≪��拡�j(lu┛)を�Dり巻く課��≫

中国での半導��メーカーの2020�Qまでの投�@総�Yが約5兆��と、以下の通り表わされている。中国の国家が主導するものと�盜顱���湾はじめ世�cの半導���j(lu┛)�}の拠点進出が合わさった形である。�k��(sh┫)では、世�c半導���x場の��給関係へのインパクトの懸念という課��が指�~されている。

◇Global chipmakers plan $50bn investment in China by 2020-Chipmakers' 5-year plan: Spend $50B on China fabs (9月11日��け Nikkei Asian Review (Japan))
→Nikkeiの調�h。半導��メーカーが、向こう5�Qにわたる中国での�攵�capacity拡�j(lu┛)に向けて$50 billionの投�@を��画の旨。Tsinghua UnigroupがNANDフラッシュメモリデバイスおよびDRAMsを?y┐n)��]するためのWuhan(��漢), Chinaでのウェーハfab拠点に$24 billionを投入する�k��(sh┫)、Intel, Samsung Electronics, TSMCおよびGlobalFoundriesがこぞって中国の拠点に向けた投�@を��画している旨。

◇中国、国主導で半導��投�@5兆��、5�Q間に −基��(chu┐ng)�噞へ　��給�K化の懸念も (9月11日��け 日経 電子版)
→中国で国内外の半導��メーカーが�j(lu┛)��模な�\��に乗り出す旨。現地�j(lu┛)�}の��光集団が巨�j(lu┛)メモリ工場の建設を�]ち出すなど、少なくとも10カ所で新�\設の��画がある旨。2020�Qまでの5�Q間の総投�@�Yは��(c┬)去5�Qの2倍以�屬�5兆����模に達する見通し、中国���Bは半導��を基��(chu┐ng)�噞とするために国内企業の育成と同時に外�@メーカーの投�@も�任靴討い觧檗�世�c的な�\����画と合わせて、半導��の��給�K化につながる可��性もある旨。

中国への拠点化を図る動きもいろいろな切り口で見られており、�k例としてQualcommがAmkorと組んでの�帷Lでの半導�����]サービス供給である。

◇Qualcomm Communication Technologies opens in Shanghai for semiconductor test manufacturing (9月12日��け ELECTROIQ)

◇Qualcomm opens Shanghai facility for semiconductor test manufacturing (9月12日��け DIGITIMES)
→Qualcommが、�帷LのWaigaoqiao(WGQ：外高橋) free-trade zoneにある半導��テスト拠点、Qualcomm Communication Technologies (Shanghai)のオープンおよび同社初となる半導�����]サービス供給を発表の旨。Amkor Technologyと協働する該新会社は、Amkorの広�J(r┬n)なテストサービスexperienceおよびクリーンルーム設�△�Qualcomm Technologiesの業�cを引っ張る�����\術&開発と組み合わせていく旨。

これからの新�\術�官�の1つとして以下の≪�x場実��PickUp≫でも��すGlobalfoundriesのアプローチがあるが、中でも�R�`のfully depleted silicon-on-insulator(FD-SOI)について中国での�t開の可��性が表わされている。

◇Chip Process War Heats Up-Samsung and China are the wild cards (9月12日��け EE Times)
→数量はまだ小さいが、Globalfoundriesの12-nmプロセスに向けた��画を�pけてfully depleted silicon-on-insulator(FD-SOI)が���]に�Pびる可��性の旨。Samsungあるいは�帷Lにやってくる新しいfabがF(xi┐n)D-SOIを採��するかどうかが�j(lu┛)きく効いてくる、とInternational Business Strategies(IBS)のベテラン�x場watcher、Handel Jones��(hu━)。

Asia-Pacific地域の世�c半導���x場での比率について、IC Insightsが61.0%と見込んでいる。中国が押し�屬欧諫x場の��模の実��が改めて表わされている。

◇Asia-Pacific to top 2016 regional IC sales in major system categories (9月14日��け ELECTROIQ)
→IC Insightsのmid-year Update to the 2016 IC Market Driversレポートでの分析。Asia-Pacific地域が、2016�QのIC�x場、$282.0 billionの61.0%を��める見込み、2013�Q57.7%、2014�Q58.4%、そして2015�Q60.5%ときて踏み�屬�っている旨。

◇Asia-Pac to extend IC market share-Asia-Pac is expected to account for 61% of the $282 billion IC market this year, says IC Insights. -61% of 2016 IC sales will be in Asia-Pacific (9月16日��け Electronics Weekly (U.K.))

