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開発はO分にプレッシャーをかけ、常に真剣M負で臨もう

i報(参考@料1)で、実化のため独創を発ァした例として、喜H川v久の業績に触れた。喜H川は盜颪離謄サス・インスツルメンツ・インコーポレイテッドで、1Tr. 1C(以下1Tr型と記す)の基本セルを使って4K DRAMを世cで初めて開発した(参考@料2-4)。i報の原Mを作成した時に実関係確認のため、幾度か喜H川とM信を交わしたが、ごH忙の中、そのすべてに瓦靴憧銖H川からごtな返を頂いた。そのM信の中にも開発\術vに広くお伝えした気良いと思われる内容がHく含まれていた。喜H川にo表のお伺いをしたところMされたので、i報のとして紹介しておきたい。本報ではi報作成後に交換したM信も含めている。

i報の繰り返しになるが、喜H川はテキサス・インスツルメンツ・インコーポレイテッド(以下TIとSす)フェロー、日本テキサス・インスツルメンツ(株)デザインセンター長、店業j学(現東B都xj学)客^教bを歴任され、現在、電子情報通信学会フェローでビジネス パートナー ジャパン代表D締役である。

まず時代背景として1Tr型DRAM基本セルについて述べる。これはMOS FETにおける比例縮小Гb文(参考@料5)の著vとしても~@な、IBMのデナード(R. H. Dennard)の発(参考@料6)によるものである。1967Q7月14日に盜出願され、1968Q6月4日に登{されている。

日本ではその頃、SiO2膜やSi-SiO2 cCU御がまだMしく、1965Q11月から東Bj学(現在、@誉教bおよび東洋j学@誉教b)の菅野Rd先擇鮹羶瓦法∨莊30〜40人の研|vが集まって、「シリコン┣祝豸|会」というM的な研|会が開され、真剣な討議がなされていた。それがまとめられて「MOS電c効果トランジスタ」(参考@料7)として発刊されたのが1969Q1月であり、そのである「MOS電c効果トランジスタの応」(参考@料8)が出版されたのは、j学R争時代を経て1974Q7月であるといえば、j気瞭蒜vは、当時のMOSデバイスに関する\術的な時代背景が把曚任よう。

日本がこのような時代に、盜颪膿个気譴織妊福璽の(参考@料6)は、「単kの電c効果トランジスタと単kのキャパシタを組み合わせて基本セルとする」メモリに関するものであり、また「そのキャパシタの代わりに2の電c効果トランジスタを配して、その2の電c効果トランジスタの基とゲートとの間のキャパシタンスを記憶の蓄積にいる」場合も含めた内容で、「電c効果トランジスタメモリ」という表になっている。この細書には動作原理についても詳細に記述されているが、今では広く周瑤気譴討い詁睛董併温憂@料9)なので、ここでは省Sする。

さてそのようなデナードのも、それを実化した喜H川は、当時そのT在すら瑤蕕覆ったという。以下喜H川からのM信を、可をuて掲載させて頂く。本Mに無関係な霾は省Sし、( )内の文章をけ加えて筋がわかるようにした。なお、他のM信に瓦靴討眛瑛佑塀をさせて頂いた。「 」内の「M」は喜H川である。

