、光半導��やフォトニクスをパッケージングまで���]
![新半導��会社が誕��、光半導��やフォトニクスをパッケージングまで���]](/assets_c/900px/230908--nttinnovative-devices.png "新半導��会社が誕��、光半導��やフォトニクスをパッケージングまで���]")
日本にもまた�kつ、半導��企業が誕�擇靴拭�NTTエレクトロニクスを吸収合��したNTTイノベーティブデバイスである。NTTは通信からコンピューティングへと��業�覦茲鮃�げ、その�\術となる光半導��を設��・���]する会社としてイノベーティブデバイスを設立した。NTTの��田��社長が昨�Q��に述べていた「半導��企業の協��なしにIOWNを実現できない」という言��を実行に�，靴燭發�。 [→��きを読む]
IntelがTowerと新提携、微細化ノードからパワー/アナログノードまで揃う
IntelがTower Semiconductorを�A収するという�Bは中国当局の��可が�uられず破�iとなったが、逆にIntelとTower両社の間で相互にファウンドリ同士での�Tび��けを�咾瓩鞫T果となった。Intelは最先端の微細化工場を運営しており、Towerは65nm以�屬離僖錙爾筌▲淵蹈鞍焼���を�攵�してきた。両社の関係�啣修凌靴燭閉鷏箸聾楜劼縫錺鵐好肇奪廚任離機璽咼皇鷆，砲弔覆�る。 [→��きを読む]
��5�vRD20 (1)：提言から実行に�，鴻Qが始まった
��5�vRD20（Research and Development for clean energy technologies）の開��日時と開��地が��まった。2023�Q10月3〜6日、福��県郡�處xの「ホテルハマツ」で開��される。RD20は、G20が開かれた2019�Qに始まり、カーボンニュートラルに向けた研�|�v同士のディスカッションの場を設けようという�貉櫃濃呂泙辰�。5�v�`となる今�Qは、国際連携の�啣修塙{�}研�|�v育成という新しい試みが始まる。��5�vRD20の����局長である�噞�\術総合研�|所ゼロエミッション国際共同研�|センター（GZR）の統括研�|主��である吉澤徳子��（図1）にRD20 2023の��長や狙いを聞いた。 [→��きを読む]
Samsung、32Gビット DRAM開発で、実�∨，�12nm級と表現
Samsung Electronicsが12nm級の微細化�\術を使って32GビットDDR5 DRAMを開発した。実�∨，�12nmという表現を半導��メーカーがしたことはこれが初めて。これまでメモリメーカーは20nm以下のプロセスを1x nm、1y nm、1z nm、1α nm、1β nm、1γ nm、と1〜2nmずつ刻んできた。ロジックメーカーは、14/16nmプロセスから10nm、7nm、5nm、4nm、3nmと�}んできたが、実�∨，�14〜13nmで�Vまったままだ。 [→��きを読む]
半導��や蓄電池など成長�噞への税�U優遇が可�Δ�
ようやく半導��や蓄電池などの成長�噞メーカーへの税�U優遇が達成できそうになってきた。これまで世�cでは工場誘致での税�U優遇策を講じてきていたが、日本では税�U優遇がなく他国へ流れたケースが�Hかった。半導��投�@にも��みがつきそうだ。蓄電池も電気�O動�Zだけではなく再�擴��Ε┘優襯�ーにも�~効で、日本での�Dり組みを加�]させる。 [→��きを読む]
�盜駭��B高官訪中3�v�`の会�i、現下の�C�o�M��および�Q国半導�����]�啣�
![�盜駭��B高官訪中3�v�`の会�i、現下の�C�o�M��および�Q国半導�����]�啣�](/assets_c/900px/230904-pickup744.png "�盜駭��B高官訪中3�v�`の会�i、現下の�C�o�M��および�Q国半導�����]�啣�")
�盜駭��Bのレモンド商��長官が8月27日から訪中、中国�笋伐驟iを�_ねて、半導��はじめ�o問���]開に向けた協議��の設��、定期的な協議合�Tなどの動きが見られている。�盜颪�ら中国に問いかける形で、本�Q6月中旬のブリンケン国��長官、7月�崕椶離ぅ┘譽鷓���長官に��く、3�v�`の訪中&会�iである。国内経済が落ち込んでいる中国からは、����的な反応&動きには至らず、引き��きの�R�`である。通商�C�oについては、�盜馥發廼ο妥泙里気蕕覆��潅翔佑��屬欧�見られる�k��、NvidiaおよびAMDのAI半導��の中東の�k�陲旅顱垢悗陵⊇����Uの動きが見え隠れしている現時点である。この�C�o下の�Q国半導�����]�啣修任�、TSMCのドイツでの���\金にGlobalFoundriesが反�瓦垢詢�場が��されるなど、現下の動きを�Dり出している。 [→��きを読む]
パワーデバイスの真のスイッチング��性を�uる�R定�_をKeysightがデモ
ガレージ実�x室から始まったHewlett-Packard社をルーツに�eつKeysight TechnologyがSiCやGaNなど高�]パワーデバイスのダイナミック��性を�Rる���R�_「PD1550A」（図1）をKeysight World 2023で�t��した。もともと高周�S�R定機に�咾�Keysightが、パワー半導��の�R定にもその�咾澆鯣�ｧする。��にSiCのスイッチング動作に�椶泙気譴討�たエンジニアには福音となる。 [→��きを読む]
2.5D/3D-ICや先端半導��には3Dシミュレーションが不可�Lに
シミュレーション�\術はかつてCAE（Computer Aided Engineering）と�}ばれ、機械や�O動�Zなど3次元構�]の�`的�颪謀���されることが�Hかった。電子�v路では電子の動き（電流）が�`に見えずシミュレーションは�霾�的にしか使われてこなかった。しかし、3次元ICや先端パッケージなど3次元構�]になるにつれシミュレーションは半導���\術と�Zづいてきた。シミュレーション企業Ansysは、「2023 R2」をリリース、3D-ICなど充実させてきた。 [→��きを読む]
