中国半導メモリが始動、NANDにいてDRAM量画らかに
去る8月20日に東Bで開されたセミコンダクタポータル主「世c半導x場、2019Q後半からの1Qを氾辻集長と議bしよう」では、日本Bの舘f半導材料輸出管理厳格化(参考@料1)と並んで歟肬易R争下の中国半導動向もBになった。会場からはJHICCなどの中国半導メモリメーカーについての問があり、本M著vはt興でv答したが、その後の新たな動きも含めて、最新の中国半導メモリ]の動向をレポートしよう。
盜颪龍慷∩の中、OでDRAM攵△鮖呂瓩JHICC
中国のDRAMメーカーである福建省晋華集成電路(Jinhua Integrated Circuit Company:JHICC)はMicron Technologyの湾子会社Micron Memory Taiwan(旧Inotera) からDRAM]\術を不に入}したとして、仲介したUMCおよび両社の業^とともに盜饂碧‐覆ら昨Q11月に訴された。これに先立つ10月29日、盜饐省は、国家W屬陵yからJHICCを輸出Uリストに加え、U企業による同社とのD引を禁Vした。
JHICCはこの時すでに、]設△旅場搬入の段階に入っていたが、Applied Materials、Lam Research、KLAなど盜メーカーは、盜饐省の措をpけて、\術vをすぐに引き屬欧討靴泙辰。また、UMCも盜颪U裁を恐れてJHICCとの協関係を解消し、\術vらは湾に引き屬欧。こうして1期工だけでも約6,000億を投@していた同社は業Mが困Mとなり、立ち屬拐中のクリーンルームの電源を落とし、n働中Vに{い込まれた。
しかし、JHICCは、最Z、復めざして△鮖呂瓩討い襪茲Δ。f国で、SamsungおよびSK Hynixに経xのあるDRAM \術vを募集したり、中国や湾でv路設から保守担当まで数懐|に及ぶ職|の人材を募集したりしている。盜颯戞璽垢]プロバイダによるオンサイトサポートがk切uられないX況にあるので、攵ラインのの立ち屬欧肇僖薀瓠璽神瀋蠅鮑播化するためにできる限りのことをリクルートした人材を使ってOで行い、休Vに{い込まれたDRAMラインの復を狙っているようである。JHICCは、来Qまでには攵を開始できるだろうが、初期の攵模は月1万以下にとどまる見込みと湾のx場動向調h会社TrendForceは見ている。
突Tってわいた日f輸出R争で、f国半導企業は、トップが先頭に立って、Uの材料調達に奔走してきた。f国の半導メモリラインがn働停Vに{い込まれるのではないかとのうわさが広まった時期もあった。このR争にj喜びしたのは3国、に湾と中国のDRAMメーカーのようである。JHICCは「x人が墓場から出てきて踊り出している」(業c関係v)ようなX況だという。
図1 中国福建省にあるJHICCの本社工場 出Z:JHICCのウェブサイト
二転転の、いよいよDDR4 DRAMの攵凮始へ
もう1つの中国DRAMメーカーである長鑫T儲(ChangXin Memory Technologies(CXMT),合肥x)は、すでにDDR4 8GビットDRAMの小模攵を開始しており、スマートフォン向けLPDDR4 DRAMの量△盪呂瓩討い襪箸い錣譴討い襪、月10万かそれ以屬肪するのは2021Q以Tになろう。同社は、盜颪らにらまれることを恐れてもともと湾Inotera(現Micron Memory Taiwan)出身vによって開発された\術の不採と\術導入疑吠、Samsung出身vによる設変、経営陣の入れえなどがあった。加えて、当初はInnotera というInoteraを連[させる社@だったがそれを変、@金調達のれなど様々な要因で、画がれがちだった。同社は最終的に、2009Qに倒した独QimondaのCである46nm スタック構]DRAM(開発済だったが未発売)をDuしたという。それを世c中からリクルートした人材により19nmへとプロセスをシュリンク(縮小)して、化することに成功した。誰も[気靴┐覆った奇策である。
