�k�機���Micron Technology は、日本法人のマイクロンメモリジャパン広��工場で世�cに先�~けて�攵�が始まった1β DRAMではEUV露光�\術の採��を見送り、�\術が確立している成�^�\術である�]浸ArFリソグラフィを��いたマルチパターニングの微細化�}法を採��している。なじみのフォトレジストやレチクルも使えるので、高歩�里蠅��攵�できるという。

2024�Q以�Tの立ち�屬欧鰺縦蠅靴討い�1γDRAMについては、MicronもEUVリソグラフィ�\術を導入する予定である（図1参照）。ただし、1γ DRAMを日本で最初に���]するかどうか��らかにしていない。Micronは、EUV露光����を日本ではなく��湾子会社に先に入れて1γ DRAMは��湾で最初に�攵�する可��性が高いと本�M著�vは見ている。なぜなら、EUV露光����の保守管理には莫�jなヒト・モノ・カネを��要としており、��湾のASML現地法人には4500人もの��業�^（�R1）がいるので、サービス���Uが万��だからである。おそらく日本では2020�Q代半ば以�Tの1Δ（デルタ） DRAMあたりからEUV露光����を導入するのではないかと予�[される。

図1　Micron TechnologyのEUVリソグラフィのDRAM量�殾入��画　出�Z：Micron、2022�Q11月

11月11日に発表された国策先端ロジックファウンドリであるRapidusも2024�Q��にはEUV露光����を入�}すると��らかにして以来、日本では、今まで無縁だったEUV露光����が��に�豸�を浴びている。国策先端半導��研�|機関のLSTCは、Rapidusともども、当�Cは��IBMやベルギーimec所�~のEUV露光����を�W��させてもらうようである（参考�@料1）。

EUV露光����は高圧ガス保�W法の���U����

去る11月16日に、Micron 広��工場の1β DRAM出荷記念の式�Zが開��された際の記�v会見で「日本では高圧ガス関連の法��によりEUVリソグラフィ����の輸入に障壁があるとの噂があるが、どのようにとらえているか」との��問がメディアから出た。これに�瓦靴董�Micron TechnologyのSVPでグローバルオペレーション担当のManish Bhatia��は「広��工場での��来的なEUV導入の可��性も見据え、高圧ガスのコンポーネントの�R認に向け、キーサプライヤーや日本���Bに（���U緩和に向けた）働きかけをしている」と答えていた。

この辺の��情を読み解くことにしよう。
EUV露光����の光源には2つのタイプがある。ASMLが独��供給するEUV露光����は、PPL（Plasma-Produced Laser）�擬阿慮�源を採��している。ここでは、数��気圧（数��MPa）に加圧した高圧高�a�X��のSnタンク（スズ容�_）からSn�]�rを落下させそこにレーザー照�oし発�擇靴織廛薀坤泙�ら13.5nm光を集光するのだが、この高圧�X��のスズとその容�_（タンク）が高圧ガス保�W法の適������とされ、���]や輸入や使��に関して厳しく���Uされることになる。

PPL�擬阿呂垢任房唾�化しているが、光源出��の向�屬妨堕cが見えており、��来の半導��研�|・���]に�△┐董�巨�j加�]�_を��いたFEL（Free Electron Laser）�擬阿�EUV光源（�`�Y出��1kW��度）が、日本では高エネルギー研を中心に識�vが集まって研�|が行われている。こちらは、�]化ヘリウムを冷却����とする冷凍設�△�高圧ガス保�W法の���U����になる。いずれの�擬阿�EUV光源を使��しても��来にわたり高圧ガス保�W法の���Uを免れない�X況にある。

毎�Q1�v保�W検�hのため����停�Vする��要

高圧����は、完成時の検�hのほか、高圧ガス保�W法に基づく�Q1�vの保�W検�hが�I����けられており、�O主点検というわけにはいかず、����、�W��保�W協会、指定保�W検�h機関、または認定保�W検�h実施�vが行う保�W検�hを�pける��要がある。このため、24時間365日�n働し��ける半導�����]����を何日か停�Vさせねばならず、��高�Y����の�n働率の低下をきたすことになる。

