世c最j最高レベルの先端半導研|所に成長した秘Sと今後の戦S
ベルギーimecのVan den hove CEOインタビュー:
今から40Qiの1984Q、半導噞とは無縁のベルギーの片田舎、ベルギー・フランダース地機淵戰襯ー陲離ランダ語圏、日本では「フランダースの犬」のアニメで~@)にj学の共同Wクリーンルーム・研|施設であるInteruniversity Micro Electronics Center(imec)が誕擇靴拭40Q後の現在、imecは、世c最jかつ最高レベルの最先端半導研|所に成長した。同社のLuc Van den hove CEOが、東BでQ次研|紹介イベントimec Technology Forumを開のために来日した機会をとらえて、本M著vらメディアのインタビューに応じた(図1)。同社の`覚ましい成長の秘Sと今後の戦Sを読voと共~することにしよう。
図1 インタビューに応じるimec CEOのLuc Van den hove 2024Q11月5日東B都内で著v撮影
創立以来10Qごとにビジネスモデル革新
Q: imecは、今Q、創立40周Qを迎えましたね。この間、`覚ましい成長を~げましたが、成長の秘Sは?
A(Van den hove CEO): 当社は、今から40Qiの1984Qにベルギーで営W組Eとしてわずか70人で発Bした。いまは5500人にまで\加している。この中には、社^のほか、世c中の会^企業(研|パートナー)から派遣されている駐在研|^が700人、さらにベルギーだけではなく世c中のF士課学擇肇櫂好疋(F士ニDu直後の)研|^があわせて850人を含んでいる。
創立当時、今日のような世c最j級の先端半導研|施設になることは[気任なかった。
創立から10Q後の1994QにIndustrial Affiliation Program (噞cQ社との協業プログラム)を開始し、さらに10Q後の2004Qに300mm Core CMOS Program(半導企業と先端CMOSを共同開発するプログラム)を始めた。2014Qには、ベルギー・フランダース地杵Bのデジタル\術研|センター(Qj学に分g研を設)である iMindsを吸収合し、半導応研|にRするようになった。そして、2024Qには、世cの半導業cが転換点を迎え、欧Α盜顱日本のQBが地学屬陵yでCHIPS法(Q国の半導]を啣修垢襪垢襪燭瓩翻\金У襪遼)を施行したのに伴い、当社としてもこれらのBと協調することにした(図2)。日本でも半導噞振興に協するため、経済噞省とラピダスやLSTCмqについてすでに合Tした。このように、当社は創業以来、10Qおきにビジネスモデルの革新を図り成長を~げてきた。
Q: 以iは中国の企業やj学ともH数の研|提携を行っていたと思いますが、現Xは?
A: 確かに数Qiまでは、なんの問もなくそうしていた。しかし、今は、地学屬陵yで中国勢とは{`をいている。中国のj学との研|提携もやめている。
図2 imecの2024Qのビジネスモデル革新 出Z:imec
imecの研|パートナーの日本企業は66社
Q: imecの会^企業(研|パートナー)はどのくらいの数ですか?
A: 現在、IDM/ファウンドリの会^企業は、Intel, Samsung, TSMCはじめ24社で、日本のソニー、キオクシア/Western Digital、ルネサスエレクトロニクス、ラピダスもメンバーである。メーカーは、ASML、Applied Materials、東Bエレクトロン、SCREENはじめ40社余り、材料メーカーはEntegris, JSR, 東B応化はじめ30社、ファブレス・EDAベンダーは40社、システムパートナーは100社余。日本企業は、陲66社が加入している(2024Q10月現在)。今Q、式にimec日本法人を東Bに設立したので、さらにHくの日本企業パートナーを誘していくつもりである。
Q: imecの予Q模は?
A: 予Q模は創業以来毎Q\えており、2023Q時点で9億4000万ユーロである。初期にはフランダースBから1割度のq\をpけていたが、現在は、オランダの研|Ы蠅縫ランダBのмqがあり、EUの研|プロジェクトにも積極的に参加しているので、これらのBからの収入はの2割に\えている。残りは、世c中のH数の研|パートナー企業からの研|委mJ収入である。
新たにLOj学と2nmロジックのユースケース開発
Q: 日本のj学や研|機関とも研|連携していますか?