「(iS)Mは外@Uにおり、日本の\術cから`れておりましたので、Mの1Tr型 4K DRAMの設は、IBMのとインテルの著@な『1103』―3Tr型1K DRAM―の陰に隠れて、日本ではほとんど瑤蕕譴討い覆ったようです。[筆vR:喜H川によるTI4K DRAMは、実際には本人が思う以屬貌本でも瑤蕕譴討い燭海箸聾綵劼垢襦] もっともIBMは、Mは当時そのT在すら瑤蠅泙擦鵑任靴拭しかしおかげさまで後日、Hくの日本のDRAMメーカーからHYの使料を頂くことで、TI には貢献ができたようです。日本半導業cの發任△辰燭箸發い┐泙垢。
ちなみに、1チップマイコンのもインテルではなくTI がeっています。90Q代に裁判で最終確定しました。Mの席から数席`れたところでマイコン設にしていたコックラン(M. Cochran)とブーン(G. Boone)が発v(参考@料10)です。
ついでですので、1970-1972頃の設環境をご紹介しますと、TIではMOSメモリの設\術vは10@以下で、シフトレジスタとか6Tr、4Tr、3Tr、2Tr型セルなどを使したメモリを}分けして開発していました。インテルに先行されたために、TI として、きょ『1103』をリバースエンジニアリングして、3Tr型セルで商化したこともあります。Mはそのリバースエンジニアリングにはノータッチでしたが、H社のカスタムメモリとして、変形3Tr型セルを開発し、2K DRAMにして、1971Q頃、設・納入しました。これは、通常の3Tr型が3個のトランジスタと2本のアドレス線および2本のデータ線で構成されるところを、データ線を1本にして、さらなるコスト低を狙ったものでした。
翌Q、TI は当ながら、(インテル3Tr型1K DRAMの)『1103』を飛び越え{いsくため、4K DRAMの設を開始しました。スポー(B. Spaw) という{}\術vが本命の 3Tr型セルをい、Mがバックアップとして1Tr型セルの設開発を担当し、社内開発争です」(参考@料11)ということであった。

o表されている文献(参考@料2、3)が複数の著vであったので、当グループを成して開発されていたのかと思ったが、念のため確認したところ、喜H川は次のように答えてくれた。

「当時の設スタッフは、Mとレイアウトテクニシャンを含めて当たりわずか2@です。(中S)ですから、(Mは)設の此垢泙盃`が届き、O分M}なv路を使い、今思えば、それはそれは楽しい仕でした。たまたまMの設(した)が、1vで良好に動作したのはm運でしたが、れたスポー が後日インテルに,鞫T果になったのは、同^としてksのg百兇魍个┐燭發里任靴拭
発表以来、1Tr型セルのは当時x場になかったので、Hくの合他社からコピーされたのは、本当に設v冥Wに尽きます。残念なのは、(歩里泙蟆動のため)現場に時間をとられ、次世代の設に時間を割けなかったことです。64K世代以Tでは、(Mは)メモリ設から`れていましたが、日本勢はグループやチームUで開発を進め、その後のT果はごR瑤猟未蠅任后
また、引されている(参考@料3)と\術小文(参考文献2)には、クオー(C. Kuo)F士の@iが最初に出ていますが、(彼は)Mの所錣靴討い陲寮濕霙垢任后設の疑法環境構築など、親身に指導していただいた恩人です。英語が不u}で、現場(での\術動)で時間がとれないMに代わり、クオー F士に発表文、などをお願いしたので、F士の@iが先頭に来ています。参考までに、(参考@料2の)他の著vは当時の新任霙垢肇廛蹈札霙垢任后文緇S)」(参考@料11)。

以屬pけて書き直したi報(参考@料1)の原Mに瓦靴董以下の返(参考@料12)を頂いた。

「(iS)今vは、何の違和感も感じません。(中S) Mの場合は家帯同で盜颯┘鵐献縫△箸曚榮嬰のでしたが、業績が屬らないとtレイオフですので、毎日が真剣M負でした。Mのようなvでも攘xをかけた戦いをすれば、それなりの成果が絞り出せるものなのでしょう。
その点、今の{}はLまれすぎていますから、ξの発ァがMしくなっているような気がします。ZQは、中、f、、印の\術vにすっかりsかれてしまったようで残念です(後S)」。ここまでがi報をまとめるに至った中経圓任△襦

このような素晴らしい業績に関しては、その業績を屬欧新舒沺△っかけ、理yなどをらかにして、後進のためにすべきではないかと思い、その旨を書き送ったところ、ご了解頂くと共に、その業績のk陲凝集されている喜H川の(参考@料3、以後盜登{番、硫3桁をとり、747と記す)に関して、以下のようなM信(参考@料13)を頂いた。

