≪実際にどんなもの？≫

インテルとマイクロンの直�Z四半期業績が以下の通りであり、ともに厳しい�X況となっている。

◇インテル売�峭�1%��、今期下�巨T��、パソコン向け�Z戦 (7月17日��け 日経�噞)
→�櫂ぅ鵐謄襪�4〜6月期の売�峭發��i�Q同期比5%��の$13.195 billion(約1兆6300億��)、純�W益が同3%��の$2.76 billionで2�Qぶりの��収��益の旨。2015�Q12月期の売�峭發��i期に比べ約1%��少しそうだと発表、��来の予�[は「ほぼ横ばい」であった旨。PC��要の不振を�pけて、インテルは2015�Qの設��投�@�Yを$7.7 billion�i後と��来予�[から$1 billion削��した旨。

◇Micron Remains Optimistic Despite Down Quarter (6月30日��け EE Times)
→Micron Technologyの2015�Q度����四半期売�屬欧�$3.85 billion、�i四半期比8%��、�i�Q同期比3%��。本業績発表翌朝の�D引で、Micron株価は18%以�峅爾�った旨。

インテルは、今後の�Pびに向けて新分野、売れ筋分野に以下の�Dり組みである。まずは、データセンターへの�_点化である。

◇Can Intel Corporation Return to Growth in 2016?-If PC declines abate and data center growth continues, then "yes."-Analysis: Data centers to drive Intel's growth as PCs fade (7月24日��け The Motley Fool)
→Intel executivesが、PC�x場がフラットが��く様相と認めており、2016�Q以�Tの�Pびを戻らせるようデータセンター��業に�R��している旨。

次期"Skylake"プロセッサに�jきな期待があり、売れ筋のCompute StickおよびNUCへの採��が�eわれている。

◇Intel's upcoming Skylake processors promise improved low power performance & 30% longer battery life-Report: "Skylake" chips will offer better low-power operation (7月24日��け 9to5Mac)
→Fanless Tech websiteがリークしたslides発。Intelの次期"Skylake"プロセッサは、Macsに搭載されると電池��命が30%�Pび、低電��性�Δ�高められる旨。�k�機�Intelは"Skylake"プロセッサを擁して10月に同社Compute StickおよびNUC����を格�屬欧垢詬縦蠅了檗�

◇Intel Skylake Chips To Boost Battery Life And Graphics Of Future Macs: Report (7月26日��け Tech Times)

◇Intel to adopt Skylake CPUs in NUC and Compute Stick solutions (7月27日��け DIGITIMES)
→Intelが、10月からSkylakeプロセッサを�rり込んだ同社Compute StickおよびNUCソリューションの格�屬欧鮗�画、Elitegroup Computer Systems(ECS), Gigabyte Computer, Asustek ComputerおよびASRockが関連����を�]ち�屬欧觚�込みの旨。Intelも関連��端����を�]ち�屬欧詬縦蠅了檗�PC��要弱含みにも拘らず、Compute StickおよびNUCの売れ行きは連��的に高まっている旨。

�k�機▲泪ぅ�ロンは中国のTsinghua Unigroupによる�A収提案を�pけたばかりであるが、順調には進まない見�気�依���j勢である。

◇Chinese Firm Bids $23 Billion for Micron, Despite Unlikely U.S. Approval-Tsinghua submits $23B bid for Micron, against all odds (7月28日��け Electronic Design)
→Tsinghua Unigroupが、Micron Technologyの�A収に向けて約$23 billion、$21/株での���o式な入札、Micronはこの提案を却下、中国メーカーによるこのような�A収は�盜駭��Bが反�瓦垢襪箸靴討い觧檗�

むしろインテルとの連携が�k層�g密になっていくという次の見�気�出たばかりであった。

◇Micron: Deeper Relationship with Intel May Be Next, Says Susquehanna-Analyst sees Micron and Intel forging closer ties (7月27日��け Barron's)
→Susquehanna Financial GroupのMehdi Hosseini��。Micron TechnologyとIntelが、中国のTsinghua UnigroupによるMicronの�A収入札の噂を�pけて関係の�k層の�g密化が図られるようになっていく旨。この発表には、Micronの3D NAND�\術scalingにおけるMicronとIntelの間のなんらか出�@要素and/orコラボ�g密化が含まれる可��性の旨。

