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Update:最先端微細化をう動き …3D NAND、FD-SOI、Q社戦S

最先端の微細化を巡る動きの]ち屬欧引きき`についている。3次元(3D)\術を~使した3D NANDフラッシュメモリに向けたサムスン電子および東の新工場のn働および建設画がそれぞれ発表されている。次に、STマイクロが主導するFD-SOI(fully depleted silicon on insulator)プロセス\術をサムスン電子にライセンス供与してファウンドリーサービスをt開するとし、に欧θ焼業cでの期待感が見られている。ほか、20-nmから10-nmを窺うQ社のDり組み、防の現時点アップデートである。

≪まさに鍔り合い≫  

サムスン電子の中国・W工場は3D NANDに化するとし、24層_ね合わせるDり組み、攵牸里泙蠅硫檪など昨Q来R`する動きがいていたが、この新工場のn働が次の通り発表されている。

◇サムスン、中国工場n働、最新3D\術で半導 (5月10日け 日経)
→f国サムスン電子が9日、中国陝セ遍Wで半導の新工場がn働したと発表、最先端の3次元(3D)\術を使い、サーバなどに使うNAND型フラッシュメモリを作る旨。IT機_の攵喤点が集積している中国で基である半導を機動的に供給できるUをDえ、東など合に瓦垢謐争を高める旨。W工場はべoC積23万平汽瓠璽肇襪派瀉呂114万平汽瓠璽肇襦2012Q9月に工した旨。

先行するサムスン電子を{って、東がパートナーのSanDiskと3D NANDに通じる\術t開を発表している。

◇3D NAND Transition: 15nm Process Technology Takes Shape-Toshiba, SanDisk prep 15nm process on path to 3D NAND flash (5月13日け EE Times)
→3D NANDが経済的に理にかなうのは少なくとも2015Q以Tの様相のなか、SanDiskとフラッシュファウンドリーパートナー、東がともに最Z、NANDフラッシュを作る15-nmプロセス\術を発表の旨。SanDiskの1Z-nm\術を2-bit-per-cellおよび3-bit-per-cellの両気NANDフラッシュメモリアーキテクチャーに適、2014Q後半に攵癉ち屬桶始予定の旨。該15-nm\術は半導を両軸で縮小、removableカードからenterprise SSDsまで広J囲のSanDisk offeringsにわたっていられる旨。

それに向けて_県四日xxでの新工場の建設が次の通り]ち屬欧蕕譟16倍の記憶容量が照となっている。

◇Toshiba to demolish, then replace fab for 3-D Flash (5月14日け Electronics Weekly)
→東が、_県のNANDフラッシュメモリ工場、Yokkaichi OperationsでのNo. 2半導fab拠点をDりsして、同じ場所に新しいfabを建設する旨。

◇東、メモリ容量16倍に、歇劼蛤能j5000億投@ −スマホ向け量 (5月14日け 日経 電子版)
→東はデジタル機_に保T可Δ淵如璽仁未鮟j幅に\やす新型半導メモリを2016Qから量する旨。メモリカード世c最j}の櫂汽鵐妊スクと共同で_県の半導工場に新棟を建設、投@Yは最j約5h億、記憶容量を現在の約16倍に高める旨。高画の動画映気鬟好沺璽肇侫ンで}軽に楽しめるようになる旨。量するのは薄膜Xの記憶素子をH数積み_ねてj容量化を実現する3次元フラッシュメモリの旨。

◇東、_・四日xに新工場棟−立構]NAND型フラッシュメモリ量へ (5月15日け 日刊工業)
→東が14日、半導業の主拠点である四日x工場(_県四日xx)に新棟を建設すると発表、投@Yは合5000億模とみられる旨。複数チップを積み_ねて記憶容量を高める立構]の記憶素子(NAND型フラッシュメモリ)を2015Q度に量する旨。v路の微細化は限cにZづいており、来のj容量化の切り札として、3D\術がT在感を高めていた旨。