「(iS)Mの747は、80Q代のTI 監本メーカー間の巨YなR争の中心的役割を果たしたものです。ですから、(相}笋蓮砲海の新性とか独創性を認めるとライセンス払いが\えますので、(このの価値は)TI以外ではくh価されなかったという、いわくつきのものです。R争が絡んでいると、(価値判やh価も)U限されるものです。
またロイヤリティをnげるようなは、(k般には)\術的にはつまらないことがHく、(今ではコロンブスの卵で、747を読んでも)あくびが出ることがHいでしょう。(中S) ちなみに、MがO分でも新性が高く\術的にも価値があるとO負していたは、インテル社が1度使いましたが、そのがあまり売れず、ロイヤルティ収入はゼロで、T果的にTI社 にとって無価値でした。皮肉なものです」とU古しておられる。

747(参考@料3)の内容は、センスアンプやプリチャージv路、バッファv路、ダミーセル配などに瓦靴董化するまでになされた喜H川のH数の独創的発をまとめたものである(参考@料1)。

この内容は1973Q8月の出願後、1973Q9月には盜Electronics誌に発表(参考@料2)され、また日本のエレクトロニクス誌(オーム社)でも1974Q2月に、「nチャネルMOSダイナミックRAM 4k時代に」という集。併温憂@料14)が組まれ紹介されている。そしてが登{されるiの1975Qには、先端\術の書籍、例えば新田松d・j表良k共著、「ICメモリの使い機廚涼罎如TI4K DRAM (TMS4030) に使われているセンスv路の詳細や動作タイミングが説されるまでに至った(参考@料15)。ってご本人が思う以屬冒瓩せ期から、日本でも瑤蕕譴討い燭海箸砲覆襦


図1 TI1Tr型4kDRAMの配図[喜H川の747細書(参考@料3)のFig.2より]

図1 TI1Tr型4kDRAMの配図[喜H川の747細書(参考@料3)のFig.2より]


図2 TI1Tr型4K DRAMに使われたセンスアンプv路図とそれに連なるダミーセル、およびチャージv路図[喜H川の747細書(参考@料3)のFig.4より]

図2 TI1Tr型4K DRAMに使われたセンスアンプv路図とそれに連なるダミーセル、およびチャージv路図[喜H川の747細書(参考@料3)のFig.4より]


ここで少し喜H川の発のk端をご紹介しよう。図1は747細書(参考@料3)のFig.2であり、図2は同じくFig.4である。図1のように両笋32×64ビットのセルマトリックスが配され、中央の`に図2のセンスアンプとチャージv路が配`されており、さらにプリチャージv路PVGがそこに接された構成になっている。世c最初なので、その当時はこの構成そのものにも新性があった。

またここでは図2のように、センスアンプはダイナミックラッチ型アンプを採している。そしてダミーセルがセンスアンプに接されており、そのダミーセルはデコーダのインターロック機Δ働きやすいように配されている。このような配も徴のkつになっている。

もちろん、このようなシステム構成や配は時代と共に変わってくる。喜H川は以下のように説している。

「センスアンプは、完なダイナミック擬阿任覆い里如▲札鵐轡鵐案虻鄰罎歪蠑鐡杜が流れます。当時は、完ダイナミック擬阿鰤k番_要なセンスv路に使うのに、まだためらいがありました。
また数Q後にはダミーセルsきの擬阿k般的になりました。シミュレーションと確なセルの駘的データがあれば、センスアンプのバランスは容易となりダミーセルを省けます。
ちなみに、当時は、コンピュータの入はパンチカードで(行う時代で)、まだまだQ時間、@度ともBりません。シミュレーションごとに、パンチカードのj箱をZでIBMセンターに運びこんだのを思い出します。レイアウト設図はすべて}書きで、デジタイザでの}動入でした」(参考@料16)。

\術の進歩と共に、図1のシステム構成は変わった。しかし、世c初を達成するために、この発の図1のシステム構成が果たした功績が、それで消えたわけではない。

ついでながら喜H川は、「80Q〜90Q代にかけシミュレーション環境がに進化するにつれて、\術vがコンピュータに頼りきり、あまり考えなくなり困ったことを思い出しました。2000Q〜現代はインターネットのW環境がに進化するにつれ、{vが同様のシンドロームに陥りつつあるように思います」(参考@料16)と{vに警を鳴らしている。