ここで間髪��かず、両社による新型「3D XPoint」メモリが以下相��く形で発表されている。

◇Intel, Micron Launch "Bulk-Switching" ReRAM (7月28日��け EE Times)
→Micron Technology社のCEO、Mark Durcan��によると、容量が128Gbitsの3D XPointメモリICをLehi, Utahのウェーハfabで�攵�しており、2006�Qに設立されたIntelとMicronの間の合弁、IM Flash Technologies LLCにおいてである旨。該メモリは1ビット/セル、64Gbitsの2つのplanesとして構成される旨。
・≪図�C≫ 3D XPoint模式図 [Source: Intel]
⇒http://img.deusm.com/eetimes/2015/07/1327289/3D-XPoint-infographic.png

1989�QのNANDフラッシュ登場以来の�j変革を��こす可��性のノンボラメモリと表わされている。

◇Intel and Micron produce breakthrough memory technology (7月28日��け ELECTROIQ)
→Intel CorporationおよびMicron Technology社が、3D XPoint�\術を披露、高�]アクセスから�j��模データまで�W点のあるデバイス、応��あるいはサービスに�j変革を��こす可��性をもつnon-volatileメモリの旨。現在�攵�している3D XPoint�\術は、メモリプロセス�\術の�jきなブレイクスルーであり、1989�QのNANDフラッシュ投入以来となる新しいメモリカテゴリーである旨。

NANDフラッシュからの飛躍の度合いはじめ、以下の通り��いていく。

◇Intel, Micron Claim Chip Breakthrough-Companies say new memory chips are up to 1,000 times faster than NAND chips-Intel, Micron proclaim "revolutionary" memory chips (7月28日��け The Wall Street Journal)

◇Intel And Micron Aim To Bring New Breakthrough Memory Chip To Gaming, Phones And Data Centers (7月28日��け Forbes)

◇Intel, Micron Introduce New, Faster Class of Memory Chips (7月28日��け Bloomberg)

時間を��いて、「3D XPoint」メモリとはどんなものか、以下率直な反応である。

◇There's No Shame in ReRAM (7月29日��け EE Times/Blog)
→IntelとMicronが新�}のメモリ�\術を開発と発表、3D XPointメモリができそうなこと��いざらいさらに�Hくの�Bがある�k�機△修譴�実際に何なのかほとんど詳細がなく、憶�Rが�cけられない旨。

インテルからのヒントめいたコメントが見られている。

◇THE DECEPTIVE SIMPLICITY OF INTEL'S NEW MEMORY TECH-Memory tech from Intel and Micron dispenses with transistors (7月29日��け Wired.com)
→IntelおよびMicron Technologyが今週披露した3D XPointメモリ�\術は、DRAMsおよびNANDフラッシュメモリデバイスとは違ってデータを蓄えるのにトランジスタではなくnanowires格子を��いている旨。「これは作れる最も�~単な構�]、2つの直行線の交点にすぎない」(Intel fellow、Al Fazio��)

分かる�J囲をまとめた以下説��である。

◇インテルとマイクロン、新メモリ�\術「3D XPoint」を発表 (7月29日��け ZDNet Japan)
→この10�Q間、提携関係を築き�屬欧討�たIntelとMicronが�盜饂�間7月28日、新しいメモリストレージ�\術を共同で発表、トランジスタを使��しないこのプラットフォームは「3D XPoint」と�}ばれる旨。Intelによれば、3D XPointでは、今日の�x場に出�vっているあらゆるメモリ�\術から、性�Α¬�度、動作性、不ｧ発性、コスト�屬陵グ明�を良いとこどりした旨。IntelとMicronは、1989�QにNANDフラッシュが登場して以来、新しいメモリカテゴリが発表されるのは今�vが初めてだとしている旨。
　3D XPointは現在�x場で提供されているNANDソリューションと比較して、少なくとも1000倍高�]に動作し、1000倍の耐久性を�eつ旨。XPointの�@称に3Dが�{加されたのは、3D構�]の�此垢泙妊瓮皀螢札襪�積層されたクロスポイントアーキテクチャに�y来、最初のバージョンは、2つのメモリ層に格納されたダイ当たり128Gbの容量で構成される旨。�貭焼���が1280億個のメモリセルと1ビットのデータを格納する�Qセルを接��する旨。

