地味で慎�_だといわれる富士電機が、2023�Q度に売�峭�1兆��、営業�W益800億��という新中期��画を発表したことで、関係�vは�k様に驚いている。アナリスト筋はどよめいていると言えよう。これを達成するために、パワー半導��に�_点投�@をするとして、何と2019〜2023�Q度にかけては、�i5ヵ�Q比43.2%�\の2200億��を充てるというのだ。�Q間平均でいえば400〜500億��は確実に投�@することになる。

富士電機はトヨタ�Uの納入実績が�Hいことは確かであるが、同社の半導��設��投�@は2015�Q度に74億��、2016�Q度に89億��、2017�Q度に111億��という水��であり、徐々に引きあがってはいるものの、いわば小��模投�@がずっと��いていたのだ。2018�Q度は�k気に332億��に引き�屬押�EV向けIGBTの量��を進めている。IGBTとダイオードをワンチップ化したタイプを�啣修靴討�り、�k�気妊�ールSiCのトレンチ型MOSFETの量�僝にも�Dり組むのだ。合わせて電源����や�Z載向け圧��センサも拡�jしていく。

�k�機�IGBTの世�cチャンピオンである��菱電機は、ここ数�Q、設��投�@�O��を抑えてきた。2013�Q度に360億��という�j型投�@を敢行したが、2014�Q度以�Tは100〜165億��の間をうろうろしていた。要するに徹�f的にアウトソーシングを進めてきたのだ。投�@リスクを�v�cすることが同社の基本スタンスであり、半導��の売り�屬殴薀鵐�ングでいえば、2019�Q3月期に約2000億��で国内8位に�里泙辰討い襪�、当��のことながらさらに�岼未鯀世辰討い襦�

そこで��菱電機もまた2018�Q度には552億��の設��投�@を久�気屬蠅���行した。売�嵌耄┐任い┐倅��攵嚩�Yの約3割を投�@するという積極�e勢をついに見せ始めたのだ。フルSiCパワー半導��モジュールはすでに完成しており、東�B�j学との共同研�|で、ドレイン�B�^の�jきさを左��する電子�g乱の要因を、世�cで初めて解��したことが同社には�{い風となっている。

ロームはまさにSiCまっしぐらという作戦をとっている。同社も2016�Q度は421億����度の投�@であったが、2017�Q度に559億��に引き�屬押�2018�Q度には780億��にまで���峺�させた。ロームアポロの福�K県筑後工場に新棟を建設する�k�機▲哀襦璽廚離薀團好札潺灰鵐瀬�ター宮崎にも新ラインを導入した。2021�QにはSiCデバイスの�攵��ξ�を現�Xの3倍に相当する月��1万2000��（6インチ換�Q）に引き�屬欧襪箸いΔ里澄８什�SiCでトップを行くウルフスピードを�sいて、世�cチャンピオンになることを内�霤�には表��している。そしてまたこの3カ�Qで2500億��の投�@をする予定であり、ルネサスから�A収した��賀工場の8インチラインもIGBTの量��に振り当てるのだ。

東��もまた主��の加賀東��エレクトロニクスの8インチライン拡�jを考えている。月��15万��の�ξ�があり、IGBTをはじめとするパワーデバイス�\�咾昧���投球の構えだ。2021�Q度にはディスクリート半導��だけで売り�屬�2000億��を�`指し、とりわけ�Z載に���]シフトを�]ち出しているのだ。

サンケン電気の18�Q度の半導��デバイス��業は1518億��となっているが、�O動�Z向けが794億��と��常に�jきい。2018〜2020�Q度の設��投�@は総�Y440億��を投じて、�儼船汽鵐吋鵑�よび�盜饂匆饉劼�8インチ�ξ�を�\�咾靴討い�。

新電元工業もパワー半導��の�Z載シフトを�]ち出している。これまでのデバイス��業は�D流ダイオードにあったが、今後はICを中心にしていく考えを�wめている。�J�Tのダイオード����に加え、MOSFETとパワーモジュール����が成長ドライバーと考えており、デバイス��業の売り�屬���模は500億��突破を狙い、�Z載比率50%を�`指している。

トヨタ�O動�Zから半導��工場のほとんどを引き�pけたデンソーは、半導���靆腓稜笋��屬欧鮟o表していないが、少なくとも3000億��以�屬呂△襪噺世錣譴討い襦Ｈ焼���の50%は半導��センサであり、残りはASICとパワーモジュールが��めている。�Z載SiCデバイス供給に向け���△鬚靴討�り、新日本無線を通じてオーディオ��SiC、パワーデバイスの供給を開始した。こうしたこともあって、新日本無線は新工場建設を予定しているようだ。また富士通から�}に入れたデンソー岩�}も今後�啣修��妓�にある。半導��IPの開発・設��を行う新会社エヌエスアイテクスを設立したことで、�O動運転向けの次世代プロセッサ開発に����をあげる�k�機�低��失のパワーデバイスの新��開発にも�R��している。

こうした日本メーカーの�Z載向けパワーデバイスシフトは、世�cの流れの中で��に顕著な出来��である。日本勢以外でまともにパワーに投�@しているのは、欧�Δ離ぅ鵐侫�ニオンくらいであるが、今後は中国勢がパワー半導��で���]にキャッチアップしてくるとの情報もあり、����を挙げて世�cの流れから�sけ出していく�咾ちT志を�wめていると言ってよいだろう。