A: 東j学、筑Sj学、横p国立j学、@古屋j学、j阪j学、九j学はじめいくつものj学と研|連携している。今v(2024Q11月)、LOj学とも研|提携して、2nmロジック 半導のユースケース開発に_点をきつつ、半導分野の進tに向けて、地域の研|開発企業とも連携し、日本の半導エコシステムの発tに貢献するための連携の機会を模索することにした。日本BUの理化学研|所、・材料研|機構やLSTCとも研|提携している。
東BとLOに研|拠点設する協議中
Q: 日本に研|施設を設する画があると1Qiに伺いましたが、進捗は?
A: H数のパートナー企業が集まっている東Bと、ラピダスやLOjのあるLOに研|拠点を設けてj学や研|機関との連携を進めることにしている。現在、経愱と協議中であり、最終定に至ってはいない。クリーンルームをeったj模な研|所ではなく、ベルギーの研|施設のサテライトオフィスといった感じの施設を考えている。イノベーションを擇濬个垢燭瓩砲禄j学だけではなく幅広いパートナー企業との連携も要である。
Z載チップレットプログラムに日本企業の加入誘
Q: imecは、最Z、Z載チップレットプログラムを発Bさせ(参考@料1)、BMWやARMはじめ10社が加入していますが、ルネサスやトヨタなど日本企業の加入はあるのですか。
A: 日本企業の参加はj迎だ。数社と交渉中だが、今はこれ以峅燭Bせない。
図3 imecZ載チップレットプログラムの初期参加企業10社 出Z:imec
先端デバイスの歩里泙蠍屬枠焼メーカーの仕
Q: imecのパートナーであるIntelやfSamsung Electronicsは、3/2nmプロセスでの歩里泙蠅低迷しています。imecは歩里泙蠅屬欧襪燭瓩мqするつもりですか。
A: imecの役割は、業cより5−10Q先の最先端プロセスモジュールを開発して会^企業に提供することである。]ラインの歩里泙蠍屬蓮Q半導メーカーO身がやるべき仕で
ある。
High-NA EUVがムーアの法Г鰈命
Q: High-NA EUVリソグラフィのTIとimecクリーンルームへの導入予定は?
A: High-NA EUV リソグラフィ(来の開口数NA=0.33に瓦靴High-NAはNA=0.55)の登場で、ムーアの法Г蓮⊂なくとも2030Q半ばまで命できる(参考@料2)。さらに、その後、NA=0.75のHyper-NA EUVリソグラフィ\術が開発され、さらには、トランジスタのチャンネル霾をシリコンから2D(2次元)材料でき換えた2DFETが開発されれば、ムーアの法Г呂気蕕2040Q代に向けて命できる(図4)。
図4 High-NAの登場でパワーアップしたimecの先端ロジックロードマップ 出Z:imec
imecのHigh-NA EUVリソグラフィ導入の1段階を蘭ASMLとの共同研|所High-NA EUV Lab(蘭ASMLの本社キャンパス内)でのパターニングプロセス開発とするならば、2段階は、2025Qにベルギー・ルーベンにあるimec本社キャンパスにあるJTの300mmクリーンルームである「Fab3」への設である。さらには、2026Qまでに、Fab3 にすでに設してしている来のN=0.33機と、性Α▲好襦璽廛奪函▲廛蹈札好灰好箸覆浜諭垢僻羈咾鮃圓Αこれが3段階。そして4段階は、EU CHIPS法により本社キャンパス内に新設する「Fab4」(2025Q工、2027Qn働開始)にHigh-NA EUV量モデルEXE:5x00を搬入して2nmロジックデバイス試作にする。
参考@料
1. K、「imecがZ載チップレット研|プログラムを推進」、マイナビニュースTECH+、(2024/10/16)
2. K、「imecが高NA EUVでムーアの法Г臨命をx言」、マイナビニュースTECH+、(2024/11/13)