◇メモリ争、次の次元へ、東、容量16倍の「3次元」量、シェア奪Dの成否曚 (5月15日け 日経噞)

次に、FD-SOI(fully depleted silicon on insulator)\術プロセスをSTマイクロがサムスン電子にライセンス供与すると、以下のt開で発表されている。

◇Samsung & ST Team Up on 28nm FD-SOI (5月14日け EE Times)
→28-nmノードを先ばし、低電、low-margin wearablesおよびスマートフォンx場を引きつけようとする動き、STMicroelectronicsが、Samsungと28-nm FD-SOI(fully depleted silicon on insulator)プロセスで連携している旨。水曜14日に発表された該合Tのもと、SamsungはSTから28-nm FD-SOI設プラットフォームのライセンス供与をpけ、ファウンドリーサービスを広Jな半導業cに向けて効果的に開いていく旨。さらに、2つのfabsがコンパチ設プロセスの維eに合Tしている旨。

◇STMicro Extends Samsung Outsourcing Deal for Low-Power Chips-Samsung licenses FD-SOI process from ST (5月15日け Bloomberg)
→Samsungは、ST\術に成るFD-SOI半導]を2015Qi半には行える旨。

欧Δ糧焼業cをjいに性化するものと、また、SOIウェーハサプライヤ、Soitecから、それぞれ迎する早]の反応が見られている。

◇Europe's chip opportunity-Viewpoint: ST-Samsung deal highlights Europe's chip strengths (5月16日け Electronics Weekly (U.K.))
→fully-depleted silicon-on-insulator(FD-SOI)\術をファウンドリーサービス供給にいるというSTMicroelectronicsのSamsung ElectronicsへのFD-SOIプロセス\術ライセンス供与は、半導における欧Δ里△辰僂譴箆iを認識させるものである旨。STとSamsungがconsumer, networkingおよびモバイルOEMsからFD-SOI半導要を作り出して、欧Δ砲修譴蕕鮑遒FD-SOI megafabを建設するとなると、欧Δ糧焼業cが再び争に走り出ることになる旨。

◇FD-SOI is at “tipping point”, says Soitec-Soitec: The time is now for FD-SOI technology (5月16日け Electronics Weekly (U.K.))
→SOIウェーハサプライヤ、Soitecのchief operating officer(COO)、Paul Boudre。STMicroelectronicsとSamsung Electronicsの間のfully-depleted silicon-on-insulator(FD-SOI) licensingは、SOI\術がTI深く認められたことを表わしている旨。

他にも、Q社の最先端を巡る戦S的な動きが以下の通りである。まずは、TSMCの20-nmプロセスで作るXilinxのFPGAsのDり組みである。

◇Xilinx ships 20nm FPGAs-Xilinx ships FPGAs made by TSMC with a 20nm process (5月13日け Electronics Weekly (U.K.))
→Xilinxが、同社初の20-nm、Virtex UltraScale VU095 FPGAsを出荷、TSMCの20-nmプロセスで作られる該半導は以下を供する旨。
*3-D stackingをいる最j4.4 millionロジックセル
*chip-to-chip, chip-to-optics, および28G backplanesに向けた32.75 Gb/s transceivers
*multiple integrated 100G Ethernet
*150G Interlakenコア

同じ20-nmプロセスについて、Qualcommがファウンドリービジネス発RをTSMCからサムスン電子あるいはGlobalfoundriesに,靴討い画と、據垢靴莟Rが流れている。

◇Qualcomm plans to shift 20nm orders from TSMC to Samsung or Globalfoundries, say sources-Sources: Qualcomm will move 20nm chip orders from TSMC (5月13日け DIGITIMES)
→業c筋発。Qualcommが、20-nmプロセス発RをTSMCからSamsung ElectronicsあるいはGlobalfoundriesに,梗画の旨。Qualcommの動きは、TSMCが2014Q二四半期に先端20-nmプロセス・ベースAppleのA8プロセッサ量を開始、Hくの科学\術リソースをこの攵に割り当ててAppleに味気靴討い襪海箸らきており、現在のTSMCの最jclientたるQualcommを狼笋気擦討い觧檗しかしながら、TSMCはこの記を否定している旨。