ミステリーという見出しもあるが、新�}のResistive-RAM(ReRAM)とか�k歩立ち入った見�気�出始めている。

◇Intel and Micron Announce "Revolutionary" Mystery Memory (7月29日��け IEEE Spectrum)

◇Intel and Micron claim breakthrough memory solution (7月29日��け DIGITIMES)

◇Cross-point ReRAM Integration Claimed by Intel/Micron (7月29日��け ELECTROIQ/BLOG)
→Intel/Micron合弁が、Resistive-RAM(ReRAM)統合にこのたび成功、未発表の材料で作られ、披露されていないメカニズムを��いて切り換えるcross-pointアーキテクチャーの旨。試作�攵�ウェーハはLehi fabで動いていると思われ、顧客へのサンプルはこの�Q��までと約�Jの旨。

穏やかではない�f国からの反応の表わされ�気任△襦�

◇インテル「メモリ業�c版図変える」…サムスン・SKハイニックス「�g張」 (7月30日��け �f国・中央日報)
→�櫂ぅ鵐謄襪肇泪ぅ�ロンテクノロジーが来�Q中に�j量�攵�すると��らかにした「3Dクロスポイント」は保�T�]度を画期的に高めたメモリ半導��。世�cメモリ半導��業�c1、2位のサムスン電子とSKハイニックスも�瑤振\術を�eつが、量��は3�Q後に可�Δ藩女[している旨。「インテル−マイクロン連合」に国内の業�cが�g張する理�yの旨。インテルとマイクロンテクノロジーがデータ臨時保�T��半導��のDRAMと半�P久保�T����のNAND型フラッシュメモリの長所を合わせて開発した次世代メモリ半導��であり、��来のNAND型フラッシュメモリよりデータ保�T�]度が1000倍以���]い旨。

この新型メモリの応��を加えてまとめられている。

◇新メモリ、処理�]度1000倍、インテルとマイクロン、量��に���} (7月30日��け 日経�噞)
→�櫂ぅ鵐謄襪��櫂泪ぅ�ロン・テクノロジーが28日、「3D XPoint」と�}ぶ新型メモリ�\術を開発したと発表、スマートフォンで主に使われているNAND型フラッシュメモリに比べ、処理�]度で最�j1000倍、データ容量でDRAMの10倍に達する旨。インテルとマイクロンは新型メモリの量��に���}。�Q内にサンプル出荷を始める旨。
　トランジスタを使��しない構�]で、1989�QにNAND型フラッシュメモリが登場して以来の��く新しいメモリだとしている旨。両社によると、あらゆるモノがネットにつながる「IoT(Internet of Things)」機�_の普及で、�Q間に�收�されるデータ量は2013�Qの4.4ゼタ(ゼタは1兆の10億倍)バイトから2020�Qには44ゼタバイトと10倍に膨らむ見通し、新型メモリ�\術を使えば、データセンターのサーバー�ξ�が�j幅に向�屬掘▲咼奪哀如璽燭鮟峪�に解析できるようになる旨。小売��の��頭で��済の不��パターンを検出したり、�C伝子解析の高�]化などに����できるとみている旨。

インテルとマイクロンの3D XPointプロジェクトに参加していたという��湾のSilicon Motion Technologyからのコントローラ半導��に�Dり組む動きである。

