パワーデバイスについては、ウェーハ�攵��ξ�で言えば、2022�Q段階で650万��以�屬乏判jする見通しであり、2018�Qに比べ100万��以�屬砲覆襪�SEMIは見通している。しかしながら、こんなペースではとてもではないが、EV（電気�O動�Z）やHV（ハイブリッドカー）などのエコカーの加�]にはキャッチアップできない、との考え��(sh┫)も�咾ぁ�これゆえに、パワーデバイス�Q社は�k気に投�@を�屬欧討�ている。

Infineon Technologiesは、世�cで唯�k、ドレスデン工場で300mmウェーハによるパワー半導��を量��しているが、2カ所�`の300mm工場を、オーストリアのフィラッハに立ち�屬欧討い襦�パワーMOSFETとIGBTの量��を開始する予定。このInfineonに�瓦掘⊇乘@を表��したのがデンソー。また�k��(sh┫)で、ルネサスエレクトロニクスへの出�@比率も引き�屬欧拭�さらにデンソーは、�B都のFLOSFIAとも�@本提携し、�┣愁�リウムパワー半導��の�Z載応��に向けた共同開発を進めることにも合�Tした。トヨタ�O動�Zから半導��／電子����の�攵���業を�����ヾ匹垢���(sh┫)向にある。

ON Semiconductorも300mm�攵�に����的な動きを見せている。GlobalFoundriesが保�~していたニューヨーク�Εぁ璽好肇侫�ッシュキルの300mmライン（Fab10）を�A収した。��菱電機もまた、拠点の�y本工場に300mmウェーハの本格的な導入を内定している。広��県福�儿�場は当�C、後工��の拠点として����する。しかしゆくゆくは、�y本が満�Jになれば、福�僂任�300mm�攵�も検討課��。富士電機は、2023�Q度までの5�Q間で総�Y1200億��の設��投�@を実行する。�i工��では、8インチ�ξ�を約3倍に拡�jする。300mmについては検討中であるが、それよりはSiCの量��ライン構築に関心が�咾ぁ�

GaN on Siについては、�X耐性が���]に高まっている。これまでは�Z載は�Mしいとの判��もあったが、ほとんど��色なく�Z載�官�の条�Pを�△┿呂瓩燭海箸��R�`したい。何と言っても、SiCに�瓦靴討魯灰好箸��Wさが拡�jの要因になるだろう。世�c初のスピントロニクスMRAMの�k�霈�量�攵�を開始している東���j学の国際集積エレクトロニクス研�|開発センターは、これをリードする遠藤哲�r教�bの指導のもとに、MRAMとGaN on Si、つまりはパワー半導��の組み合わせを考えており、これと連動するスピントロニクスマイコンも作り�屬欧拭�

昨今のEV、PHV（プラグインハイブリッド）さらにはFCV（�\料電池�Z）などのエコカー�々圓瞭阿�が���]に広がっている。こうなれば、ECU（Electronic Control Unit）無しには�Zを走らせることができず、現在でも高級�Zでは100個以�屬�ECUが搭載されている。�Z載ECUの�x場はすでに8兆��を��えてきており、2030�Qにはほぼ倍�\の15兆��まで成長すると言われている。

ECUを構成するセンサ�x場については、2030�Qにはこれまでの倍�\の約2兆��まで成長すると予�Rされている。�x場��模がもっとも�jきいのは、�a度センサである。圧��センサも�jきな�Pびが期待されるセンサの�kつである。磁気センサもエンジンマネージメントや変�]�U御、電動モーターを中心に搭載が進む。もっとも�jきな�Pびが期待されるのが、イメージセンサである。ソニーによれば、完���O動走行運転を実現するためには、1��の�Zにソニー��のCMOSイメージセンサを32個積みこまなければならないとさえ言っている。

�Z載マイコンもまた、�_要な�x場である。ルネサスは�Z載��マイコン/SoCにおいて、世�cトップクラスのシェアを�eっている。先端マイコンの����不良率で0.1ppm以下（1000万個に1個以下）を実現しており、�s群の�Z載����を�△┐討い襪海箸如▲罅璽供爾�らは��常に高い�h価を�uている。28nmプロセスのフラッシュメモリー内�泥泪ぅ灰鵑�量��の時を迎えている。エコカー、�O動走行、さらにはコネクテッドカーという流れの中では、これまでの�U御マイコンの2倍〜3倍を使うことになる。すなわち、二�_�U御、または���_�U御という形になっていくわけであり、これだけでルネサスの�Z載マイコンは売り�屬欧�2〜3倍になっていくのだ（��集室�R）。

ミリ�Sレーダーは、�i��(sh┫)監��向けの77GHzと周辺監��の24GHzに加えて、今後79GHzが法�D�△気譴襪海箸農�長の時を迎えている。77GHzミリ�SレーダーMMICでトップシェアを�eつのがNXP SemiconductorsとInfineonであるが、これまで後塵を拝してきた日本勢が巻き返しに出ている。デンソーは、電�Sを送�p信するところの2カ所にICを集積することでセンサの薄型化を実現しており、トヨタのカムリなどに搭載し、拡�jを狙っている。また、古�QASは、マツダのCX5向けに24GHz��ミリ�Sレーダーを量��している。古�Q電工グループが�~する�j容量の光通信機�_などで培った信��(gu┤)伝送�\術や高周�S�\術を応��する。住友電工の24GHzレーダーも出てきた。

電子デバイスがSDGsに�jきく貢献するというのは、間違いのないところである。今�vは、�Dり�屬欧覆�ったが、日本電��のモーターやミネベアミツミのリチウムイオン電池保護IC、��田やTDK、�陵柩凝鼎寮兪悒札薀潺奪�コンデンサなども�k�j�R�`の電子デバイスなのだ。これを徹�f的に�{っかけなければ、との思いが筆�vにはとてもとても�咾い里任△襦�

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�U御マイコンはほとんど��てのECUに使われるが、��てのECUを二�_化するわけではない。人命にかかわる、いわばミッションクリティカルな機�Δ僚蠅��N長構成をとる（二�_化する）が、コストとの兼ね合いになる。