いずれにせよ鍔り合いの様相がこれでも霾的な見気任呂△襪進んでおり、サムスン電子とTSMCのそれこそ先の先端のDり組みが次の通りである。

◇TSMC, Samsung competing to roll out more advanced processes (5月15日け DIGITIMES)
→業c筋発。TSMCとSamsung Electronicsが、さらに先端のプロセスのx場化でっており、TSMCは同社16-nm FinFET Plusプロセスを推進、Samsungは同社先端14-nm LPP(low power plus)プロセスを推し進める画の旨。


≪x場実PickUp≫

【k四半期半導販売高ランキング】

史嶌嚢發魑{した2014Qk四半期の世c半導販売高が発表されたばかりであるが、引きいてサプライヤ販売高ランキングが次の通り表わされている。トップ4がそれぞれ異なるビジネスモデルと、改めてのR`である。

◇MediaTek, SK Hynix, AMD, and Micron Sales Surge in 1Q14!-Top 20 ranking shows that semiconductor industry company consolidation continues to accelerate. (5月14日け IC Insights)
→今月後半にIC InsightsのMay Update to The 2014 McClean Reportでされる2014Qk四半期半導サプライヤ販売高ランキング・トップ25について次の通り:
*トップ20社の本社の国・地域別 
…盜顱9社、湾 3社、欧Α3社、f国 2社、日本 2社、シンガポール 1社
*トップ20社の中に、専業ファウンドリー3社(TSMC, GlobalFoundries, およびUMC)およびファブレスメーカー6社
*トップ4社がそれぞれ異なるビジネスモデル
 Intel …専業IDM
 Samsung …貭湘合ICサプライヤ
 TSMC    …専業ファウンドリー
 Qualcomm …ファブレスメーカー

【DRAMx場関連】

k四半期をDRAMx場で見ると、SK HynixがMicronを犧垢sいて2位に戻している。また、当CのDRAM価格がフラットか、爐に屬る見込みが出されている。

◇DRAM contract quotes to remain stable or hike slightly in May (5月14日け DIGITIMES)
→業c筋発。ピーク時でないI要因にも拘らず、DRAM半導の契約価格見積もりが、x場での供給が締まってW定なままか、5月に爐に屬る見込みの旨。

◇(LEAD) SK hynix No. 2 DRAM maker in Q1, overtakes Micron-Data: SK Hynix regains second place in DRAM market (5月14日け Yonhap News Agency (South Korea))
→DRAMeXchange発。中国のウェーハ拠点での2013QuでSamsung ElectronicsおよびMicron TechnologyにくDRAMx場3位になっていたSK Hynixが、k四半期はMicronをvっている旨。k四半期の世cDRAMx場シェアは、SK Hynixが28.2%、MicronはZ接した28.0%であった旨。

【インド2014Q戦S\術】

インドのエレクトロニクス業cメーカーにとっての本Q、2014Qの戦S的\術テーマが、次の通り表わされている。グローバルにも通じるアイテムが並ぶ感じ気任△襦

◇Cloud, BI among top 10 tech trends in India (5月13日け EE Times India)
→Gartner社発。2014Qのインドのメーカーにとっての戦S的な\術の流れ、トップ10以下の通り:
 Business Intelligence(BI) and Analytics
 Mobility solutions
 Cloud computing
 Social media and Computing
 Machine to Machine(M2M)
 Hosted virtual desktop(HVD)
 Personal cloud
 Internet of Things(IoT)
 Collaboration technologies
 3D printing