◇Silicon Motion to offer solutions for 3D XPoint devices (7月31日��け DIGITIMES)
→NANDフラッシュデバイスコントローラソリューションの設��&開発を行っているSilicon Motion Technology(��湾)が、IntelとMicron Technologyが共同開発した3D XPointメモリ�\術を����するSSDs��コントローラ半導��を供給する旨。業�c筋によると、Silicon Motionはすでに披露されたばかりの3D XPoint�\術に向けてIntel-Micron共同開発プロジェクトに参加している旨。該�\術を��いて作られる最初のSSDsは、Silicon Motionが開発するコントローラ半導��を伴って、2016�Qに出てくる見込みの旨。
　3D XPoint�\術はまずは専���x場向けSSDsに適��され、�]期的にはシステムメモリの主流としてDRAMおよびNANDフラッシュの両�気���き換えることはありそうにない旨。

実際に何なのか、見�気�以下の通り今後とも��いていくであろうが、�Q内サンプル出荷、来�Qには量��というこの新型メモリの今後に�jいに�R�`が集まるとともに、現�Xの�x場の空気のリフレッシュ度合いにも関心が高まるところである。

◇Patent Search Supports View 3D XPoint Based on Phase-Change (7月31日��け EE Times/Blog)
→3D XPoint non-volatileメモリは本当にphase-change memoryの1つのバージョンにすぎないのか？����検索がこの見�気��Хeしている旨。

≪�x場実��PickUp≫

【半導��業�cM&A】

��にこの春以�Tの半導��業�cにおけるM&Aの�fは、ずっと�R�`して�Dり�屬欧兇襪鰓uなくなっているが、その凄さの度合いを��すデータが表わされている。今�Q2015�Qの�i半だけで�垉�5�Qの�Q間平均の約6倍という��実が如実に�餮譴辰討い襦�

◇Tsunami of M&A deals underway in the semiconductor industry in 2015 (7月29日��け ELECTROIQ)
→IC Insightsの今週後半リリース予定、Mid-Year Update to The McClean Report(185-ページ)は、半導��業�cでのプレゼンス高揚を�`指す中国の野心的な新しい��画など、最�ZのM&A activityの����な�\�jに��点の旨。
　M&A mania以外の何�颪任癲△△襪い篭元い虜私Xとも、とにかく2015�Qに��きている半導��mergers and acquisitions(M&A)の巨�jな�Sを��徴づけるのは�Mしい旨。
　2015�Qの最初6ヶ月だけで、発表された半導���A収合�Tの総�Yが$72.6 billionとなり、�iの5�Q間、2010-2014�Qの間に締�TされたM&A�D引の�Q間平均の約6倍相当の旨。下記の図�C参照：
⇒http://electroiq.com/wp-content/uploads/2015/07/m-and-a-fig-1.png

◇Tsunami of M&A deals underway in 2015 chip industry, says IC Insights (7月30日��け DIGITIMES)

【ワイヤレス給電】

モバイル機�_をワイヤレスに充電するアプローチの実現化に向けて、Qualcommは�OらのRezence�Y��、そしてSamsungはQiワイヤレス給電�Y��による����化を以下の通り発表している。

◇Qualcomm says it can now wirelessly charge metal phones (7月28日��け The Verge)
→Qualcommは、metal rearケース���△療��Bについて、Rezence�Y��をサポートする限りワイヤレスに充電する�桔，鯣���している旨。

◇Qualcomm makes wireless charging for metal-covered devices (7月30日��け EE Times India)
→金�錺�バーの機�_に向けたワイヤレス給電が、Qualcomm Technologies社が仕立てたソリューションのお��で今や現実のものに、このRezence�Y��-��拠ソリューションはQualcomm WiPower�\術を��いている旨。

◇Samsung SE370 Monitor Boasts Wireless Charging Capability (7月29日��け EE Times)
→世�c初のブレイクスルー、Samsungが�]ち�屬欧�SE370 monitorは、Wireless Power Consortium(WPC)が開発したQiワイヤレス給電�Y��を��いるスマートフォンはじめモバイル機�_すべてワイヤレスに充電できる旨。

