繰り返しになるが、この新型メモリ3D Xpointは、NANDよりも1000倍�]く、1000倍書き換え可�Δ如�DRAMよりも10倍高集積が可�Δ箸いνイ譽皀痢�

コンピュータシステムでは、プロセッサが未�^な時代はプロセッサアーキテクチャがシステムの�ξ�を��めた。成�^してくるとプロセッサシステムを変えなくても、メモリを高�]にするだけでシステムの演�Q�ξ�は高まる。プロセッサのクロック周�S数を�屬欧襪海箸蓮⊂嫡J電��を��容できなくなるほど�\加するため、もはやできない。その代わりCPUコアを並�`動作させるマルチコアによって消�J電��を�屬欧困棒��Δ��屬欧討�た。ただし、ソフトウエアへの負担が�j(lu┛)きくなるため、現在はメモリを�\やすことで、CPUとのアクセスを�\やし実効的な演�Q�]度を�屬欧襪茲Δ砲覆辰討い襦�

ところが現在のコンピュータシステムでは、DRAMとストレージのNANDフラッシュとの間の�]度差が1000倍くらいもあるため、その差を�mめるための「ストレージクラスメモリ」が望まれている。この新型メモリはストレージクラスメモリを狙う。

Intel/Micronグループの新型メモリは、クロスポイントアレイ構�]を�eち、スイッチ�陲肇瓮皀螢札��陲�直�`に�_なっている。このスイッチ��(図1のオレンジ色�霾�)とセル��(図1のグリーン�霾�)がどのような構�]なのか、両社とも��らかにしていない。ただし、両社が言っていることは、「独�Oの材料」を使っていること、トランジスタではないこと、である。クロスポイント構�]なので、高い電圧で書込み/消去を行い、低い電圧で読み出すことになるだろうと�[�気任�る。

図1　Intel/Micronが開発した新型メモリ3D Xpoint　出�Z：Intel、Micron Technology

彼らが��を入れたのは、集積化できること、スイッチとメモリセルを�eつことであった。そのために「独�Oの材料」を開発したという。この材料開発と、これまでの20nmリソグラフィ�\術、3次元化の3D-NAND�\術を�~使して、今�vの128Gビット・クロスポイントメモリを開発したようだ。

肝心のメモリセルは、うわさされていたようなReRAMやSTT-MRAMなどではなさそうだ。というのは、さらに��(j┤ng)来のメモリ�\術として、�B�^型メモリ（ReRAM）とスピントルクメモリ（STT-MRAM）を�t���\術に�屬欧討い燭海箸�わかったからだ。少なくとも今�vはこの二つのメモリではないだろう。

両社は、2016�QにSSDに搭載されると見ている。Intelはこのメモリ�\術をOptane�\術と�}んでいる。