W徽省合肥x人cBはこのほど、長鑫(きん)T儲、華僑城集団、飢攸浪紛\集団などと、投@総Y2200億元(約3兆3300億、うち7割が300mm量ファブを中心にDRAM設]k化業向け)となる「合肥長鑫集積v路]基地業」の調印式を行った。噞と空港と都xが融合した世ck流のメモリ噞クラスタをZい来構築するという。合肥xは、2016Qに元エルピーダメモリ社長のZ本md率いるサイノキングテクノロジーが合肥x地杵Bと組んでDRAM量画をぶち屬欧燭、それ以来、いくつかの画が擇泙譴討肋辰┐討い辰。今度こそ本颪世蹐Δ。
光集団がDRAM量妌場をQまでに工
中国Bは、盜颪箸麗易R争による逆風のなかで、DRAMをO給OBするにはさまざまな課をQえているJTの2社では心もとないと考えて、{華光集団にもDRAMの開発と]の使命を担うことになった。
{華光集団は、今Qから量を始めるといわれる3D NAND業(参考@料2)とは別に、新たにDRAM業にも参入すべく的な動きを始めた。6月30日けで、新たに「DRAM業グループ(社内カンパニー)」を新設し、湾のDRAMメーカーだったInotera Memories(現 Micron Technology Taiwan)の元董長Charles Kaoを最高経営責任v(CEO)に任命したことをらかにしていたが、いて8月27に_xの両江新区にDRAM業本陲鮴し、DRAM研|開発センタとDRAM量妌場を設立する協約を_x人cBと締Tした。光集団は2019Qに工場建設に工することにしている。同工場は、2021QにA工後、DRAMウェーハの攵を開始する予定だという。YMTCやその母で現在は子会社になっているXMCも同じ_にあり、今後、同地が中国における半導メモリ量呄地としてR`を浴びることになろう。
今vのDRAM]画は、『中国]2025』戦Sにpった中国Bの半導O給OBU確立のk環である。中国のDRAMビジネスが直Cする最jの課は、]プロセス\術のDuと人材の確保であるが、光集団がDRAM]\術をどのようにDuするのか開発するのか不である。Kao CEOが先頭に立って、国内外で人材のリクルート動を発化させているようである。
光集団は、2015QにDRAM\術DuのためMicron TechnologyをA収しようとしたが、盜駭Bに阻Vされ、失`に終わっている。同集団は、そのIC設子会社であるUnigroup Guoxin Microelectronicsが、かつてT在したQimondaW工場の設靆腓領れを組んでおり、同集団のメモリ設をмqするのではないか、とみられている。
2020Qの中国独OのDRAM攵盋は世cの3%未満
中国では、fSK Hynixが無錫でDRAMを量桵であるが、中国勢独OのDRAM攵は来Qもまだ常に限られる。 TrendForceの最新の予Rによると、中国のメモリメーカーの2020QのDRAM攵盋はグローバルな業cの攵欫入量の3%未満に圓ないという。中国業c関係vやマスコミが使う「量凮始」という言は、実際には「少量攵」段階での誇張表現の場合が少なくない。
中国勢がどのような}段を使うにせよDRAM]\術を開発できたとしても、さらに発tさせるためにはHくの課をタKする要がある。その課とは、例えば、主要]の入}と設・立ち屬、]歩里泙蠅僚j幅向屐∫L外企業とのIP関連R争への棺茲覆匹任△襦
NANDにいてDRAM量画の莖圓はっきりしてきたので、中国がいずれメモリj国にのし屬る可性が高くなってきた。しかし、中国メモリメーカーがグローバルなDRAMx場の要供給バランスに顕著な影xを与えるようになるのはいつになるか、判するには、もう少し時間をかけて荵,垢要がありそうだ。
参考@料
1. 日の丸半導材料噞の空化・弱化が懸念される舘f輸出管理啣 (2019/09/02)
2. K 中国YMTCが64層256GビットTLC NANDの量を開始 マイナビニュース (2019/09/09)