�櫂肇薀鵐從�権が中国に�瓦靴��唸鼎雰从��U裁策をとるようになってきたため、中国は、半導���O給�O�Bをさらに��がなければならなくなってきた。中国���Bは2014�Qに1390億元��模の半導��投�@ファンドを創設しているが、さらに3000億元（約5兆��）��模の巨�jファンドを�Zく創設するとも噂されている。�歟肬�易�C�oが��化する中、いよいよ来�Qは、中国���Bの国策により半導��メモリ�攵塤�Qとなる可��性が高まってきた。

現在、中国では、外国勢である�f国Samsung Electronicsと��Intelの3D-NANDフラッシュメモリ 量�妌場（それぞれ���Wと�j連）、�f国SK HynixのDRAM量�妌場（無錫）がフル�n働しており、�\����画も進行中である。メモリではないが、ファウンドリ（半導��の�p�m���]）世�c最�j�}、��湾積��電路���]（TSMC）の300mm新工場（南�B�x）も、まもなく、中国顧客向け�p�m�攵�を開始する。

これに�瓦靴�、中国���Bは、�歟肬�易�C�oの中にあって、国策で半導����業の�O給�O�B���Uを敷くため、とりわけ国内半導��メモリ�噞育成に��点を当てている。中国�@本の半導��メモリ3�jメーカーが�Q内にも�n働を開始しようとしている。その3社とは、
・�{華��光集団傘下のYMTC（Yangtze Memory Technologies Co、長江�T儲科�\）/ XMC（��漢新芯集成電路）（湖��省��漢�x）
・Innotron（旧Hefei Chang Xin、合肥長金集成電路）（�W徽省合肥�x）
・JHICC（Fujian Jin Hua Integrated Circuit、福建省晉華積��電路）（福建省晉江�x）

である。�{�Z平国家主席は2018�Q4月26日、母�鬚遼{華�j学傘下の�{華��光集団の所�~するYMTC/XMCのNANDフラッシュメモリ開発・試作拠点（湖��省��漢�x）を��察した。XMCには李������相も昨�Q��察に訪れており、半導��メモリ�O給�O�Bに�瓦垢訝羚馘�局の期待の高さをうかがわせた。

これら3社は、当�C、それぞれうまくすみ分けており、YMTCはNANDフラッシュメモリ、InnotronはモバイルDRAM、　JHICCはスペシャリテ��（���z����）DRAMを担当する。3社はいずれも、2018�Q��までに試�x�攵�を開始し、2019�Qに本格的�攵�を始める予定である。

Innotronの工場建設は、2017�Q6月に終わり、2017�Q��3四半期に���]設�△寮���が行われた。しかし、今のところInnotronは、後述のJHICC同様に、試作�攵�を2018�Q後半に��期し、2019�Qに本格�攵�を予定しているが、当初の発表予定よりはかなり��れている。

��湾に本拠を��く半導���x場調�h会社TrendForceによれば、「Innotronは、最初の����としてLPDDR4 8Gbチップを��んでトップDRAMメーカーと��争しようとしているが、外国����侵害の可��性が高い。国際法によって定められた��的財�堍の�D�uなどを進める��要がある」という。Innotronは、��Micron Technologyにより�A収された��Inotera Memoriesの�i��業�^らを�H数採��し、DRAM�\術導入したといわれているが、これに�瓦靴�Micronは機密盗��で訴えを��こしている。

���z����向けDRAMの���]を�`指すJHICCは、2016�Q7月に福建省晋江�xに300mmウエーハ工場を建設する��画を発表し、すでに�A工している。しかし、 同社は、���z����DRAM����の試作を2018�Q��3四半期まで��期し、量��も2019�Qに��期している。DRAM���]�\術は��湾UMCより導入しているというが、ファウンドリであるUMCは、小��模な組み込みDRAM���]の経�xはあっても商��DRAM���]の経�xはない。こちらもMicron との間に�\術盗��の訴�eを�Qえている。Micron Taiwanの社�^がUMCの社�^にDRAM���]に関する機密�\術情報を渡し、それがJHICCに流れたとして、��湾の警察当局は、すでに複数の人�颪鮖j捕している。

中国の国内NANDフラッシュメモリ業�cでは、2016�Q12月��にYMTCのNANDフラッシュメモリ拠点が��工し、3つの3D-NANDフラッシュ���]工場が3つの段階で順次構築されるよう長期��画を立てている。240億ドルもの巨�Yを投じると伝えられている。��1期ファブの建設は2017�Q9月に完了し、���]設�△寮���は2018�Q��3四半期に開始する予定である。��1期ファブは本�Q��4四半期にも試作�攵�を開始する予定である。��1期ファブでは、当初は、32層MLC（2ビット/セル）3D-NANDフラッシュメモリを�攵�するとしている。TrendForceによれば、64層設��を完成させた後の�X況に応じて、��2段階および��3段階のファブ建設とその�攵���画を進めるという。3D-NAND���]�\術は、��Spansion (現在は��Cypress Semiconductorに吸収合��)から導入しているとしているが、どう見ても��争��のある�\術ではないだろう。

実際は、��湾、�f国、日本はじめ世�c中の半導���\術�vや経営���陲鰤k本釣りしたり、���]����メーカーを通して�\術収集したりしているとの見�気��~��である。同社の親会社である��光集団は、昨�Q、東��メモリを�A収しNAND�\術導入を図ろうとしたが、経済�噞省の反�瓦覇�札さえ��念せざるを�uなかった。それ以�iにも、��Micron Technologyに�A収提案したが、�盜馘�局の介入で�A収はできなかった。現トランプ��権下では、�盜颯瓠璽�ーの�A収や�\術導入は絶望的である。��光集団は、�崕劼亮�漢以外にも成都や南�Bにも半導��メモリ工場建設��画を立ててはいるが、�\術�D�uのめどが立っておらず、����化していない。

中国勢の最�jの課��は、最新���]�\術や人材、��的財�堍をいかに確保するかである。中国勢は、�L外企業のM&Aによる�\術導入の�Oが絶たれてしまったからには、�L外の人材の�k本釣りで�\術を�耀uするしかないだろう。��湾、�f国、�盜颪力��Bや先進企業は、この点に神経をとがらせている。日本に残された唯�kのメモリメーカーである東��も同様だろう。��湾では、最�Z、機密情報をもって（？）中国メーカーに転職する�\術�vや経営���陲����\し、��湾���Bは�Dり締まりを�啣修靴討い�。�f国���Bも�\術の�L外流出に�瓦垢觸菷海��啣修靴討い�。

このため、中国�@本のメモリメーカーの��画は、最新�\術�D�uの困�Mさで��れがちであり、たとえ�攵凮始しても、立ち�屬�りには時間を要するだろう。フル�n働するのは2020�Q代にずれ込む可��性が高い。また、�L外に販売しようとすると、先行�Q社の����の壁が厚く、�H�Yの����使��料を��払わない限り�Hくの訴�eを�Qえることになるだろう。中国���Bは国内で半導��人材育成にも��を入れているが、これには時間がかかる。これらさまざまな課��を�Qえる中国勢がどのような戦�Sをとって半導���O給�O�B���Uを早期に確立するか�R�`される。