こうした世�c�Q国による�j��模な�噞��策が�t開されている中で、��が�_かった我が国もようやくにして国家の威信をかけての半導���噞基盤の���顕修砲弔覆�る��策を�]ち出し始めた。「異次元ともいうべき予�Qを組まなければどうにもならない」との判��が���B�O�c党にはあるという。�盜颪箍��Δ砲睇��發垢襪曚匹龍碌Yを���Tすべきだという�T見も�Hく出されており、数兆����模での実行プランを策定中であるとも聞いている。

�Jに動き出しているものとしてはAIチップ設��拠点、3次元実���\術開発拠点、RISC-V（リスクファイブ）設��拠点、スピントロニクス省電��ロジック半導��開発拠点など最先端ロジック半導��の設��開発拠点を�D�△靴討い�ことにかなりの予�Qがさかれることになっている。

また��せて、我が国が失った先端半導��（40nm）未満について�L外ファンドリの協��を�uて、新たに工場を設立することも内定している。これが言うところのTSMCの日本への誘致であり、今のところは九�Ε┘螢△某塀个垢襪噺世錣譴討い襦�5000億��から1兆����度の投�@が実行される見通しであり、かなり�H�Yの���\金を���Bが���Tしているようだ。

またわが国のお家芸ともいうべきパワー半導���啣修砲弔い討��]ち出した。2020�Q段階で日本勢のパワー半導��の世�c�x場シェアは3割となっているが、さらなる��争��をつけるために徹�f�мqするというのだ。��高効率の次世代パワー半導��（SiC、GaN、Ga2O3）の実��化に向けて研�|開発�мqをするとともに、導入�膿覆里燭瓩糧焼���サプライチェーンの設��投�@�мqなどを実施していく。���Bにしては珍しく、この次世代パワー半導��については数値�`�Yを出している。すなわち2030�Qまでに省エネ50%以�屬亮＼ぢ絅僖錙屡焼���の拡�jを進め、日本企業が世�cシェア4割（1.7兆��）を�耀uすることを�`指すと言っているのだ。

加えて、日本の黄金�\ともいうべき光�\術と半導��の融合を図るための施策も�]ち出している。オプトという世�cは日本がすでに先頭を走ってきた。光配線化によるデータセンターの省エネ化を進め、2030�Qの5G/6Gのオール光時代を見据えて光エレクトロニクスデバイス、光電融合プロセッサの開発も進めるというのだから、��くもって素晴らしいと言って良いだろう。

しかしこうした経�愱の�]ち出した�噞��策について疑問を唱える向きも少なくない。まず2nmプロセス以下の半導��をまともに作れる施設を�eたないで、あくまでも外国企業を誘致する施策は、何とノンアクティブであるかということだ。現�Xで2nmプロセス以下を達成できると思われる企業は��湾TSMC、�f国Samsung、�盜�Intelしかない。東��やソニーは40nmプロセス以下のところで、かなり躓いてしまった。他国に最先端ナノプロセスを依�Tするという形でどのような開発を進めても、�O国のものにはならない。

そしてまた工場を作るリスクを恐れていては、世�cでは戦えない。�L外ファウンドリを�}ぶのではなくて、日本が�Oら���Bと�c間のジョイントベンチャーを作って最先端プロセスを�eつ半導��工場である「ジャパンファウンドリ」を作ってこそ本�颪世箸いμmも�咾ぁ�しかし経�愱はこれを�v�cしている。すぐ�}に入らないからと言って、中長期の未来戦�Sを投げ出してはならないだろう。

かつての70�Q代後半に日本���Bが命をかけて行った��LSI開発プロジェクトは、10�Qから15�Q先を見据えた開発であった。そのために�pも流し汗も流した。しかし「やれる�J囲でやればいいさ」という気風がどこかに流れているような気がしてしょうがない。

もちろん10数�Qぶりに、どでかい半導���噞に�瓦垢誅�策プロジェクトを出したわけであるからして、これはかなり�h価している。ただ画期的な�覦茲貌Г濆�み、世�cの最先頭に立つくらいの気構えが欲しいのだ。それは夢であろうか。いやそうではない。かつての日本人はそれを成し�~げたことがあるからなのである。