この4〜6月世�c半導�����]�����x場が、以下の通りの�\加を��しており、��に中国が引っ張る構図となっている。SEMIによる世�cの2016〜2017�Qにかけての半導��工場の新設・�\��(d┛ng)��工��画の中国の比率が、今後に向けて如実に��すところがある。�k��(sh┫)では、通商�Cの課��に�`を遣る��要が出てくる。

◇Global 2Q16 semiconductor equipment billings increase 26%, says SEMI (9月14日��け DIGITIMES)
→SEMIとSEAJの共同データ。2016�Q��二四半期の世�c半導�����]�����x場：
　billings　$10.5 billion　�i四半期比26%�\　�i�Q同期比11%�\
　bookings　$11.9 billion　�i四半期比27%�\　�i�Q同期比17%�\

◇半導������の�x場��模、中国、2倍で��(c┬)去最高、4〜6月、��湾に次ぎ2位 (9月14日��け 日経�噞)
→半導�����]����の4〜6月の世�c販売�Yは�i�Q同期比11%�\の$10.46 billion(約1兆600億��)、�x場別では中国が同2.2倍の$2.27 billionとなり��(c┬)去最高で、��湾に次ぐ2番�`の��模となった旨。業�c団��であるSEMIと日本半導�����]����協会(SEAJ)が13日発表した旨。
SEMIによると、世�cでは2016〜2017�Qにかけて19�Pの半導��工場の新設・�\��(d┛ng)の��工が��画され、うち10�Pは中国での投�@となる旨。10�Pの内�lをみると半分は�櫂ぅ鵐謄襪籘f国サムスン電子など外�@の投�@で、残りは中国企業。中央���Bは巨�Y�@金を投じて外�@勢を�{撃する旨。

半導��の今後の応��の1つ、電気�O動�Z(EVs)についても、中国が引っ張ってその�x場は同国内メーカーが席巻という現�Xが表わされている。

◇China surpasses US, Europe in electromobility (9月12日��け EE Times India)
→�x場調�hのCentre of Automotive Management(CAM)発。電気�O動�Z(EVs)はじめelectromobilityのグローバルレベルでの�Pびは、中国�x場が��1に引っ張っており、本�Q最初の8ヶ月で、約24万��のEVsが中国で売られている旨。該中国�x場は、国内brandsおよびメーカーが席巻しており、�L外ベンダーは唯�kTeslaでありModel Sを擁して��19位の旨。�L外ベンダーが中国e-mobility�x場で�Hくの引き合いを�u(p┴ng)る�Mしさを認識、VolkswagenはEVsを開発・販売する現地の会社、JACとの合弁を発表している旨。

��模が違うだけに��拡�j(lu┛)の進�t�差腓飽�き��き�R�`するところである。

≪�x場実��PickUp≫

【ルネサスの�櫂ぅ鵐拭璽轡��A収��式発表】

ルネサスエレクトロニクスによる�櫂▲淵蹈鞍焼����j(lu┛)�}、インターシルの�A収が��式に発表され、以下の業�c�Q�L�Dり�屬���(sh┫)となっている。�O動�Z、�噞��と、新たな�x場の構図が�Wかれようとしている。

◇Intersil Deal: Renesas' Survival Bid (9月13日��け EE Times)

◇Japan's Renesas pushes into autos with $3.2 billion Intersil buy (9月13日��け Reuters)

◇Renesas Bets on Smarter Cars With $3 Billion Intersil Purchase-Japanese firm to pay $22.50 per share for US chipmaker (9月13日��け Bloomberg)
→Renesas Electronicsが、�Z載��コンポーネントへの動きを踏み�屬押��盜颪糧焼���メーカー、Intersilの$3.2 billion�A収��払いに合�T、$22.50/株の提���YはIntersilの月曜12日終値に�瓦�14% premiumの旨。