さてv路動作を少し細書にって説しておこう。図2で電圧発v路PVG1は高い電位 VDD−nVT(nはv路設屮蝓璽マージンをコントロールする変数であり、本実施例ではn=2としているので、以下その実施例で記述する)の電源供給端子であり、PVG2は接地電位を供給する。ここでφがハイの時に電源v路は切り`され、トランジスタ5をオンにすることで、PVG1とPVG2が等電位になり、ほぼ (VDD−2VT )/2が作られる。くプリチャージ期間にこの電位がダミーセル(図ではBasic Cell XdumDn)に々圓掘▲瀬漾璽ャパシタC、Dに印加される。

ほぼ同じタイミングで、センスアンプの信(φDSのバー:反転信、料T味、集室R)をハイにすると図中のトランジスタ1がオンになり、A点とB点が同電位になる。くセンス期間中に、記憶セルの"1"(VDD−VT)と"0"(接地電位)のいずれかの電圧とダミーセルの電圧(VDD−2VT)/2を比較することにより、"1"と"0"とを効率よく区別できる。

厳密にはここで述べている電圧にキャパシタ容量Cをかけて電荷表にするのが電荷センシングというT味でしいが、表記、キャパシタCとRらわしいので電圧表のままにした。またダミーセルキャパシタの電圧が、"1"(VDD−VT)と"0"(接地電位)の中間値(VDD−VT)/2とVT/2だけ差があるのは、セルのリーク分が考慮されたからである。

k言でいうと、ダミーセルキャパシタを"1"(VDD−VT)と"0"(接地電位)のほぼ中間値の電位にしておいて、それを基としてセルの電荷と比較し、"1"と"0"との判別を効率よく行おうという考えである。

これらのプリチャージ期間に端子AとB、端子PVG1とPVG2を等電位にするようなequalized precharge という考え気癲△海糧の徴のkつである。equalized prechargeという、不咾壁vにとって耳慣れない言に関する愚問に瓦靴董喜H川からはM信(参考@料17)で以下の答えを頂いた。

「これは]語です。でも盜颪任呂海譴覗T味は通じました。v路\術のBですので、少々込み入ったBになりますが、要はラッチ型センスアンプの両端子をプリチャージの時間の間に]絡して中間の等電位に調Dするv路\術のことです。
今では、当たりiの\術で@iもありませんが、当時は微小信、鮓―个垢訃}段としてjいに役立ちました」。

また喜H川は、ずしも発vの予R通りにはならないの価値について、i記のように触れておられるが、発vがこれはjな発だと思って出願したが役に立たず、何気なく出願したが、後に役立つ例は挙にいとまがない。日本が現在保~している~効100万Pの内、未が65%(参考@料18)もあるということからも、それはらかである。また、実化のための開発では、こんなものがになるのかと思われるようなものもHい(参考@料19)。そしてそのようなものこそが、擇澆憐Zしみを味わったにたどりく\術であり、開発実化にはQ_な発になる。

実、喜H川が「読んでもあくびが出たことでしょう」と謙された747でも、「価値のある霾はデータ読み書きやセルIのシステム構成で、そのような基本構成は、ビット数がムーアの法Г濃\加しようとも変わりませんから、合他社がどんな新v路を使おうとも(B触しますので)、長い期間、(TIは合他社から)使料をけたのでしょう」と、その効果を述べている。そして、

「k般にシステム構成の性判はMしいものですが、完成度の高いのベースとして申个垢襪海箸如⊃なものとして認められ登{されたのではないかと思います。ですから、交渉では、この点がjいにb争されたようです。
の価値は、高いものほど\術的には価値が低くみえ、またb争もHいようです。逆にいうと、価値があるからb争するのだとも言えるかも瑤譴泙擦鵝廖併温憂@料20)とのことであった。

後進にとってjなのは、先人が[するまでの壻や、その[のきっかけを学び、O分の今後に擇すことである。喜H川のTIにおける1Tr型4K DRAMの開発、実化までのB跡から学ぶべきことを、筆vなりに以下、3点まとめてみた。

1)仕を好きになる
喜H川はi記のように、仕そのものが「それはそれは楽しいものだった」と振り返っている。その理yが「設の此垢泙盃`が届き、O分M}なv路を使えたからだ」とのことである。

