半導���噞における「風を読む」VIII〜直�Zの半導���x場を読む�}法
��二�v�`の「風を読むII」で�o的機関より�o表されるGDP(国内総�攵�)を�W��した1〜2�Q先の半導���x場動向の予�R�}法（参考�@料1）を紹介したが、��八�v�`の「風を読む」は、直�Zの半導���x場に�瓦垢襦嵒�の向き」を把�曚垢訃}法を紹介する。半導���x場を分析する際には1〜2�Q先の半導���x場動向と、直�Zの半導���x場動向の二つを把�曚垢襪海箸�求められる。
直�Zの半導���x場動向を把�曚垢襯如璽燭箸靴独焼���メーカーの���Q発表を�W��する�桔，�あるが、四半期単位で���Q発表が行われるため、把�曚靴燭せ�とのタイミングのズレがある。また、世�cの主要半導��メーカーが加盟し、半導���x場に関する統��機関であるWSTSより月ベースで�Q半導������別の詳細なデータを入�}する�桔，發△襪�、世�cの主要半導��メーカーのデータをまとめているため、どうしても時間差を伴う。
今�vは、ファウンドリ�j�}であるTSMCやUMCが月ベースで�o表するデータを�W��し、直�Zの半導���x場に�瓦垢襦嵒�の向き」を、ほとんど時間差を伴わず把�曚垢訃}法を紹介する。ただし、詳細な分析は現�Xでは可�Δ箸覆辰討い覆�。
図1 ����別半導���x場の四半期ベースでの�i�Q同期比動向
図1は半導��、IC����、マイクロ、ロジック、アナログ、メモリーの�i�Q同期比（金�Yベース）を四半期ごとに2008〜2011�Qの4�Q間16四半期に渡って図��化したものである。半導���x場は、ディスクリート + オプトエレクトロニクス+ センサー&アクチュエータ + IC����(ロジック + マイクロ + アナログ + メモリー)で構成されている。金�YベースでIC����は、半導���x場の85%��度であり、半導���x場とIC����の�x場はほぼ同じ�x場動向を��している。IC����に含まれるメモリーは半導���x場の20%�i後であり、DRAM + NANDフラッシュはメモリーの85%��度を��める。
このような半導���x場構�]の中で半導���x場の「風の向き」を見た場合、DRAMとNANDフラッシュは他の半導������と比較すると、�x場の��給関係の影�xで単価が変動しやすく、半導���x場動向に加�]や���]を加えている。しかしながら、この加�]や���]の構成比率は半導���x場の15%（���]時）〜20%（加�]時）��度であり、半導���x場の�i�Q比（成長率）が0%�i後の場合を除き、半導���x場の「風の流れ」の�妓�を変えるほどではない。
図2 TSMC、UMCの売�峩碌Yと半導���x場（金�Yベース）の動向比較
図2は、TSMCとUMCが当月の売�屬鰺盞�10日頃（����例：2011�Q4月実績、TSMC 5月10日、 UMC 5月9日）に�o表している売�峩碌Yを毎月合�Qし四半期ベースで左軸、 半導���x場（金�Yベース）を��軸に2008〜2011�Qの4�Q間16四半期に渡り図��化したものである。TSMCとUMCは世�cのトップファウンドリメーカーであり、現在この2社にてファウンドリ�x場の約2/3を���~しており、ロジックを中心に幅広く�p�m�攵�をしている。
図2より半導���x場とTSMCとUMCの売�峩碌Yが同じ�妓�の「風の向き」の中で変化している様子が理解でき、TSMCとUMCの合��売�峩碌Yを半導���x場（金�Yベース）の直�Zの「風の向き」の�妓�を�瑤觧愃Yとして適応可�Δ塙佑┐蕕譴�。