【interconnect材料変化】

先端interconnectが半導霾要素の中で性Α⊃頼性など維eが困Mという問T識があるなか、Applied Materials社が15Q以屬屬蟶能jの材料の変革としてcobaltの導入を発表、以下のQL反応が見られている。

◇Cobalt Encapsulation Extends Copper to 10nm-Applied Materials clads copper interconnect in cobalt (5月13日け EE Times)

◇Applied Materials introduces the biggest materials change to interconnect technology in 15 years (5月13日け ELECTROIQ)
→Applied Materials社が本日、Applied Endura Volta CVD Cobaltシステムを発表、@確で薄いcobalt膜をデポ、28-nmノードより先のロジック半導におけるcopper interconnectsが行える唯kのツールである旨。2つのenablingアプリ, conformal cobalt linerおよびI性cobalt capping layerにより、copper linesが完に囲い込まれ、信頼性がk桁改される旨。優れたmetal encapsulation膜としてのcobaltの導入は、ここ15Q以屬悩任盻jきなinterconnectへの材料変化となる旨。

◇Cobalt Is the Key to Future Chips, Applied Material Says (5月13日け The Wall Street Journal)

◇Cobalt Could Help Ease Chip Wiring Woes (5月14日け IEEE Spectrum)

◇New Materials Era In Advanced Interconnects (5月15日け Semiconductor Engineering)
→interconnectの性Δよび信頼性をそれぞれ新しいプロセスノードで維eすることがますます困Mになってきており、何かが変わらなければならない旨。

◇New materials and processes for advanced interconnects (5月16日け ELECTROIQ)
→on-chip interconnectsは半導の他の霾と同じ早さで縮小していないが、grapheneおよびCNTsなど材料が可Δ砲垢訖靴靴capabilitiesがまもなくそれを変える可性の旨。

【サッカーワールドカップ】

いよいよ6月12日キックオフを呂┐董▲汽奪ーワールドカップの日本代表の顔ぶれが先週発表されたが、現地ブラジルでのエレクトロニクス関係の△┐林X況が以下の通り表わされている。

◇Will Goal-Line Technology Change World Cup? (5月12日け EE Times)
→来る6月12日キックオフのサッカーワールドカップ・ブラジルj会は、少なくとも\術の使に関する限り_要な進tが見られる旨。サッカーの国際機関、FIFAが初めてのこと、goal-line technology(GLT)の使をpけ入れ、間違ったゴールでめられる_jなゲームのTというのはなくなるはずの旨。

◇World Cup Drives 4G, Infrastructure Issues (5月14日け EE Times)
→世c中のサッカーファンが、来る6月12日、ブラジルにR`、少なくとも370万人の人々が押しかけてくる旨。モバイルwebに乗っかれるよう新しいネットワークス運の争がいているが、そのT果はいまだ確かでない旨。陲64試合が12都xで行われ、12のスタジアムのうち6つが、依WiFiおよび4Gネットワークtestingをpけており、2つがまだ建設中の旨。
余分のモバイルtrafficをpけ入れるようにするk環として、ブラジルのテレコムUagency, Anatelは、50万人以嶷Qえる主都xについて2014Q5月31日までにuniversal 4G coverageのサポートをIづけており、この期限を守れないキャリアはlicensesを失う旨。

【f国発グローバルデータ】

直接業c関係の内容ではないが、f国より発信されたグローバルデータのアップデート版にR`、以下の通りである。f国、そしてf国語のランク順位峺が当ながら喞瓦気譴討い襪、我が国はさてという現時点である。

◇f国1人あたりGDPが世c33位、日本は24位(5月12日け f国・中央日報)
→企画財陲12日入}した国際通貨基金(IMF)の世c経済t望@料。昨Qのf国1人あたりの国内総攵(GDP)は世c33位で、5Qiより8ランク峺した旨。順位データs粋:
 1位 ルクセンブルク 11万423ドル
 2位 ノルウェー  10万318ドル
 3位 カタール  10万260ドル
 4位 スイス  8万1323ドル
 9位 盜  5万310ドル
 18位 ドイツ  4万4999ドル
 24位 日本  3万8491ドル
 33位 f国  2万4329ドル