◇ルネサス社長「��争��高まる」、�櫂ぅ鵐拭璽轡��A収発表 (9月13日��け 日経 電子版)
→ルネサスエレクトロニクスが13日、�歹蔚箸離ぅ鵐拭璽轡�(カリフォルニア��)を�A収すると��式発表、�A収金�Yは$3.219 billion(約3250億��)で同社株主から現金で�Aい�屬欧憧井�子会社化する旨。省電��につながる電圧�U(ku┛)御��の半導��を�O社����と組み合わせて、�O動�Zや�噞機械などの主要顧客への提案��を高める旨。インターシルの�D締役会は��会�k致で賛同しており、株主総会や�Q国の独禁法当局の�R認を�u(p┴ng)た�屬如�2017�Q6月をメドに�A収を完了する旨。

◇ルネサス、�櫂ぅ鵐拭璽轡襪�3200億��で�A収−アナログ半導����完 (9月14日��け 日刊工業)
→ルネサスエレクトロニクスが13日、�櫂▲淵蹈鞍焼����j(lu┛)�}のインターシルを完��子会社化すると発表、�A収�Yは約$3.219 billion(約3251億��)で、ルネサスの�}元�@金を充てる旨。電���U(ku┛)御などを行うアナログ・パワー半導��と、ルネサスが��(d┛ng)みとするマイコンと組み合わせて�O動�Zや�噞機械向けにトータルに提案、�A収で$170 million(約171億��)以�屬料蠑荼�果を見込む旨。

【��を告げるSamsung関連の動き】

�盜駭��B機関、�盜饐嫡J�v�����W��委�^会(CPSC：Consumer Product Safety Commission)がサムスン電子のスマートフォン「ギャラクシーノート7」に�瓦垢觸o式リコールを発表(9月16日��け �f国・中央日報)、厳しさ、慌ただしさが日々高まる中のSamsung関連の以下あい��く動きそれぞれに、先行き�R�`している。

◇Samsung putting capex focus on OLED could lose major foundry client (9月12日��け DIGITIMES)
→業�c筋発。Samsungの主要ファウンドリー顧客、Qualcommが、SamsungのOLEDパネル�x場への設��投�@�_点化に関わるリスクを認識、��画より早くTSMCへの�v帰を考えている旨。Samsungは、OLED��業への�_点投�@を図っており、他のoperations、��にファウンドリー分野への投�@を搾ることになる旨。このような動きは、先端�\術でのTSMCとの��い合いではSamsungに不�W(w┌ng)になる可��性の旨。

◇Samsung to start running new production line for 3-D NAND this year-Samsung to set up new fab line for 3D NAND flash (9月12日��け The Korea Herald (Seoul))
→Samsung Electronicsが、Hwaseong City(華城�x), Korea拠点でのNANDフラッシュメモリデバイス���]に向けて新しいウェーハfabラインを構築、該fabラインに$2.26 billionを投�@予定の旨。

◇��HP、サムスン電子のプリンター��業�A収 −1070億��で (9月12日��け 日経 電子版)
→?ji┌ng)櫂劵紂璽譽奪函Ε僖奪�ー�?HP)が12日、�f国サムスン電子のプリンター��業を�A収すると発表、�A収�Yは$1.05 billion(約1070億��)、1�Q内に�A収�}��きの完了を�`指す旨。完了後にサムスンがHPに$100〜300 million分を出�@することでも合�Tした旨。HPは複合機�\術に��(d┛ng)みを�eつサムスンを�Dり込むことで、�k段の成長を�`指す旨。

◇サムスン、��HPに複�^機��業売却、「��中核」を分�` (9月13日��け 日経 電子版)
→�f国のサムスン電子が12日、複�^機��業を��HPに$1.05 billion(約1070億��)で売却すると発表、防ﾅや化学��業からの����に��き、��中核��業から�}を引く��(sh┫)針の�k環の旨。��争が��化している半導��やスマートフォンなどの主����業、バイオ医薬��などの新��業に経営�@源を集中させる旨。

◇サムスン、シャープ��株を売却、�V�Lの�A収�pけ (9月15日��け 日経 電子版)
→�f国サムスン電子が日本法人を通じて保�~していたシャープの��株式を売却していたことが14日、分かった旨。サムスンは2013�Q3月にシャープに約104億��を出�@、当時は約3%の出�@比率で5位の�j(lu┛)株主だった旨。スマートフォンで��合する�櫂▲奪廛襪抜愀犬凌爾ゑ�湾の�V�L(ホンハイ)�@密工業が今�Q8月にシャープを�A収したこともあり、�@本�屬猟鷏箸魏鮠辰靴浸檗�

◇シャープ、サムスンと提携解消、�]晶立て直しに懸念、堺工場の最�j(lu┛)顧客、�D引�M(f┬i)��は不透�� (9月16日��け 日経)
→�f国サムスン電子がシャープとの�@本提携を解消したことは、シャープの経営再建に影�xを与える可��性もある旨。シャープと、同社を8月に�A収した�V�L(ﾎﾝﾊｲ)�@密工業が共同で運営する�j(lu┛)型�]晶パネルの�攵冄社、堺ディスプレイプロダクト(SDP)にとって最�j(lu┛)顧客であり、サムスン向けが��(f┫)少すれば、低迷する�]晶��業の立て直しにも懸念材料となりかねない旨。

【iPhone-7関連の動き】

9月7日に発表されたiPhone-7を巡る様々な切り口の見��(sh┫)が��巻いており、まずは差し込み型ワイヤレスイヤホンについてである。

◇NXP Connects iPhone-7 Earbuds? -Magnetic induction clips last wire (9月10日��け EE Times)
→iPhone-7における�k�瓦離錺ぅ筌譽�earbuds(耳の穴に差し込むタイプのイヤホン)は、near field magnetic induction(NFMI)を�W(w┌ng)��、最後のコード(Bluetooth headsetsに向けて左��のイヤホンの間のもの)を�Dり除く旨。
同時に、NXP発、同社はこれまでで最先端のNFMI system-on-chip(SoC)、Bluetooth-freeイヤホン��NxH2280 NFMI radioを発表の旨。該NxH2280は、iPhone 7��要を満たせる数量が現在可�Δ任△襪�、NXPはAppleがそれを使っているかは確認していない旨。

半導��発�Rと本���p�Rの出�Bの見��(sh┫)である。

◇Chip orders for iPhone 7 higher-than-expected-Sources: IPhone 7 chip orders are above estimates (9月14日��け DIGITIMES)
→業�c筋発。2016�Qに向けたこれまでのiPhone 7��半導��発�Rは、以�iの�h価を��?j┼n)vっているが、AppleのiPhone 7についての初期�p�Rは、1�Q�iに発表された6sシリーズのそれを依��15-25%下�vっている旨。

�盜颪�らは出�B好調の発信が行われている。

◇iPhone7予約好調、�歡命�2社「��(c┬)去最高水��」 (9月14日��け 日経 電子版)
→?ji┌ng)櫂▲奪廛襪凌轡好沺璽肇侫�ン「iPhone7」シリーズに�瓦垢詬縮鵑僚倆Bが、�盜颪嚢ツ瓦任△襪海箸�分かった旨。9日から予約�pけ��けを始めた�欸搬�3位TモバイルU(xi┌n)Sと、ソフトバンクグループ傘下で4位のスプリントが13日、相次いで予約�P数が「��(c┬)去最高水��になった」と�o表した旨。アップルは今�v、出�Bの販売�X況を�o表しない��(sh┫)針を��らかにしており、�歡命��j(lu┛)�}による販売データに�R�`が集まっていた旨。

◇Apple says initial quantities of iPhone 7 Plus sold out (9月15日��け Reuters)

我が国の発売日の�X況である。

◇iPhone7が発売…朝から100人以�屬��` (9月16日��け YOMIURI ONLINE)
→?ji┌ng)櫂▲奪廛襪離好沺璽肇侫�ン「iPhone7」と「7Plus」が16日午�i、��国で発売された旨。日本で広く普及する「フェリカ」��(sh┫)式の電子マネーに�官�、東�B都�q谷区の「アップル表参�O」では開��の午�i8時を�iに、100人以�屬�行�`を作った旨。

iPhone-7はNANDフラッシュメモリ価格を押し�屬欧觚���(sh┫)があらわれている。

◇Flash memory prices surge on smartphone production push-New smartphone models push up flash memory prices (9月16日��け Nikkei Asian Review (Japan))
→iPhone 7およびiPhone 7 Plusが、NANDフラッシュメモリデバイスの��要を引っ張っており、それら半導��価格を約2�Qぶりの高値に押し�屬欧討い觧檗�IHS Technologyは、����四半期のNANDフラッシュ出荷が�i�Q同期比約20%�\と見ている旨。