【先行き下�巨T��】

世�cの半導���x場を端的に表わす��湾の動きと言えるところがあると思うが、まずはUMCが��要不�Bとして28-nmの立ち�屬欧鰔�らせている。

◇UMC Cuts Expectations for 28nm Ramp on Weaker Demand-UMC cites slowing progress in ramping 28nm chip production (7月29日��け EE Times)
→UMCの28-nmプロセス�\術立ち�屬欧�、2016�Q�i半まで��要が弱含みのままの様相の�k�機�半導��業�cは在�U調�Dから�Z労して進むことから、��くなる旨。最先端28-nmノードからの同社売�屬家耄┐�、��二四半期の11%をピークに今�Q後半は約10%に下がると見ている旨。UMCは昨�Q半ば以�T、TSMCが約5�Qの間席巻している28-nmでの�B場�wめを�`指している旨。

◇UMC slows 28nm ramp (7月30日��け DIGITIMES)

後工��について発�Rが中国に�，辰甚X況を感じさせる以下の内容である。

◇China IC backend firms reportedly obtain orders from Qualcomm, MediaTek (7月29日��け DIGITIMES)
→業�c筋発。Jiangsu Changjiang Electronics Technology(JCET)およびNantong Fujitsu Microelectronicsなど中国の主要IC backend housesが、QualcommおよびMediaTekからの�p�Rを�耀u、現地IC業�cの�t開を高める中国���Bの��動を�Хeする向きの旨。Jiangsu Changjiangは、2015�Q����四半期にQualcommおよびMediaTek両社からの定例�p�Rの�~行を始める旨。

ファウンドリーのUMC、実��&テストのSPILともに、今後の下�巨T��のトーンが�咾泙辰討い襦�

◇Low order visibility for 2H15, says SPIL chairman (7月30日��け DIGITIMES)
→Siliconware Precision Industries(SPIL)(��湾)のchairman、Bough Lin��が、�p�Rの見え�気�低いことから2015�Q後半の半導���x場�t望への�R�Tを表��の旨。

◇UMC expects wafer shipments to drop in 3Q15 (7月30日��け DIGITIMES)
→UMCが、2015�Q����四半期ウェーハ出荷の�i四半期比最�j5%の��少を予�[している�k�機�capacity�n働率が90%を下�vるとしている旨。

【Samsungの��二四半期業績】

Samsung Electronicsの��二四半期業績が発表され、�i�Q比��収��益が��く形となっている。スマートフォンの厳しい�X況を半導��が�mめており、該四半期operating profitの約半分を��める�T果である。

◇Samsung's Slippage Stirs Smartphone Angst (7月30日��け EE Times)
→グローバルモバイル�x場の�Pびを���咾�引っ張っていたSamsung Electronicsが水曜30日、鈍い��二四半期業績を発表の旨。

◇Chips left Samsung Electronics' Q2 earnings -Samsung Electronics reports Q2 profit of nearly $6B (7月30日��け The Korea Times (Seoul))
→Samsung Electronicsの��二四半期のoperating profitが約$6 billion、�i�Q同期比4%��、�k�機�2015�Q後半はスマートフォン����ラインについて課��が高まっていくと警告の旨。Samsungの半導����業は、該四半期のoperating profitの約半分を��めている旨。

◇サムスン、IT�靆膠超半W益38%��、スマホ厳しく、4〜6月 (7月30日��け 日経 電子版)
→�f国のサムスン電子が30日発表した2015�Q4〜6月期連�T���Qの確報値。連�T売�峭發��i�Q同期比7%��の48兆5400億ウォン、連�T営業�W益は同4%��の6兆9000億ウォン。7四半期連��で�i�Q実績を下�vったが、��益幅は縮小��向にある旨。スマートフォンなどIT機�_�靆腓留超半W益が2兆7600億ウォン(約2900億��)と�i�Q同期比38%��、�k�機�半導���靆腓�3兆4�h億ウォンと�i�Q同期比83%�\、DRAMとNAND型フラッシュメモリがスマホやサーバー向けで�Pびた旨。

【ITA合�T】

世�c��易機関(WTO)の情報�\術協定(ITA)について、輸出入の関税を��廃する���`を�{加する合�Tが以下の通り行われ、半導��、�]晶関係もあってSEMIが��迎する表��を行っている。