O分M}にやれたからか否かは別として、ともかく「楽しく」仕をすることが成功の秘Sのkつと言える。中国にも「k笑k{、k怒k髻廚箸いΩ撰がある(参考@料21)。楽しく仕をすることがN内性化につながり、それが良いT果にTびつく。

そのためには仕が好きにならなければならない。「好きこそものの崗}なれ」である。「担当vにとっては仕が好きになる」、「峪覆砲箸辰討話甘vに仕を好きにならせる」ことが、まず_要である。喜H川の峪覆離オーは、設霙垢箸靴董∪濕の疑法環境構築など、喜H川を親身に指導したという。喜H川から「恩人」と言われているが、クオーの指導は峪覆箸靴討凌換修┐鮗zした例(参考@料22)のkつであろう。

2)「真剣M負で臨む」「O分にプレッシャーをかけよ」
喜H川の「業績が屬らないとtレイオフで、毎日が真剣M負。攘xをかけた戦いをすれば、それなりの成果が絞り出せる」、「今の{}はLまれすぎて、ξの発ァがMしくなっているような気がする」という文章も唆に富む。

ZQの学擇瞭盡きなe勢kつをとってみても、{vが「古い」と揶揄する筆v達の「鮨諭彁代と比較すると、差は歴である。あらためて奮を任靴燭ぁ「もっと貪欲に、もっとがむしゃらに」ということである。言い気Kいとすれば、「もっと元気に、もっとハングリー@神をeとう」と言えばよいだろうか。もう言い古された言であるが、スティーブ・ジョブス(S. Jobs)の言、「Stay Hungry. Stay Foolish.」(参考@料23)をあらためて思いこしたい。

本Mのチェックを依頼したとき、また新しいコメント(参考@料24) を頂いた。
「真剣M負を(材に)採り屬欧燭里蝋里韻泙后なかなか気づきませんが、\術v個人にとっては最もjな点と思います。しかしながら、現代は真剣M負の環境がありません。{い人に望んでもしょせん無理なように思います。ですから、Mは店j(現東B都xj学)の学擇砲"ほらを吹け"と教えました」。

i報(参考@料1)の、喜H川が指~する実化開発の発vの要Pとして、「3.当該分野でエキスパートでないこと」の解圓瞶Mしかったが、「ほらを吹け」も、最初は「エ!何?」となった。

喜H川は「真Tが伝わったかどうかわかりませんが、よくスポーツ}が試合iに優Mx言をして"(Oらの)路を絶つ"のと同じ桔,隼廚い泙后廚箸靴動焚爾里茲Δ砲O分の経xを説してくれた。

「当時、TI の世c戦Sのk環で、世cQ地のЪ劼ら設\術vを募ったのですが、Mもその(応募vの)1^でした。そこにはj勢のPhDが集まり、M(学士)以外は^マスター以屬任后たまたま渡iに`を通したエレクトロニクス誌の最新、如悒瀬ぅ淵潺奪MOSv路』が、最新\術としてほんの少し触れられていました。そこでまともな仕をもらうのに、ダイナミックMOSを設したい、と"jぼら" を吹いたのです。失うものがない{さでしょうか。v路の動作原理の識すらなかったのですが(Oら路をっておりましたので)、後から集中的に咾掘覆泙靴拭最終的にはそれが)認められ、靆腓虜把_要プロジェクト(4K DRAM)を任されることにつながりました。
今では、「真剣M負」というと、「プレッシャー」として反bがjいにありそうですね。 エンジニアはプレッシャーがあってこそ成長すると思います。L外ならプレッシャーに弱い人はテクニシャンにはなれますが、エンジニアにはなれません。(後S)」。

この項`のタイトルに「プレッシャーをかけよ」と記したのは峙のコメントによる。

3)適切な優先順位Iと開発納期の厳守
開発に優先順位をつけることも_要な戦Sのkつである。この場合に例えると、4K DRAM開発に当たり、(1)1Kから4Kへビット数を\加させた新を開発しなければならない。そのとき(2)3Tr型から1Tr型へ型式変をして開発するかどうかである。