著�vは、�垉遒�PlayStationの��来モデル向けに最先端微細化パターンの倒�sを防�Vするために高圧高�a��臨�c�X��の二�┣獣坐妊�スを��いた「シリコンウェーハの��臨�c流����浄」の研�|を行っていたが、その際にこのことをいやというほど経�xした。日本の高圧ガス保�W法に��拠しない�盜���の��臨�c流������は日本に�eち込めなかったし、日本��であっても定期保�W検�hを�pけるために研�|提携先の��臨�c流������を、毎�Q1週間にわたり停�Vしなければならなかった。のちに、��臨�c流��の半導��への応��に関する専門書（共著）を出版した際に、この�\術が半導��の量��にむけて実��化する場合の課��の�kつとして「高圧����に関する���U緩和（�Q中無休の半導�����]になじまない���Uの数々）」と記述した（図2参照）（参考�@料2）。半導�����]����は、ほとんどすべて常圧か��圧（真空）だから、�����O身は高圧保�W法の���Uを�pけないので、このような���Uは顕在化してこなかった。

図2「半導��・MEMSのための��臨�c流��」のp.108に記載された半導�����]��「高圧����に関する���U緩和」の��要性

広��県はすでに���U緩和を国に要��

広��県は、2022�Q6月に関係�Q省庁に�瓦垢觚�の要望��項をまとめて「令和5�Q度施策に関する提案」書を発行し、その中の「�噞��争��の�啣宗夙焼����噞に�瓦垢��мq」の項で国（経済�噞省）への提案��項として、「EUV露光����を含む研�|開発・�攵摚�△悗療蟀@を行う�c間企業に�瓦�,�}厚い�мqを行うこと」と並んで「高圧ガス保�W法等の���Uについて,国際基��・��格を����し,�~素化・緩和を図ること」をすでに国に求めている(図3)（参考�@料3）。

高圧ガス保�W法を所管する経済�噞省は、半導��を戦�S�飩@ととらえて半導���噞を振興させる役�`も担っているので、広��県が要望しているように�Q中無休で�n働する半導�����]になじまない高圧ガス保�W法の���U緩和を��来的には図る可��性はあるだろう。

図3　広��県「令和5�Q度施策に関する提案」書の35ページに掲載されている「半導���噞に�瓦垢��мq」要�弌―儘Z：広��県庁ウェブサイト

同36ページには、「EUV露光����国内導入に向けた環境�D�△北�100億��/��が��要である」との記述とともにEUV露光����導入に向けたロードマップさえ載っており、水�C下でEUV導入にむけた検討が県を挙げて進んでいることをうかがわせる。メモリでは、Micronの広��工場にまず導入は当��として、ロジックでは、TSMCに導入となっているが、�y本2棟�`を�[定しているのだろうか、それともこの提案書発表後に�T在が��らかになった国策ロジックファウンドリのRapidusと読み��えるべきなのだろうか。ルネサスは、ひたすらファブライト化を図っており、JASM（��実��TSMC�y本工場）にもRapidusにも出�@の�T思を表��しておらず、��田社長は出�@しない理�yについてもノーコメントとしているので、よほどの���\金などのインセンティブない限りルネサスへEUV����導入の可��性はないだろう。

�j学とはMicronと同じ東広���xにある広���j学を指すのだろうか。国策で�P入するEUV����は、つくばよりは東広��に��いた�気�、Micronと�k緒に保守管理しやすいとの�mも広��県の�匲学関係�vから聞こえてくる。

図4　広��県が作成したEUV露光����導入に向けたロードマップ　出�Z：広��県庁ウェブサイト

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1. 2021�Q11月にASML最高執行責任�v（COO）F. Schneider-Maunoury��が蔡 英文��湾総�Hと�C�iして��湾����ASMLの新工場建設を伝えた際にASML��湾の��業�^数が4500人を��えており、工場�����vをさらに2000人�\�^すると説��した。ASML Taiwanのウェブサイトには��業�^数3600+ と表記されている。いずれにせよ、�H数の�\術�vがEUV露光����の�Q中無休�n働のための保守サービスに����していることをうかがわせる（参考�@料4）。

参考�@料
1. �K����、「経�愱がEUV�\術や先端プロセス�\術�耀uに向けimecと提携交渉」、マイナビニュースTech+ (2022/11/09)
2. 「半導��・MEMSのための��臨�c流��」、コロナ社、2012�Q刊
3. 「半導���噞に�瓦垢��мqに関して国への提案��項」、広��県ホームページ
4. �K����、「��湾版CHIPS法案が�V議��定、 ASMLやMicronが��業拡�jへ」、マイナビニュースTech+ (2022/11/24)