◇SEMI Applauds International Trade Agreement Breakthrough (7月24日��け SEMI)

◇デジタル201���`の関税��廃、日�櫺い簔聚f合�T、WTO −日本、1600億��負担�� (7月25日��け 日経 電子版)
→世�c��易機関(WTO)の情報�\術協定(ITA)に参加する日�櫺い簔羚顱∠f国など約50の主要国・地域は24日、201���`のデジタル����について、輸出入する際の関税を��廃することで合�Tした旨。デジタル複合機やカーナビ、磁気共鳴画������(MRI)などが����に加わる旨。日本企業が�u�Tとする分野が�Hく含まれており、こうした����の輸出拡�jにつながりそうな旨。
　通商協定の�kつであるITAは、デジタル����の関税��廃をめざして1997�Qに発効、現在はパソコンや携帯電�B、プリンターなど約140���`が����になっている旨。その後に普及した情報機�_には�官�しておらず、2012�Qから�������`を�\やす交渉が始まっていた旨。
　�{加���`にはゲーム機やデジタルビデオカメラのほか、�]晶パネルに使う偏光材料��のシートや半導����フォトレジストも含まれる旨。�Q国・地域は9月から�Q���`について関税��廃までの期限を協議し、12月にナイロビで開くWTO�o式�V�^会合までに最終合�Tしたい考え、2016�Q7月の発効をめざす旨。

≪グローバル雑学�棔�369≫

国家は����的に拡�jしていくものと地��学の�j本にあるとのこと。100�Q�iにドイツ(当時のプロシャ)にとって邪魔になったのが�L洋国家のイギリス。
それが今や、巨�jな�j陸国家の中国にとって�L洋�訶擇粒判jを図るうえで我が国、フィリピン、ベトナム、引いては�盜颪箸隆屬涼C�oを�擇犬討い襦Ｃ��v�Oら出向いた��湾の例をはじめ、拡�jに向かう中国の筋書、��情というものを、

『「逆さ地図」で読み解く世�c情勢の本��』
　(松本　�W秋 著：SB新書 301)　…2015�Q5月25日 初版��1刷発行

より����的な国家間の応酬の歴史から見ている。戦後70�Qの我が国�W倍��相の�i�Bが�R�`されているが、�}を翻したような経緯の実��など以下に表わされている。

��二章　�Lを塞ぐ日本�`��は中国経済発�tの障害か＝2分の2＝

■歴史から学ぶ中国の恫�_とメンツの裏にあるもの

◇中国��と��湾��の戦�hの実際
・中国がこれまでに実際に��を�������襪靴茲Δ箸靴浸遒�
　→中国本土にごく�Zい��湾�襪龍睫���と�[祖��
・1996�Q3月、(著�vは、)��湾�覿睫���に�]在
　→��湾��の動向と2万人�Zい住�c�c�Mの実��を調�hする�D材�`的

◇実��を誇��すれば中国は引く
・このとき��湾では初の�c��総統��挙
　→我々日本人には当たり�iになっている「��挙」の実施に、これほどの犠牲を払わなければいけないという現実に��直戸惑い
　→��挙は無��実施、反中共を唱えた李登��が当��
　→中国の���E的�}法がまったく��反�瓦暦T果を�擇鵑赤Z型例
・�c主主�I的�}��きを経た���Eを実行するために、動�^された��湾��は��べ70万人
　→中国の�Tに反することを実行しようとすれば、コストを覚悟しなければならないという教訓
・�汢L��が二個空母�]撃群を派遣
　→実��を誇��すれば中国は引くということの証��
・中国はこれまで二度にわたって金門��を奪�Dするために������撃
　→1949�Q、��の内陸�陲貌�め込んだ中国��は���_��薬の��給が��しく、国�c党��に撃破された
　→2度�`は1958�Q8月、中国��は�幹澆離▲皀い�ら金門��に砲撃
　　→��湾��に����から最新鋭の8インチ榴��砲が届き、アモイに向けて本格的な反撃
　　→この情勢に中国���Bが���澣ぬ�に
・古来ランドパワーに頼ってきた国�c性は、容易にシーパワーへの変換ができない
　→居丈高な恫�_の裏にある、ある�|の怯えを見ていく��要

