グランプリは、「SiCパワーデバイス」で��菱電機が�p賞、��グランプリは「セキュリティプロセッサ」の富士通マイクロエレクトロニクスと富士通LSIソリューションが�p賞した。加えて、優秀賞は3社が�p賞。それぞれ、��低消�J電��の16ビットマイコンMSP430F5シリーズの日本テキサス・インスツルメンツ、��外線LEDのナイトライド・セミコンダクター、10Mspsの16ビットA-Dコンバータのアナログ・デバイセズに��まった。

�p賞企業たち　左からアナデバ、富士通グループ、��菱、日本TI、ナイトライド

��考委�^長である九���j学の�W浦寛人教�bによると、今�Qのキーワードはグリーンだという。いかに消�J電��を下げるかという��点で��んだとしている。エネルギー問��を解��しようとするとパワー半導��やLED、�陵枦澱咾覆匹糧焼���も含ませる��要がある。となるとLSIだけに限らない�気�よい、という議�bがあったようだ。このことは、トランジスタを�H数集積したLSIだけの世�cから、半導��デバイスがさまざまな分野へと広がっていることを表している。

半導��の価値はかつてムーアの法�Г砲△訥未蝓�1チップ�屬鵬晋弔離肇薀鵐献好燭�載せられるかを��い合い、さまざまな集積�v路を考案し、�Q率2倍というスピードでICの集積度は�\していった。ムーアの法�Г�1つのシリコン�屬縫肇薀鵐献好燭魏晋頂椶擦鴇γ�化できるか、という争いだった。だから、とてつもない勢いで集積度が高まり、半導��＝LSIというような図式が出来�屬�った。

ところが、集積度が�屬�りすぎると複雑になりすぎプロセスも設��も複雑すぎて集積度向�屬離好圈璽匹�なまってきた。1965�Q当時の�Q率2倍（12カ月で2倍）から、18〜24カ月で2倍というスピードに、ムーアの法�Г鯆蟇Iし直した。最�Zになり、集積度向�崋膠Iへの疑問が投げかけられた。消�J電��が�\えすぎてしまったからである。デュアルコア設��にする直�iのインテルのペンティアムチップは電��密度では原子炉に匹�發垢襪箸泙埜世錣譴拭�

システムLSIやマイコンなどプログラマブルデバイスでは、ソフトウエアの量が膨�jになり、少しでも軽いプログラミング、コード効率の高いマイコンの開発へと、少ないソフトウエアで同じ機�Δ鮗存修垢襦△箸い��妓�も出てきた。同様にハード的にもできるだけ少ないトランジスタ数で同じ機�Δ鮗存修垢襪箸いζ阿�も出てきた。いずれもムーアの法�Г鉾燭垢詁阿�だ。こういった動きを称して、「ムーアの法�Г呂發呂篁�代��れ」というブログを2�Q�iの2007�Q10月9日に書いた。当時は違和感を�eつ読�vもおられただろう。しかし、今では誰もが口にするようになり、ちっとも珍しいことではない。

集積度の�jきなLSIよりも半導��と総称する�気�時代に合っている。だから半導��・オブ・ザ・イヤーと�@称を変えたのは極めて理にかなっている。しかも�T晶シリコンだけではなく、化合�馮焼���であるLEDや、�H�T晶やアモルファスシリコン半導��を使った�陵枦澱咫��Wいことだけを主眼にしたフォトダイオード）も半導��の仲間である。

今�vの�p賞�vの顔ぶれを見ると、純粋なデジタルLSIといえるのは富士通のセキュリティプロセッサICしかない。A-D/D-Aコンバータを内�鼎靴�TIのマイコンはミクストシグナルと言ってもいいくらいアナログ�霾�を含む。アナデバのA-Dコンバータはもちろんアナログであり、��菱のSiCショットキーダイオードとMOSFETは立派なアナログ半導��である。ナイトライドのUV-LEDも使い�気魯▲淵蹈亜�ムーアの法�Г砲圓辰燭蟾腓辰織妊献織�LSIは富士通のチップだけというのが、今�vの��徴だった。

つまり、時代は集積度�k辺倒の半導��ではなくなったということであり、ムーアの法�Г呂海海任��p賞の����にならないことがはっきりした。