半導噞における「風を読む」III〜半導]x場動向
半導噞における「風を読む」 v`は、半導]x場動向についてである。 kv`で、半導x場と^攵x場との相関関係、二v`で半導x場とGDP(国内総攵)との相関関係を紹介したが、今vはGDPと半導]のx場との相関関係、およびこれらのデータをWした1〜2Q先の半導]x場に瓦垢詬襲R}法、さらに半導x場と半導]との数学的相関関係を紹介する。
![図1 変換したGDPと半導]x場/(SPT-Total)との動向比較](/archive/blog/insiders/inoue/img/INS101206-01a.gif)
図1 変換したGDPと半導]x場/(SPT-Total)との動向比較
図1は GDPについて、二vの表1にした「当QGDP変換値=当QGDP-iQGDP」とGDP数値を変換した後の数値と半導]x場(i工と後工を含む半導]のを含めたx場)のiQ比(成長率)を2003〜2012Qの10Q間に渡り図化したものである。半導x場と同様、GDPを数値変換することによりGDPと半導]x場の数値が同じ妓の風の中で変化している様子を理解できる。
半導]x場の成長率に瓦垢諳kQ先の予R値ガイドラインは、半導x場と同じように下記の数式Inoue Formulaで瑤襪海箸できる。 例としてIMFの最新データである2010Q10月版を使し2011Qをとすると、2011Q半導]x場の成長率ガイドライン(Inoue Formula)は次式のようになる。
Inoue Formula= α x (–0.6% 〔変換後GDP〕 + β) = 1.0%
-0.6% 〔変換後GDP〕は二vの表2を参照し、定数α、βは現X、半導x場と同様、b理的なQ出はできていないが、経xГ箸靴董乢=15, β=10/15 (≒0.67) %」を採する。
tち、半導x場と同じようにGDP数値を使することにより、kQ先における半導]x場の変化を半導x場と同じように`で見える形にすることを可Δ箸掘◆嵒の流れ」の妓と咾気瑤襪海箸できるのである。
図2 Inoue Formulaにてパラメータ変換したGDPと半導]x場との動向比較
図2は、峙Q式をよりk層理解してもらうため、ivの半導x場と同様、GDP変換値に定数βに加えたInoue Formulaにて数値し、図化した}法を半導]に適したものである。 図2より、経済指YであるGDPと半導]x場があるパラメータを介することにより、相関関係をeって連動している様子をよりk層zに瑤襪海箸できる。
ただし、本}法で忘れてならない点として、iv半導x場とGDPとの相関関係で述べたのと同じように以下の二つがある。kつは、峙Q出}法で把曚任るのは、ガイドラインであって最終数値ではないということである。求めようとする数値レベルがガイドラインレベルであれば、峙}法によりuられる数値で問はないが、より高い@度をeった予R数値を求める場合には、kvにて予R}法の比喩として使った、洋菓子のkつミルフィーユを作るように半導x場、半導]の|々の要素に瓦垢觧弭佑鯆_ねることにより数値を行わねばならない。
図3 半導]x場における四半期ベースとQベースとの比較
二つ`として、図3にすように峙ガイドライン数値は、寃QベースのQ間平均値であり、四半期ベースでiQ同期比を見た場合にはピークとボトムがあり、その数値に差がある。 この数値の差がそれぞれの四半期において同じQであっても異なるx場茲擇澆世掘寃QとQ度でのQ間予R数値に瓦掘∈弘曚鯣擇垢詬廾にもなる。 例として、半導]x場の2009Qの寃Q、Q間ベースでのiQ比は「マイナス成長」であり、四半期ベースで2009QQ1〜Q3もiQ同期比は「マイナス成長」であるが 2009QQ4は「プラス成長」と 風の流れる妓が逆になっている。
図4 半導x場と半導]x場との動向比較
図4は半導x場と半導]のiQ比(成長率)を2003〜2012Q(寃Q)の10Q間に渡り図化したものである。半導x場と半導]が1:2の相関関係をeったような連動性を[気気擦襪發里痢◆,修離如璽燭鮠Wし、互いの相関関係を理解するのはMしい。
半導x場と半導]()との数式としての連動性は 下記の数式Inoue Formulaで瑤襪海箸できる。
二vにおいて、半導x場の成長率ガイドラインは次式でされることを紹介している。
半導x場の成長率ガイドライン = 5 x (変換後GDP + 2 ) ----- 数式A
峙にて半導]の成長率ガイドラインは次式でされる。
半導]x場の成長率ガイドライン = 15 x (変換後GDP + 10/15 (≒0.67) ) ---- 数式 B
数式AとB から、変換後GDPを介し半導x場と半導]x場の相関関係を数式として求めると 次式になる。
半導]x場の成長率 = 3 x (半導x場の成長率 – 20/3 (≒7) ) --- 数式C
図5 Inoue Formula(数式C)にてパラメータ変換した半導x場と半導]とのQ間ベース動向比較
図5は、峙数式Cをよりk層理解してもらうため、半導x場と半導]を数式Cのパラメータを介し図化したものであり、本図より相関関係をeって連動している様子をよりk層zに瑤襪海箸できる。
なお、峙数式,A, B, Cはk次究式であるが、それぞれの相関関係にて、よりk層のZ性を求めるのであれば、k次究式ではなく、二次究式、次究式とH次元化することにより数学的には可Δ任△襦
k気埜什漾半導の設投@金Yにおいてf国Samsung、湾TSMC、盜Intelの3社の和がの2/3をもめており、この3社による半導]x場への影xがjきいため、本数式とは別にこれら3社の設投@金Yの動向を確認する要がある。
図6 Inoue Formula (数式C) にてパラメータ変換した半導x場と半導]との四半期ベース動向比較
半導噞における成長率を考察する時、Q平均値では2010Qのように四半期ベースでのピークとボトムにjきく差がある場合にあまりT味をeたないものとなる。これゆえ、峙数式Cが四半期ベースであっても適可Δどうかを確認する要がある。 図6は、図5と同じ内容を数式Cのパラメータを介し、2008〜2010Qの3Q間、12四半期を図化したものであり、 本図より数式Cが四半期ベースの動向比較に瓦靴討發任眦応可Δ塙佑┐襦
また、2010QQ2〜Q4において半導]x場は半導x場「(または数式CによりQ出された半導]x場)」と比較して、相甘に高い成長率をしている。この半導]において高い成長率を擇鵑製jきな要因は、毎Qj型設投@を実施しているf国Samsungと湾TSMCが2010Qには2009Q比2倍以屬寮投@を行ったことによる影xがjきい。現X、両社とIntelをせた3社に瓦垢2011Q設投@金Yの式発表はなく、2011Q1月のQ発表を待たねばならないが、2010Qと同度のj型設投@を期待したい。
次v四vは、現在タブレットPCとスマートフォンとH機Ψ搬喘蒔の新がQ社より次々とx場投入されBとなっているが、タブレットPCとスマートフォンが成長する背景を分析する。この分析により、タブレットPCとスマートフォンの次にどのようなH機Ψ搬喘蒔の新が今後投入されるのかを模索するBがかりとしたい。
参考@料
1. 国際通貨基金(International Monetary Fund-IMF) ホームページ
2. 世c銀行(World Bank) ホームページ
3. 世c半導x場統(World Semiconductor Trade Statistics-WSTS) ホームページ
4. 国際半導]材料協会(Semiconductor Equipment and Materials International-SEMI) ホームページ
5. 半導噞における「風を読む」II〜GDPと半導x場との相関関係から導く
6. 半導噞における「風を読む」I