Xいアピール&議b:雇/最先端微細化/業戦S
我が国はじめQ国のEの世cでは経済が依とトップ争点の1つとなっているが、半導業cもそれを咾照らして低迷基調の]開、再擇鮨泙襪茲ΑQ国・地域の業c、Q社で様々なDり組み、真剣な議bがいているこの1Qであり、しばらくいていく現時点の情勢であると思う。今vは、SIAからまたまた発表された雇データ、そしてInternational Electron Devices Meeting(IEDM)(San Francisco)からの最先端微細化に向けたI肢およびx場サバイバルを`指す業戦SのXいやりとりにR`している。
≪x場サバイバルに向けて≫
SIAからの半導雇についての発表は次の通り。この11月1日に発表された内容をκ未砲気蕕忘佞い織如璽燭されており、ほとんどすべてに行き渡っているX況がされている。ファブレスなど設関連のjobs数データは、Oら見積もったとしている。半導業cの_みについて咾ぅ▲圈璽襪pけVめるとともに、常に厳しいX況にある我が国でも改めて把曚垢要性を感じている。
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○盜驢土に広がる半導雇−CaliforniaからNew Yorkまで咾ざ板c雇 …12月11日けSIAプレスリリース
半導]&設の盜颪leadershipを代表するSemiconductor Industry Association(SIA)が本日、Bデータの分析によると盜馮焼業cjobsが盜颪里曚箸鵑匹垢戮討涼楼茲よびjH数のΔ涼罎帽がっていると発表した。トップ10は次の通りである。
California 47,100 半導jobs
Texas 28,800
Oregon 23,400
Arizona 18,800
Massachusetts 10,100
New York 7,600
Idaho 7,400
Florida 7,100
Vermont 5,100
New Mexico 4,500
「成長と革新を推進する実効的なB策をもって、盜馮焼業cは引ききAmericaの経済の咾機国家Wおよびグローバル争を高めていく。」とSIAのpresident and CEO、Brian Tooheyは言う。
すべての雇figuresは、最Zリリースされた盜Bureau of Labor Statistics(BLS)からの2011Qデータを反映している。BLSによると、盜馮焼業cの労働人口はiQを3.7%vったが、もっと広げた盜餬从僂里修譴脇唄間について1.2%\となっている。
この11月にSIAは、盜颪砲ける直接半導雇が244,800と見積もられると発表したが、このfigureにはBLSが報告している半導jobに、BLSが現在は半導業cデータに含めていないファブレス半導設分野のjobsを見積もって加えている。加えて、先端\術のbackboneとして半導業cは、盜餬从刎の他の分野におけるjob創出に実的なプラスの効果を与えている。
SIAのΔ瓦箸糧焼]雇mapは下記参照。
⇒http://www.sia-online.org/clientuploads/slideshow/Employment%20-%2012042012.pdf
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58vannual IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM)(12月10-12日:San Francisco)関連で、最先端微細化そして業戦SにつながるXい議b、Dり組みをpけVめている。まずは、STMicroelectronicsの次の現Xがある。
◇STMicroelectronics Plans to Exit Chip Venture With Ericsson (12月10日け Bloomberg)
→STMicroelectronicsが、業再構築のk環としてEricssonとの50/50合弁、ST-EricssonにおけるOらのstakeを投げ出し、昨Q$841M、本Q$900MのCが見込まれるST-Ericssonにおける役割を解くようEricssonとBし合っている旨。
モバイル半導業合弁を脱するk機∈8紊虜農菽爾妨けたfully-depleted silicon on insulator(FDSOI)]プロセスはしっかり守ってやっていくとしている。
◇ST voices new strategy, recommits to fully depleted SOI (12月10日け EE Times)