早�]にteardown解析がまとめられ、IntelのベースバンドおよびTSMCのA10が�j(lu┛)きく�R�`されている。

◇iPhone 7 Sports Intel, TSMC (9月16日��け EE Times)
→Chipworksのteardownが本日、AppleのiPhone 7 handsetsの少なくともあるものにIntel insideを確認、IntelがInfineonから�A収したベースバンドプロセッサが使われている旨。A10 Fusion SoCの少なくともあるものは、TSMCがたぶんにInFO(Integrated Fan Out)実�▲廛蹈札垢鮹�いて作っている、としている旨。IntelとTSMCの両社が最新iPhonesでのsockets�耀u(p┴ng)という当初の予�[を確認、たぶんIntelはQualcommおよびMediatekに��く��3のcellularベースバンドプロセッサのサプライヤとなっていく旨。

【Nvidia �� AMD】

�O動運転�Z、ドローン、ロボットなどartificial intelligence(AI)およびdeep learning応��に向けたグラフィックスカードそしてgraphics processing units(GPUs)を巡り、Nvidiaに�眼^するAMDの構図が以下の通りあらわれている。

◇Nvidia sees tight graphics card supply; to release GTX 1050 in late September (9月9日��け DIGITIMES)
→NvidiaのPascal-ベースGeForce GTX 1080, 1070および1060グラフィックスカードが�x場からの引き合いが��(d┛ng)く、現在供給が締まっている旨。さらに�x場拡�j(lu┛)を図って、Nvidiaは早くて9月��にmid-range GTX 1050グラフィックスカードをリリースする��画の旨。�k��(sh┫)、AMDは現�XのPolaris-ベースRadeon RX 480, 470および460グラフィックスカードで�x場シェアを守っているが、なおNvidiaの����からの��しい��合に会っている旨。

◇Nvidia debuts 2 Pascal-based Tesla chips for deep learning applications-Nvidia unveils 2 Pascal GPUs that can learn (9月12日��け VentureBeat)
→Nvidiaが、同社Pascalアーキテクチャー・ベースのTesla P4およびTesla P40 graphics processing units(GPUs)を投入、�O動運転�Zなどartificial intelligence(AI)およびdeep learningにおける応��向けの旨。同社はまた、関連のDeepStreamおよびTensorRT AIソフトウェアを発表の旨。

◇Nvidia's new Pascal GPUs can give smart answers-Nvidia's new Tesla P4 and P40 GPUs are targeted at deep learning (9月12日��け Network World/IDG News Service)

◇Drones and robots will get smarter with Nvidia's Jetson TX1 update-Nvidia updates its Jetson TX1 development board with software (9月13日��け CIO.com/IDG News Service)
→Nvidiaが、ソフトウェア��(g┛u)新で同社Jetson TX1 developer boardにさらなる処理�ξ�を加えている旨。

◇AMD's Vega GPUs to ship in the first half of 2017-AMD narrows shipping timeframe for its "Vega" GPUs (9月13日��け Computerworld/IDG News Service)
→Deutsche Bank 2016 Technology Conference(Las Vegas)にて��曜13日、AMDのchief technology officer(CTO)、Mark Papermaster��(hu━)。AMDは、同社次世代"Vega" graphics processing units(GPUs)を2017�Q�i半に出荷予定、該高性��GPUは、virtual reality(VR), high-end gamingなどdesktop PC応��向けの旨。

【GLOBALFOUNDRIESの相次ぐ最先端アプローチ】

この9月8日に新しい12-nm FD-SOI半導���\術および22-nm設��に向けたパートナープログラムを発表したばかりのGlobalfoundriesが、こんどは�k気に飛んで7-nm FinFETプロセスおよび22-nm FD-SOIでの新しいembedded MRAMを�]ち�屬欧洞板c�Q�Lの�發笋�な�Dり�屬���(sh┫)となっている。IBMの半導�����]�靆腓��A収した同社の最先端アプローチに�`が�`せないところである。

◇GF Debuts 7nm, Embedded MRAM-FinFETs, FD-SOI expand at Globalfoundries (9月15日��け EE Times)
→Globalfoundriesが、7-nm FinFETプロセスに向けた��画を発表、現�Xの14-nmノードより最�j(lu┛)性�Δ�30%向�屐△△襪い賄杜�消�Jが60%少ない半導��が�u(p┴ng)られる旨。該プロセスは、2018�Q後半に量��に入り、今日の光lithographyだけを��いて当初30-nmほどのゲートpitchesとなる旨。
これとは別に同社は、22-nm fully depleted silicon-on-insulator(FD-SOI)プロセスで作られた半導��について2018�Qからsub-Gbit密度での新しいembedded MRAMをサポートする旨。Everspin Technologiesからライセンス供与を�pけた該メモリ�\術からは、現�Xのembeddedフラッシュvariantsよりも高�]な書き込み�]度並びに低電��消�Jそして小さいdie sizeが�u(p┴ng)られる旨。

