AIチップセットとして使われるHBM3EのDRAMの化相次ぐ

Micron、Samsungが3D-IC\術を使ったDRAMメモリであるHBM3Eを相次いで化した(図1)。HBMメモリはj容量のメモリをk度にj量に並`読み出しできるデバイスであり、AIチップやSoCプロセッサとk緒に使われる。SK hynixがこれまでHBM1や2、3のメモリにを入れてきたが、コストがかかるため他社はあまりを入れてこなかった。 [→きを読む]
Micron、Samsungが3D-IC\術を使ったDRAMメモリであるHBM3Eを相次いで化した(図1)。HBMメモリはj容量のメモリをk度にj量に並`読み出しできるデバイスであり、AIチップやSoCプロセッサとk緒に使われる。SK hynixがこれまでHBM1や2、3のメモリにを入れてきたが、コストがかかるため他社はあまりを入れてこなかった。 [→きを読む]
Q社のQ発表から世cの半導企業ランキングを見積もると、1位はTSMC、2位Nvidia、3位Intel、4位Samsung、5位QualcommというT果になった。これらの数Cは、主としてQ社のQ発表をしたものだが、x場調h会社はTSMCを入れないところがHい。しかし、Q社合で半導x場模を求めるのではなく、単なるランキングを求める`的であるからここではTSMCを含めている。 [→きを読む]
先週は半導にとってjきな出来が3Pきた。kつは、Nvidiaの2024Q度4四半期(2023Q11月〜24Q1月期)のQ発表があり、Intelをsいて世c半導のトップに躍り出たこと、二つ`はIntelがイベントを開、AI時代のシステムファウンドリになるとx言したこと、つ`はTSMCがy本県陽町に建設を終えたJASM(Fab23)が完成し、開所式を行ったことだ。 [→きを読む]
Nvidiaの業績発表、そしてTSMCのy本工場開所式の直iのタイミングであるが、2月21日水曜日にインテルが再建戦Sの_要要素に掲げるファウンドリー業のイベント、IFS Direct Connectの1vがサンノゼで開されている。盜駭BのCHIPS法による\金У襪瞭阿がこのタイミングでさらにあらわされるとともに、インテルのファウンドリー業の推進戦SおよびQ社との連携があらわされている。先行するTSMCへのcatch upを図るDり組みが進められるk機⊃郵(AI)半導のpm]を行っていくとしている。Nvidiaの直Z四半期業績は、盜顱欧Δ修靴堂罎国に株価史嶌嚢眞佑Sを引きこし、先行きのXし加にk層R`が集まる現時点である。 [→きを読む]
半導や]、材料などての工場でのデジタル化を推進するための統合ソフトウエアSiemens Xceleratorをバッテリ工場に適した例をSiemensがらかにした。かつての3D-CADソフトは今や半導の世c、に先端パッケージではLかせないT在となりつつある。Siemensだけではなく、仏Dassault SystemesやPTCなども半導噞にやってきている。 [→きを読む]
モバイル通信の新しい格6G(6世代のモバイル通信格)のディスカッションが3GPP(3rd Generation Partnership Project)で始まった。3GPPは欧Δ鮹羶瓦縫皀丱ぅ訥命のY格をめる団。基本的には5Gの長としての通信となるが、Wする周S数帯をはじめとする無線\術RAN(Radio Access Network)と、SA(System Aspect)からWシーンの議bが始まっている。高周SR定_がuTなKeysight Technologyも積極的に参加している。 [→きを読む]
2024Qの世cの半導x場は、2023Q4四半期の実績から2024Q1四半期の見通しはかなりるくなりそうだ。SEMIがx場調h会社のTechInsightsとパートナーシップを組んで調hしたSemiconductor Manufacturing Monitorは、電子機_の販売Y、IC販売Yから工場n働率の峺向を予[している。 [→きを読む]
再び設投@、研|投@が発になってきた。キオクシアがWestern Digitalと共同で運営するフラッシュメモリ工場の設投@に7290億を投じると発表した。福K県でも半導研|に2億8300万を予Q化し、レゾナックは半導・電子材料にRすることをx言した。日本策投@銀行も1500億を集中投@する。ソニーの2023Q10〜12月期Qが報告され、半導靆腓21%成長をした。 [→きを読む]
AI(人工)要\jを巡る様々な切り口の発な動きがいている。AI半導について見ると、現X席巻しているNvidiaが新たなカスタムAI半導靆腓鬚弔る画が報じられている。ChatGPTで瑤蕕譴OpenAIのCEO、Sam Altmanは、新しいAI半導プロジェクトに$7 trillionの気發覆か@金が要と、業cの景茲鰤k新するDり組みである。そして、HBM3メモリで先行するSK HynixとTSMCが連携、AI向けHBM4の共同攵にもっていく動きで、Samsungへの眼^軸とも見られている。他にも、ソニーのAIデータj量保Tなど関連するDり組みなど並行して随所にあらわれくる現時点である。 AI関連の新たな機]ち屬欧涙k気如Uを図る動きも見られている。 [→きを読む]
Si基屬Ge層を]時間でW価に作する桔,鯏賤離▲襯潺縫Ε爐開発した。Ge層の厚さをOyに変えられるだけではなく、ストイキオメトリ(化学組成)もU御できる。今のところ高価なGaAsU半導向けの基としてのOを提案している。W価な陵枦澱咾Siフォトニクス、スピントロニクスなどの基材料への応を狙っている。 [→きを読む]