→ST-Ericssonを売却あるいは閉鎖する画にも拘らず、fully-depleted silicon on insulator(FDSOI)]プロセスのユーザであるSTMicroelectronicsが、該\術を守って、Grenoble, FranceZくのCrollesにあるウェーハfabで作りけるT向の旨。Crollesで]するプロセス\術は3つ、FDSOI、embeddedノンボラメモリきCMOS、およびimagingセンサCMOSである旨。
◇ST exiting mobile chip JV with Ericsson, but still committed to FD-SOI (12月10日け ELECTROIQ)
IEDMでもSTMicroelectronicsは、次のx言を行っている。
◇28-nm FDSOI is production ready, says ST (12月11日け EE Times)
→STMicroelectronicsが、同社Crolles 300-mmウェーハ拠点にて28-nm fully depleted silicon-on-insulator(FDSOI)のpre-productionが行えていると発表、この発表はIEDMとでSan Franciscoで行われているFDSOIワークショップとk致している旨。
このFDSOIは今後に向けた最先端のI肢として、Intelが主導するFinFETsと並び称されているX況がある。
◇FinFETs or FD-SOI? (12月11日け SemiMD)
→STMicroelectronicsが昨日、fully depleted silicon on insulator(FD-SOI)\術をいた同社28-nm攵Si半導のT果を披露、bulk CMOSに瓦靴鴇ない電で]度が30%改されるとしている。ここ数ヶ月にわたってFD-SOIかFinFETsかの議bが行われてきている。FinFETsとFD-SOIはともにleakage電流のU御について改が見込まれるが、FinFETsは設がよりMしい。FD-SOIは、bulk CMOSで使われたものより性の良い異なるSPICEモデルをいるけれども、設フローは同じである。
業戦Sの鍵の1つとして最先端をFDSOIに賭けるSTMicroelectronicsのスタンスが窺えている。
◇London Calling: Whither ST? (12月12日け EE Times)
→STMicroelectronicsの{返りv復に向けて依カギとなりそうなのが、モバイルデバイスx場でST-Ericssonの合を高めるようSTがHかれ少なかれ仕立てた]プロセス\術、FD-SOIである旨。FD-SOIは、に低消J電の点で28-および20-nmではbulk CMOSおよびFinFET CMOSプロセスに本当にMてそうな兆tがある旨。STは先端CMOS]からはH少外れているが、少なくともFD-SOIが同社にとって今後の~望なI肢となる旨。
かたやIntelのFinFETsについてもIEDMでは、Xい議bが行われたX況が見られている。
◇Intel's FinFETs approach draws fire from rivals (12月13日け EE Times)
→新しい構]および材料の配`の中、半導\術の今後を議bするexpertsパネルにて、Intelが広めているFinFETsをFhする向きも、単純なOのりではなくむしろQ々トレードオフのある不W定なO筋k式であることが確にされた旨。
最先端\術によるx場t開について、Intelからは450-mmウェーハになると擇残るプレーヤーはまた半分になると次の見気鮟个靴討い襦
◇Intel: Transition to 450mm Will Terminate Half of Semiconductor Market Players. -Numerous Transitions Incoming This Decade Will Reduce the Number of Semiconductor Companies - Paul Otellini (12月10日け XBitLabs.com)
→IntelのCEO、Paul OtelliniがSanford Bernstein\術conferenceにて。
450-mmウェーハ]へのの々圓如半導メーカーの数は半分になると見る旨。k般にウェーハ∨,諒が業cできると、設および攵のx場プレーヤーで擇残るのは半分Vまりの旨。
IEDMでは、Globalfoundriesが今後の業戦Sの考え気鮗,猟未蠕發い討い襦28-nmより先の官が行えるのは4社だけ、Intel、Samsung、TSMCそしてGlobalFoundriesであるとしている。
◇Foundries not dead, just evolving, says Globalfoundries CEO (12月13日け EE Times)