◇f国語の使v数、世c18位から13位に巨T (5月14日け f国・中央日報)
→世cQ国の言語の中で、f国語の使v数がこれまでの18位から13位に巨Tされた旨。言語情報提供サイト、エスノローグによる今Q4月30日現在の使vが最もHい言語は次の順:
 中国語  11億9700万人
 スペイン語  4憶1400万人
 英語  3億3500万人
 ヒンディー語  2億6000万人
 アラビア語  2億3700万人 


≪グローバル雑学棔306≫

ivにいて、昭和16Q(1941Q)の諒人粒戦に至るまで、アメリカを盥颪箸靴胴佑┐燭海箸呂覆、石はアメリカからAえばよい、としていたところで関係のK循環が高まっていって、`戦に至る壻を、

 『国家とエネルギーと戦争』  
  (渡陝仝k 著:祥伝社新書) …2014Q3月10日 初版1刷発行

より、見ていく。あのときこうであったら、と引きき表わされているが、石の確保が如何に雌dをしたか、この後く著vの嗄なメッセージのプロローグとpけVめている。


二章 諒人寮鐐茲蓮△覆柴本が`れたのか  ≪後≫

□Z代史のp顱宗宗霆j臣現役官U
・ところがちょうどそのころ、統権J疚筱というものが表に
 →E憲法を引っ張り出して唹に無理矢理E問化
 →p口dm相は東B駅でピストルで撃たれ、いろいろ_なって調をこわし、亡くなる
 →堂々と反した時の相が狙撃され、もう冷な議bができなくなる
・現役の人しかj臣にけないという霆j臣現役官Uを広田弘内Vが復
 →陸の統U派が日本という国を統Uしていた
 →内Vのほうが陸にどんどん引っ張られてしまう
・アメリカのルーズベルトがスターリンと仲がKくないという、j変なことがこってしまった
 →国省の役人の何人という人が、コミンテルンの要^およびその周辺人颪箸里海
・アメリカが日本に「j陸の作戦はけしからん」と言って圧
 →E以来、k度も空[したこともない、アメリカという仮[盥颪出てきた

□こうしてアメリカは、日本の弱点を衝いてきた
・那変が始まって2Q`、1939Q、小領r以来の日歡名跚L条約の破棄をアメリカが通告
・同じ1939Qの12月、「モラル・エンバーゴ」と称する「OI的輸出禁V令」の発動
 →アメリカの豢ガソリンの]設◆]権を監輸出させない
 →その理yは、日本が無差別爆撃を中国j陸で行っているといったことがアメリカで言い出され始めた
・那変から3Q後の1940Q、日歡名跚L条約がT期間1Qを残して失効
 →6月にはzな工作機械も輸出させない定
 →工作機械は、当時の日本の弱み
・要するにアメリカは飛行機に狙いを定めて締め屬欧討た
 →8月には豢機\料のネ承絨奮阿悗陵⊇亢慵V(イギリス以外には売らない)
・1941Q(昭和16Q)6月、石の輸出可Uを実施、7月にはついに日本の在櫟@を凍T
 →8月には、石はもう売らないとなった
 →当時日本の石のL外依T度は92%
・石が不Wになったから、南疑塀个唸bvが戦争推進にjきく舵
 →アメリカを硬化させ、K循環が始まる

□もし、高橋是{が擇びていたら・・・
・高橋是{という人
 →日露戦争のときアメリカのユダヤ人とのパイプを作って戦J調達
 →二・二六Pでされ、ユダヤ世cとのk番里ぅ僖ぅ廚消えてしまった
・もし諒人寮鐐茲iに高橋是{がいれば、石問だって何とかBをつけられたと思う
・石さえ売ってもらえれば、日本は戦争をする気などまったくない
 →陸は、アメリカと戦争をする気ははなからない