通常、量の場合、二つのリスクはcけるのが常套策である。量が軌Oに乗るiに問が発擇靴疹豺隋⌒kつのリスクの気、原因|が容易だからである。TIとしては、3Tr型ならリバースエンジニアリングとはいえ、実績がある。また変形3Trの経xもある。}くリスクはkつにしておこうというのであれば、(2)をcけて、実績のある3Tr型で(1)に臨むのが本命であろう。

しかし、合相}のインテルも3Tr型で4K DRAMの開発を当進めているはずである。さらに、もしインテルが4K DRAMを1Tr型で開発を進めていればどうなるか。もしそれで先行されるようなことがあれば、TIとして3Tr型で成功しても、1Tr型の気素子数もチップC積も少なくできるので、インテルの優位性を{い越すことはできない。

k機△海海1Tr型を本命にすれば、この場合は(1)ビット数\と(2)型式変の2つの新しい\術開発に挑まねばならない。しかも(2)には(a)電流センシングから今まで例のない電荷センシングv路への々圓函(b)MOSキャパシタによる電荷保eという、二つの高い壁が待ちpけている。下}をすれば、x場の要求する納期に間に合わず、失`するe険性も高い。

しかしもしこの1Tr型が成功すれば、仮に社内争させている3Tr型が成功したとしても、的にコストCの来性から1Tr型をぶことになろう。そう考えると確実にインテルを{いsくためにも、あるいはKくても{いつくことを狙うとすれば、本命は1Tr型になる。

TIとしてどちらを本命にぶか、椶爐箸海蹐任△辰燭隼廚ΑN名癉ち屬音のリスクを考慮して、ivを本命とし後vをバックアップにするというIをしたのも、}さという点ではやむをuない。ラインが1日Vまれば、億単位の不n働失が発擇垢襪里如⇔名\術を担当した経xvなら肯けるTbである。しかしこの場合のバックアップは峙の理yで、限りなく本命にZいバックアップになる。

後vを担当した喜H川の責は、峙の(1)、(2)の2つの新しい開発と、後vに含まれる(a)、(b)の2つの新しい課をタKし、しかもムーアの法Гら予Rされる時期にを間に合わせることにある。あるT味では本命以屬亡待を集めていたと思う。

喜H川の設によるDRAMは、素晴らしいことに最初のウェーハから良がDれたと言う(参考@料4)。垉遒房太咾里覆擬阿覆里如v路設の此垢泙盃`を通し、なおかつ新な[をEり込みながら、x場の要求する時期までに見に完成させた。そこには、ご本人が言う以屬法厳しい納期管理もあったと思う。このPに瓦靴討盡勤Mチェック時に、以下のような{加コメントがあった(参考@料24)。

「納期管理も_要な指~です。(エンジニアは)創]性_からなかなかsけ切れないものだからです。このの開発時は、M達にとっては2人`の子になる長男が1歳i後で、}がかかる頃だったのですが、毎日のように終業後、いったん帰瓩靴道匐|のC倒を見てから蓮会社に戻り開発をけたことを思い出します。今なら『モーレツイクメン』とでも言われそうです。
日本人は曚箸いい泙垢、労v平均ではしいでしょう。しかし、\術vに限ると、
L外のエンジニアの気屬世隼廚い泙后L犠Gな残業はありませんが、要な時には集中的にプロジェクトを期限内に完成をさせます」。

以iにも記述(参考@料25)したが、戦S立案と開発納期厳守は何にもまして開発\術vの心しなければならない_要項である。

以3点に絞って喜H川の成功例からまとめてみた。言うまでもなく、\術vやリーダーのT気込みだけで、業がやれるかというと、それだけではないことはOである。i報記載のように、成功している他国の合企業を冷に分析し、確wたる信念のもとに立案された戦Sとマーケティングが要である。それがなされているという条P下での、企業で働く開発\術vの心構えを記述した。