→GlobalfoundriesのCEO、Ajit Manocha、曜11日の講演。ファブレス/ファウンドリーモデルはOの問はあるかもしれないが、消滅からは遠い旨。ファブレスモデルは終焉に向かっているという批判を却下、代わりにファウンドリーモデルが常にjきなPびをしていて引きき他の半導業c分野をvっていくと見る旨。実際、今後に慎_であるべきはintegrated device manufacturers(IDMs)の気任△蝓統合モデルは行きVまりにあると咾主張の旨。にエレクトロニクスにおいては進化しけなければならず、新モデル、"Foundry 2.0"に々圓垢襪箸ではある旨。
以下、今後のデバイスメーカーのあり気砲弔い討發弔戮考え気1つであると思う。
◇Device manufacturers' 'Holy Trinity' (12月12日け EE Times)
→今日のx場はデバイスメーカーには厳しいX況がある旨。グローバルx場では最Z、医機_、テレコムから石およびガスの機械および建築O動化まで広J囲に商化動を行っている新しいプレーヤーからの合が高まっており、複雑なsupply chains、\jする商、\料および輸送価格が]コストを屬押▲沺璽献鵑魏爾欧討い觧檗今日のに進化するx場および変化する顧客ニーズには、j気竜豬織瓠璽ーがもっていない高水の柔軟性および敏捷性が要になる旨。
≪x場実PickUp≫
峙のGlobalFoundriesからは、欧Δ糧焼]мqの不Bを常に率直に訴えるメッセージが出されている。国際社会での押しというものを感じている。
【ダイレクトなアピール】
◇GlobalFoundries CEO urges Europe to support chip manufacturing (12月11日け Reuters)
→San Franciscoでのイベントにて、GlobalFoundriesのCEO、Ajit Manocha。欧Δ任糧焼メーカーのウェーハfab工場建設を望むのなら、欧οBはもっと財мqを供給しなければならない旨。「O分がアジアに行くと、靴犬紊Δ燭鵑鮃げ、たくさんの\成がTされる。New YorkΔ常によく動いてもらっている。欧Δ呂修量魍笋鯏格に果たしていない。」
IEDMについて業戦Sに絡む内容はすでにDり屬欧燭、来の最先端アプローチのアップデートは`についたJ囲で以下の通り。
【International Electron Devices Meeting(IEDM)】
◇IBM, Intel face off in 22 nm process at IEDM (12月10日け EE Times)
→IntelとIBMが今v、立てけのpapersで最新22-nm\術で直接姦、それとは別にIntelのトップfab executiveが、ウェーハコストの\jおよび同社のファウンドリー業に言及の旨。
IBMの新しい3-D ready, 22-nmプロセス\術でのサーバプロセッサprototypingは、同社32-nmノードに瓦25-35%性Ε▲奪廚隆待の旨。
Intelはすでにいくつかの22-nm半導で量摳行しており、広J囲の応に向けたSoCsプロセスt開を披露の旨。
◇IEDM: Moore's Law seen hitting big bump at 14 nm (12月11日け EE Times)
→月曜10日の基調講演にて、ImecのCEO、Luc Van den hove。14-nmプロセスでの半導攵は、extreme-ultraviolet(EUV)リソ使をQに入れても、28-nm半導より少なくとも60%以峭皺舛砲覆觚込み、14-nmでの設基のいくつかはいくぶん緩めなければならない様相の旨。
◇FDSOI roadmap renames next node as 14-nm (12月12日け EE Times)
→今週のfully depleted silicon on insulator(FDSOI) workshopでされたドキュメントでは、今vのFDSOIロードマップで20-nmが省かれ、直接14-nm、それから10-nmとなっている旨。
湾のMediaTekが、況のスマートフォンのSに最も乗っているプレーヤーになっているとのこと。以下のX況である。
【調MediaTek】
◇MediaTek targets Qualcomm with quad-core/modem SoC (12月11日け EE Times)
→世cで最も]にPびているスマートフォン半導サプライヤ、MediaTekが今週、"業c初、multimode modem統合の商quad-coreスマートフォン半導"をサンプル配布している旨。
◇Yoshida in China: Will MediaTek's luck hold in 2013? (12月13日け EE Times)