��に図2において���`すべき点は、半導���x場に���]��向の風が吹くとファウンドリ�x場にその兆�tが顕著に出てくることである。ファウンドリ�x場の20〜30%��度が半導��メーカーからの�p�m�攵�であるため、この兆�tは、半導���x場に���]��向の風が吹くと半導��メーカーは最初にファウンドリメーカーへの�p�m�攵�にて調�Dを図り、ファウンドリメーカーへの�p�m�攵�の調�Dで�x場の���]��向に�官�できないときに次の�}段として半導��メーカー�O身の�攵��ξ�を調�Dするためである。また、図2は四半期ベースで図��しているが、TSMCとUMCの売�峩碌Yは毎月�o表されているため、実��的には月ベースで半導���x場の「風の向き」が���]��向か加�]��向かを把�曚垢襪海箸�できる。
図3 Inoue Index と 半導��の�n働率動向
図3は、下記に��すInoue Index を左軸、SICASが�o表している半導��とIC����の�n働率を��軸に、2008〜2011�Qの4�Q間16四半期に渡り図��化したものである。
Inoue Index = (TSMC + UMC)売�峩碌Y（四半期ベース）/ (TSMC + UMC) ウェーハ�攵��ξ�（四半期ベース、8インチ換�Q）
�峙�Inoue IndexにおいてTSMC、UMCの両社から売�峭發亘莊扈o表されているが、四半期ベースとしている。その理�yは、両社の�攵��ξ�が���Q当期のウェーハ�攵��ξ�（実績値）、次の四半期に�瓦垢襯ΕА璽��攵��ξ�（��画値）が���Q発表時に�o表されるためである。加えて、SICASからも�n働率が四半期ベースで�o表されており、その数値との比較を可�Δ箸垢襪燭瓩任△�。
図3より、半導���x場における�n働率とInoue Indexが同じ�妓�の「風の流れ」の中で変化している様子が理解でき、Inoue Indexを半導���x場（�n働率）の直�Zの「風の流れ」の�妓�を�瑤觧愃Yとして適応可�Δ塙佑┐蕕譴�。
SICASの統���T果（実績値）は、世�cの主要半導��メーカーのデータをまとめているため、どうしても2ヵ月弱の��れ（����例：2011�Q1〜3月実績は5月下旬）で�o表されるが、TSMCとUMCの���Q発表は1ヵ月弱の��れ（����例：2011�Q1〜3月実績はTSMC 4月28日、UMC 4月27日）で�o表される。これはSICASの統��数値に�瓦渓�1ヵ月早く、半導���x場に流れる「風の向き」を把�曚垢襪海箸�できる。
また、Inoue IndexにてTSMC、UMCの両社とも���Q発表時にウェーハ�攵��ξ�と伴にウェーハ出荷量が�o表されているのに拘らず、ウェーハ出荷量のデータを�W��せず、売�峩碌Yのデータを�W��するのは、売�峩碌Yは月ベースで�o表され、直�Zの半導���x場の｢風の向き｣を毎月見直しができ、��要により�T��可�Δ箸垢襪燭瓩任△�。ウェーハ出荷量は四半期の���Q発表時しかデータが�o表されない��
ファウンドリ�j�}のTSMCとUMCの売�峩碌Y、ウェーハ�攵��ξ�データを�W��した�峙��}法は、現�Xで半導���x場の「風の向き」を把�曚垢襪砲箸匹泙蝓�����的な「風の�咾機廚鯒��曚垢襪忙蠅辰討い覆�。しかし、「風の�咾機廚��瑤訖�式【Inoue Formula】を現在検証中であり、数式が検証された時点でこの点についても触れていく予定である。また、四半期ベースにて�x場予�Rを行う場合「�k�Q間のどこにボトムとピークを�[定するのか」という関心を当���eたれると思うが、この点についても触れてゆく予定をしている。
参考�@料
1. 半導���噞における「風を読むII」〜GDPと半導���x場との相関関係から導く
2. ��湾Taiwan Semiconductor Manufacturing Company(TSMC)株主・投�@家向けホームページ
3. ��湾United Microelectronics Corporation(UMC) 株主・投�@家向けホームページ
4. 世�c半導���x場統��(World Semiconductor Trade Statistics-WSTS) ホームページ
5. 世�c半導���攵�キャパシテイ統��(Semiconductor International Capacity Statistics-SICAS) ホームページ