■中国が拡�jする本当の理�yは�旛T権拡�jの地��学

◇中国のトラウマになった�Lからの侵��
・1839�Q、当時の当時の�{国���Bは、イギリス商人のアヘンを没収、焼き捨て
　→イギリス���Bは�{国に戦争を仕�Xけ、1842�Q、�{国が�`��
・アヘン戦争が当時のアジア�o国に与えた�jきな衝撃
　→�喀jな��を�eった�L洋国家の�f�{無人ぶりが、その後の中国人のトラウマとして残った
・アヘン戦争と日�{戦争の�`��という、二�_のショックに見舞われた中国
　→�Lからの侵��を極端に恐れるように
・中国の�L洋に�瓦垢覺靄榲�な認識
　→「���換颪貌Dり巻かれている」という、彼らなりの現実感覚に素直に��ったところにある

◇尖�V問��を次世代に預けた��小平の真�T
・中国の�Lに�瓦垢觴尊櫃旅堝�
　→点在する��々を「�訶據廚塙佑─△修亮�りの�Lを�O分の内�Lと考えているよう
・1978�Q、��小平中国共�欃中央委�^会副主席は来日する直�i、漁�`100隻以�屬鮴躇V�o�����Zに送り出し、�訶斂筱�の�T在をアピール
　→当時の福田�c夫��相との会�iで、�^�屬��bを�t開
・中国は日本の�q�\による経済成長を成し�~げ、��をつけてきた1992�Q、��小平は�O身が唱えた�^�屬��bを�Oらの�}でアッサリとひっくり返した
・約40�Q�iから、尖�V�o��の�諠~を主張する中国の立場は�k歩も後��していないという��実を、見逃してはならない

◇中国が�L洋進出にこだわる理�y
・中国を中央に��いて地図を逆さまに見てみると
　→世�cから中国に至る�Lの�Oはアメリカの同盟国に塞がれ、シーレーンそのものも�喀jな�汢L��に牛耳られている
　→拠点となる��を確保、周囲に���瓦垢襯掘璽僖錙執餡箸��Zづけないようにしたい
　　→これが中国の基本的な�e勢
・今から100�Q�i、���k次世�c�j戦�iのドイツ(プロシャ)
　→この時ヨーロッパのランドパワーであったドイツにとって邪魔になったのが、当時の�L洋国家(シーパワー)、イギリス
・�潅羚��]開に向けて
　→基本的な歴史の流れをしっかりと把�曄����Bを成立させるための���I肢をできるだけ広げる戦�S的な���Bの�桔，鮃佑┐襪戮�

◇シーパワー的発�[も�eったランドパワー国家中国
・中国にせよ、ドイツにせよ
　→�J�Tの�L洋国家と�姦��e勢
　→�L洋に浮かぶ��を�訶擇砲靴董△修海�����拠点に�O己の勢��を徐々に拡�jしていこうとする��向
・地��学の祖とされるフリードリッヒ・ラッツェル(Friedrich Ratzel：ドイツ：1844−1904�Q)
　→「レーベンスラウム(Lebensraum：国家が�O��できる�旛T圏)拡�j�b」
　→�j命��「国家は�擇�ている�~機��的な�T在であり、����的により�jきな�旛T圏を求めるようになる」
・チベット、内モンゴル、ウイグルの3つの地域を��合した中国
・東欧はじめ影�x下に��いた��二次世�c�j戦後の���j国、ソ連(現ロシア)
・もともと中国はランドパワー国家
　→本�ε�にはランドパワー的な発�[を�eちつつ、現実問��としてシーパワー的な��策を執らざるを�uない
　→�L�屬砲�いても�訶擇砲海世錣蝓�中国そのものが限りなく拡�jしていかざるを�uなくなっている