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半導]でも日本勢は負け出していないか?

半導噞は、グローバルな模では2桁成長の勢いで、フィラデルフィア半導指数も16Q半ぶりに1000を突破し、史嶌嚢發魑{しそうな勢いである。日本の半導]メーカーの株価も10数Qぶりの高値をけ、Q社ともL外からのpR\で空iの好況に{いており、経営陣は笑いがVまらないX況だ。

そのような中、最Z、f国のメディア(参考@料1)が、「SEMES(f国最jの半導・FPD]メーカー)が世cで初めて先端微細半導量の画期的な]を商化した」と報じた。けて「Applied Materials、Lam Research、東Bエレクトロンなどの世c的な半導]メーカーが試作機さえまだ世に出せていない段階で、f国メーカーが世cに先~けて革新的なを商化できたことは、f国半導]業cにとって挙だ」と述べている。

Samsungが臨c流をDRAM量に採
SEMESが]し、f国Samsung Electronicsの最先端(<20nmクラスの) DRAM量ラインにH数導入されて、歩里泙蠍屬亡麝燭靴討い襪里蓮〓臨c二┣獣坐(Supercritical CO2)を採したシリコンウェーハ浄|燥だと、その記は説している。Samsung がこの|の]を量ラインに導入したことは、k陲糧焼浄業c関係vの間では以iから瑤蕕譴討い燭、当vであるSamsungやSEMESO身はk切o表していないし、学会発表もしていない。いわばf国業cLのスクープ記だ。

臨c流は、表C張が発擇靴覆い燭瓠〓微細化により脆弱で倒sしやすい半導の3次元の柱X構]を表C張に基づく毛管による倒sやNなどのダメージなしに浄・|燥することが可Δ任△襦匯温憂@料2)。スタック型DRAM~のシリンドリカル・キャパシタのアスペクト比のjきな柱X構]は、水や]の表C張による毛管で浄後の|燥の際に、パターン倒sやNがきやすい。プロセスの微細化に伴い、アスペクト比が\してきており、ますます半導微細加工を阻害する現として関係vの間ではよく瑤蕕譟∪菽璽廛蹈札垢したい半導メーカーは解策を長Qにわたって模索してきていた。さまざまな解}法を試してきたが、もはや表C張が発擇靴覆ぎ臨c流に頼るしかソリューションがないということだろう。

ライバルSK Hynix は日メーカーに開発要
記では、「SEMESはサムスンの子会社という関係のために垉遒凡k度も同社からをP入していなかったSK Hynixも、臨c流浄・|燥のP入の]い鮨泙辰討い襦ライバルのL外メーカーは商化までかなりの時間がかかるものと見られる」と伝えている。しかし、f国半導業c関係vによると、この記述は確さにLけており、「半導メモリでSamsungとしい争を繰り広げるSK HynixがSamsung子会社のをPAすることは考えられない。SK Hynixは、Samsung に眼^屐日櫃亮舁徃焼メーカーに臨c流浄|燥の開発を要个靴討り、すでにk陲メーカーの試作機がSK Hynixの研|開発ラインでh価中」とのことである。しかし、Samsung/SEMESは10Q以屬砲錣燭衞かに協業をけ、H数のデータを蓄積しており、すでに先端量ラインで実績を出しているので、合企業が{いつくのは容易ではない。Samsung は開発中の次世代半導メモリにも臨c流浄|燥を適するらしい。

今後もf国から革新的が々?
記は「f国半導]噞は、垉30Qの間に国僝とこれを通じた外国の価格引き下げに点を当てて来たが、今後はf国勢が世c初の革新的な半導]を商化する頻度が\えるだろう」とTんでいる。ちなみに、SEMESのCEOであるキム・ヨンシクは、O社ウェブサイト屬砲董◆嶽Mたちの`Yは、世c半導メーカー売峭皀薀鵐ングで5位以内に入ることである」とx言している。

日本のメーカーは、史峩iともいえる好業績で、BBレシオも1.3をえてバブルの様相だ。しかし、L外からのうなぎのぼりのpRに官するため、垉遒臨長線屬箔H忙にかまけてしまって、イノベータ@神を忘れてしまっていては、L外勢の後塵を拝することになりかねない。

参考@料
1. f国の電子噞業cL 전자신문(「電子新聞」)f国語電子版 2017.2.27
2. K:「4章 臨cをいた半導・MEMS 浄\術」。半導・MEMSのための臨c流(Z藤英k)、コロナ社 (2012Q)


Hattori Consulting international代表 K陝

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