本Mが少しでも開発を担当される\術vの勇気づけのk\になり、ご参考になればm甚である。

【a】
喜H川v久に、今vもi報に引きき、原Mのチェックをして頂いた。それと共にたくさんのコメントを頂し引したので、筆vが誰なのか判らないくらいである。本来なら連@にして発表すべき内容であるが、本コラムの性屐単@をおし頂きたい。またテキサス・インスツルメンツ・インコーポレイテッド法 日本法的財玢霙后]v邦には御H忙の中、本Mに`を通して頂いた。そしてまた、いつもの通り氾辻集長にはh読をお願いした。せ厚く御礼申し屬欧燭ぁ

r志田 元孝 田R先端財団プログラムスペシャリスト


【参考文献】
1. r志田元孝、"ナノテクノロジーの噞振興をごう"、Semiconpotal
2. C. Kuo, N. Kitagawa, E. Ward, P. Drayer, "Sense Amplifier is Key to 1-Transistor Cell in 4096-bit RAM", Electronics Vol. 46, pp. 116-121, Sept. 13 (1973)。
3. C. –K. Kuo, N. Kitagawa, "High Density, High Speed Random Access Read-Write Memory", US Patent 3940747, Feb. 24 (1976)
4. 喜H川v久、"時代を変えた発[ 1トランジスタDRAMを創出 最初のウェーハでビット動作"、NIKKEI MICRODEVICES 1993Q2月pp.135-136
5. R. H. Dennard, F. H. Gaenssien, H.-N. Yu, V. L. Rideout, E. Bassous, A. R. LeBlanc,
"Design of Ion-Implanted MOSFET's with Very Small Physical Dimensions," IEEE J. Solid-State Circuits SC-9, 256 (1974)
6. R. H. Dennard, "Field-Effect Transistor Memory", US Patent 3387286, June 4 (1968)
 このPはS. Takei、"DRAM1トランジスタセル基本(R. H. デナード、IBM社)"、http://homepage3.nifty.com/circuit/dokusou/tokukyo7.pdfでも紹介されている
7. 菅野Rd、小野^、谿羚夫、「MOS電c効果トランジスタ」、日刊工業新聞社刊(1969)
8. 菅野Rd、谿羚夫、「MOS電c効果トランジスタの応」、日刊工業新聞社刊(1974)
9. どこにでもこの説はあるが、例えばr志田元孝、「改ネ如Ε淵離好院璽詒焼実z工学」、丸仙出版センター刊(2010)、p.3
10. 例えばウィキペディア英語版に、TI出願のG. Boone, "Computing Systems CPU", USP3757306(1973)およびG. W. Boone and M. J. Cochran, "Variable function programmed calculator", USP 4074351(1978)を引した詳しい説がある
11. 喜H川v久、M信 (2012Q2月23日 13:26)
12. 喜H川v久、M信 (2012Q2月23日 22:49)
13. 喜H川v久、M信 (2012Q2月25日)
14. "集―nチャネルMOSダイナミックRAM 4k時代に"、エレクトロニクス、オーム社刊、(No.2、1974)、pp233‐254
15. 新田松d、"3.4.6 1素子メモリセル"、新田松d、j表良k著「ICメモリの使い機廖⊂狇刊 (1975)、pp.66-69
16. 喜H川v久、M信(2012Q3月7日) 
17. 喜H川v久、M信(2012Q1月31日)
18. 例えばvM己、"`覚めよ!休"
19. 例えばr志田元孝、"3.1 戦S的な発の発E、い出し"、兀襌哉監T、r志田元孝著、 信文著、「これからの的財庀」、税研|会出版局刊(2007)、pp.82-114に、こんなものでもになるという筆vの実例を掲げた
20. 喜H川v久、M信 (2012Q3月8日)
21. 例えば春兔{d、「N内革命2」、サンマーク出版刊(1996)、pp96-97
22. 適切な例ではないかもしれないが、r志田元孝、「改ネ如Ε淵離好院璽詒焼実z工学」、丸仙出版センター刊(2010)、p.228 演{問4にもメタライゼーション担当になった新入社^のモティベーション高揚策をねる演{問を掲載している。
23. 例えば" 'You've got to find what you love', Jobs says", Stanford University News (2005)にスティーブ ジョブスの卒業式の祝が掲載されており、最後に"Stay Hungry. Stay Foolish."とTばれている
24. 喜H川v久、M信 (2012Q3月2日、16:05と16:27送信の2通)
25. r志田元孝、"新開発に要なb理的画管理と的財堍に瓦垢觴糠"、Semiconpotal (2011Q2月)

ごT見・ご感[
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