□ハワイ・真A湾撃の致命的失`
・いまはよくわかる当時の情
 →ルーズベルトはソ連と通じていた
・アメリカ監輸出禁Vは、じわじわと石および石を@する石関連から
 →蘭印から石をAおうとして最初の石交渉
 →商工省から依頼された財c人の小林k
 →T局、合Tには至らず
・これで日本はどうするのかと思ったら、真A湾撃の12月8日に
・真A湾撃では`をk隻も沈めないで帰ったということ
 →古い中心思[が連合にはあった
・あのとき_タンクを爆撃されていたら、諒人里任枠障Q、アメリカの`は動けなかった
 …アメリカ諒人梁司令長官のニミッツ提Hのv顧{
・何も戦や~dを沈める要はなかった
 →石タンクだけ爆撃すればよかった

□日櫃楼き分けにまでeっていけたかもしれない
・そうしたらどうなったか
 →諒人寮鐐茲魯▲瓮螢とのドローンゲーム(引き分け)になったと思う
・世c的な司[遼領rみたいなT在、ハーマン・ウォーク
 →世c中の人は、彼の本で二次j戦を瑤辰
 →ミッドウェイでやられていたらドローンゲームだったろうという推定
・我々は、日本の`戦がZくなったころに、やっとアメリカLのに驚いた
・真A湾で片をつけるよりしようがなく、「とにかく石タンクを最初にHせ」とはっきり言っていたら以後の戦局はどうなっていたか

ごT見・ご感[
麼嫋岌幃学庁医 怜匚扮震窒継糞刮曝鉱心| 天胆晩昆壓濆杰諌伺屈曝| 匚匚彼彼晩晩繁繁楳楳| 励埖翆翆壓濂シ| 娼瞳忽恢晩昆消消冉巖| 忽恢娼瞳篇撞窒継| 嶄晩昆忽囂篇撞壓濆杰| 天胆忝栽匯曝屈曝眉曝| 忽恢冉巖娼瞳娼瞳娼瞳| 99犯冉巖弼娼瞳忽恢88| 晩昆繁曇涙鷹匯曝屈曝眉曝| 冉巖晩云嶄猟忖鳥爺爺厚仟| 槻溺來俊住涙孳飢窒継心篇撞| 忽恢撹繁娼瞳胆溺壓| 91撹繁壓瀉盞冓啼| 挫槻繁壓濾臟www| 冉天巖娼瞳壓瀛啼誼盞儿杰| 襖謹勸耳丗窒継匯曝| 窒継繁撹篇利嫋壓濆杰寛賛| 弼罎AV喟消匯曝屈曝忽恢AV| 忽恢秉斤斛濆杰| 嶄猟忖鳥壓濂シ| 晩昆嶄猟忖鳥利| 冉巖娼瞳壓瀉盞儿杰| 娼瞳音触匯曝屈曝| 忽恢寄逃紘島邦篇撞壓濆杰| 99娼瞳壓濂シ| 晩云消消消消冉巖嶄忖鳥| 冉巖爾秤篇撞利嫋| 徭徹音棒嶷笥閣溺狼弌傍| 忽恢娼瞳醍狭va壓濂シ| 嶄忽互賠xvideossex| 丕雑弌僣才壇寮析遊堋響栽鹿| 冉巖天胆娼瞳匯曝屈曝| 税嗔av喟消利嫋窒継鉱心| 忽恢岱絃岱徨壓濂ナ啼飢シ斗嫋 | 冉巖gv爺銘gv涙鷹槻揖| 決髄恂鞭xxxx互咳天胆晩云| 怜匚篇撞壓瀉盞| 撹繁俤俤篇撞忽恢| 壓濆杰換恢撹繁AV爺銘|