→ほとんどのモバイル半導ベンダーが顧客基盤をS的にらし、x場シェアを落としているQに、W楽に2012Qの同社スマートフォン半導出荷10倍\をBにしている湾のMediaTek。同社は2011Qの間はスマートフォンx場ではT在感は小さかったが、それからのこと、AndroidアプリおよびAndroid phonesの拡がり、China MobileのTD-SCDMA footprint\jそして消Jvの間のくことを瑤蕕覆ぅ好沺璽肇侫ンへの欲望が、グローバルなスマートフォン\に寄与している旨。
ロシアにおける半導関連のZ況が以下の通りである。出@、誘致などP数が\えているが、推,k般にはつかみにくいところがあると思う。
【ロシアのZ況】
◇London Calling: Russia must deliver on tech investment (12月10日け EE Times)
→エレクトロニクスにおけるロシアの信性は長らく低く、HすぎるB画が発表され、~行されていない旨。ロシアは石、ガスなどエネルギー@源によるたなぼたがuられると、ハイテク投@に向けた_要な@金耀uとなる旨。契約数が\えて、高YになっているZ況:
2008: ロシアのOneximがLED照合弁を設立 (Optogan)
2010: RusnanoがPlastic Logicに出@ (]期$300M、長期$700M)
2011: ロシアがMRAM startup、Crocusをмq ($250M)
2011: Rusnanoが、MEMSのSiTimeをロシアへ ($15M)
2012: Rusnanoが$79M Quantenna dealをмq
2012: NeoPhotonicsがRusnanoとD引, ロシアに拠点を画 ($40M)
2012: Aquantiaが$35M Series F funding round完了
2012: ロシアがMapper e-beamリソメーカーをмq (約$50M)
≪グローバル雑学棔232≫
j震u、原発故をpけてjきく変わらざるをuなくなったエネルギーの見気任△襪、
『日本経済復、最後のチャンス −変化恐怖fを脱して「3K立国」へ』
(橋 著:朝日新書 350) …2012Q 5月30日 1刷発行
より改めて元には戻れなくなったX況を確認する。耐省エネ性、耐I電性に富んだ、サービスしかこれからは擇残れないし、通しなくなる今後であり、我が国の今後のDり組みに向けて今まで積み屬欧晋果を発ァする\術の見せ所となる。
I陝/靴靴て本に擇泙貶僂錣
3章 I電革命が擇爛好螢爐幣噞構]
□石文は崩sした
・石と電気のおで、lかなを送ることが可Δ
・その石文も、地球a暖化問の発擇任發蹐も破V
・原子発電も、e険性が厳しく問われるように
□忘れられていた要Cからの削
・これまで、エネルギー問は、もっぱら供給Cからの敢
□石をジャブジャブがlかなの徴
・電要がピークに達する数日間、数時間に官できるように供給UをDえておくことが電会社の最jの仕
→常に効率で、割高な電気料金を噞cや消Jvに負担させるT果に
□Cにならない総括原価擬阿鮑涼
・日本の電会社は地域独企業
→総J(設≫J、人PJ、維eJなど)、すなわち総括原価にk定率をXけてW益をQ出、それを加Qした合
…総括原価擬
□I電革命が始まった
・東B電では、j震u発攜紊3月14日から画停電に
→電気業法に基づく措
→1vの停電時間は3時間度、区域によっては1日に2v、6時間になるところも
□k時的にj混乱が発
・突の画停電はj混乱、日常や企業動の此垢泙
□15%削でピーク要を乗り切る
・4月いっぱい実施の予定だった画停電が]期間でvcできた
→国cや企業の`を見張るようなI電へのDり組みが奏功
→東発電1オ(川崎x、出100万KW)の運転再開など、供給のv復も
□様々なI電へのDり組み
・鉄OQ社は間引き運転などで官
→間引き運転、LED照への切りえなど
・O動Zの土日操業
・サマータイム
・積極的だった個人のDり組み
→家庭で使う電使量の約4割がエアコンと冷U
→家庭電球にめるLED電球の割合:
2011Q5月 37%度 → 秋以T 50%
□もう元のXに戻れない
・実際のI電効果として、7〜8月2ヶ月間の電消J:[@源エネルギー庁@料]
東B電管内 平日ベース、iQ比 21.9%
東電管内 21.3%
→使U限令の15%をj幅にvる
・原発故で、日本の電供給情はjきく変化
→「3・11」以iのXに戻ることはもはや不可
□電供給不Bの時代が長期化する
・今後5〜10QほどのZ未来を[定
→日本は否応なく電不B時代、要抑Uがめ}に
・15%度のI電に耐えられない企業は、業MがMしくなる覚悟が要
□省エネ型噞構]への転換のチャンス
・I電革命は、日本の電H消J型の噞構]をスリム化させるまたとないチャンス
→a暖化敢にもjきな貢献が期待