図1　世�c半導��メモリ販売�Yの推�　�2021�QはWSTSの予�R　出�Z：WSTSの数�C(j┤)からセミコンポータルがグラフ化

2017�Qと2018�Qのメモリバブルの時にメモリの販売�Yは�j(lu┛)きく�Pび、その反動が2019�Qにやってきて、落ち込んだが、それでも以�iの6%成長時代から�k歩�屬�った�X��が��いている。�k段と�屬�った要因は��つあると考えている。�kつは64ビットシステムの定��である。32ビットコンピュータだとメモリを最�j(lu┛)4GBしかアドレスできない（2の32乗が4G）。64ビットだと2の64乗となり、ほぼ無�U(ku┛)限に使える�X��になっている。二つ�`はAIの普及だ。AIはニューラルネットワークを使って、MAC演�Q＋メモリをセットにしたデータフロー型のコンピュータである。�j(lu┛)きなAIモデルになればなるほどメモリを�j(lu┛)量に使う。そして��つ�`は、HDD（ハードドライブ）に代わる�w��ストレージのPCでの定��である。

筆�vは17�Qほど�iに新しい半導��雑誌を発行する際のマーケティング��動の�k環で、旧DRAM設���vの�Bを聞いていた時に「メモリは今でも日本が�咾��u�Tな分野だ。DRAMを捨て、システムLSIに走ったのは間違いだった」と言われた。確かにシステムLSIとは何かを定�Iしないまま、日本の半導���噞����の舵をその��(sh┫)向へ切り��えた。要はメモリ以外の高集積ICをシステムLSIと定�Iしていた。中には、単なるディスプレイドライバをシステムLSIと言った�j(lu┛)�}半導��メーカーのトップもいた。システムLSIを理解せずに�j(lu┛)�}半導��企業を運営していたのである。これではうまくいくはずがない。どこに��を入れ投�@すべきががわからないからだ。

DRAMは�f国の�Wさに負けたと1995�Qころに�j(lu┛)�}半導��メーカー���Nは述べており、すぐにMicronも同様の価格のDRAMを発表した時にメディアは「���`が来た」と表現し日本の半導��業�cは蜂の巣をつついた�@ぎになった。Micronはその10�Q�iの1984�Qころから周到な���△鮖呂瓩討�り、パソコン向けの�WいDRAMを低コストで作るための設���\術とプロセス�\術の両��(sh┫)を磨いていた。コンピュータはダウンサイジングというトレンドの中にあり、その当時は高級なメインフレームコンピュータから、ミニコンやオフコン、EWS（エンジニアリングワークステーション）を経ていずれパソコンになる、とMicronは読んだ。このために低コストで作る���△鬚靴討�ていたのだ。しかもその�\術をSamsungにライセンス供与した。

日本がDRAMを�Vめた�`因の�kつは、なぜ�WいDRAMが��要なのかを分析せずに人�P�Jの�Wい国で作るから�Wい、と�M�}に判��していた。しかしDRAM���]における人�P�Jの割合は、ある分析によると5~8%しかなく、どこで作ろうとほとんど変わらない。

MicronはDRAMを低コストで作るために、設��からプロセス����に渡って見直した。メモリセルを無�Gなくシリコンに詰め込むためのレイアウト設��や、微細化、そして工��の�]縮化（マスク��数の削��(f┫)）にメスを入れた。今やどのDRAMメーカーも同様な考えになったが、Micronのチップを見て���]に�咾て�本のエンジニアはマスク��数の削��(f┫)ばかりに�`を奪われた。

今ではメモリはほとんどがDRAMとNANDフラッシュになっている。しかし、DRAMはCPUと絶えずやり�Dりするメインメモリであり、NANDフラッシュはデータを保�Tしておくストレージであり、役割が��く違う。DRAMはわずか3社（Samsung、SK Hynix、Micron）が�x場の95%を��配する寡��化が進んでおり、��争する健��なビジネスではない。NANDフラッシュは�岼�5社（Samsung、キオクシア、Western Digital、Micron、SK Hynix）による��争が行われている�噞であり、ここに中国のYMTCが参加している。

これからのメモリの発�t��(sh┫)向を見ると、日本でもDRAM工場が可�Δ�もしれないと思える。現実に、��湾の南亜科�\（Nanya Technology）は、今�Q後半にEUVによる10nmプロセスを使ったDRAM新工場の建設を始め、24�Qの�n働を�`指す��画を発表した。300mmウェーハで月��4万5000��の�攵��ξ�を�eつ。日本はどうするのか。今、半導��には�{い風が吹いている。

これからのメモリの行��(sh┫)をみんなで議�bする場が、SPIフォーラム「これからのメモリを考える〜NANDフラッシュ、DRAM、NVMは？」である。メモリ�x場やそのシステムを語る南川����と�j(lu┛)�兪���に加え、FinFETに変わる次のGAA（Gate All Around）に�瑤�SGT（Surrounding Gate Transistor）を使った新型メモリも登場する。ウェビナー形式だが、��発なQ&A、議�bができるようにしている。