◇GLOBALFOUNDRIES to deliver industry's leading-performance offering of 7nm FinFET technology (9月15日��け ELECTROIQ)
→GLOBALFOUNDRIESが、新しい先端7-nm FinFET半導���\術の��画を発表、次の時代のcomputing応��性�Δ鯑佑�詰める旨。この�\術により、データセンター、networking, premiumモバイルプロセッサ, およびdeep learning応��に向けたさらなる処理�ξ�が�u(p┴ng)られる旨。

◇GLOBALFOUNDRIES launches embedded MRAM on 22FDX platform (9月15日��け ELECTROIQ)
→GLOBALFOUNDRIESが、同社22FDXプラットフォーム�屬�scalable, embedded magnetoresistive non-volatile memory(eMRAM)�\術を投入、今日のnon-volatile memory(NVM) offeringsよりも1,000倍の高�]書き込み�]度および1,000倍の書き換え�v数がシステム設���vに�u(p┴ng)られる旨。

◇Globalfoundries unveils 7nm FinFET process (9月15日��け New Electronics)

◇Globalfoundries Plans Big Investment in New York State Chip Plant -Semiconductor manufacturer plans to beak from standard industry practice by skipping a generation of production technology (9月15日��け The Wall Street Journal)

◇GlobalFoundries unveils 7nm roadmap-AMD spin-off semiconductor fab specialist GlobalFoundries has announced that it is to skip the 10nm process node and head straight to 7nm.-GlobalFoundries will go from 14nm FinFET process to 7nm (9月16日��け Bit-Tech.net)
→GlobalFoundriesが、FinFETプロセスについて10-nmを飛ばして、14-nm FinFETから2018�Qに7-nm FinFETに進んでいく旨。この動きには、同社Fab 8拠点(Malta, N.Y.)において"multibillion-dollar investment"が��要になる旨。

◇Globalfoundries to use MRAM for embedded memory-Everspin's eMRAM will be available on 22nm FD-SOI in 2017 (9月16日��け New Electronics)
→Everspin Technologiesが来�Q、顧客prototyping向けにembedded spin-torque magnetorestive random-access memory半導��を提��、量��は2018�Qの旨。GlobalFoundriesが、該eMRAMを22-nm fully-depleted silicon-on-insulator(FD-SOI)プロセスで���]、22FDXプラットフォームでサポートの旨。

≪グローバル雑学?f┫)棔?28≫

グローバル化時代の日本外交はどうあるべきか、3�vに分けた2�v�`として、中国そして��?z─i)��zと、日々ニュース画�C&�L�Cを�@がせ�發錣擦討い�2つの国との関係および�間気砲弔い董�

『世�cに負けない日本　−国家と日本人が今なすべきこと』
　(�N中　���夏� 著：PHP新書 1045)　…2016�Q5月27日 ���k版���k刷

より、外交交渉の最�i線にいた著�vの�`を通して実��の理解を深めて考えていく。中国・���Δ任�G20では、中国の南シナ�Lはじめしたたかな関係国�官�が見られたばかりであるし、すぐに��いて��?z─i)��zでは本格的な核実�xを実行、国連および�Q国の�g���官�を余�vなくさせている。��?z─i)��zについては、次�vにわたって��してあり、まさに今時点の最も�_�j(lu┛)な問��としてさらに�T識を高めたく思う。

��3章　グローバル化時代の日本外交はどうあるべきか　＝3分の2＝

3　日中関係を考える――したたかに中国と向き合う��(sh┫)法は？
■さらに深まる�歟羇愀�
・世�cの国々は、中国の�j(lu┛)国化を�O��なこととして�pけ�Vめ、そうした中国との協��を進めようとする国が�Hいのが現実
　→アメリカについても、�潅羞搦��bが��(d┛ng)まる�k��(sh┫)で基本的には中国と協調せざるを�u(p┴ng)ないと考えているよう
　　→実際進んでいる�盜餞覿箸涼羚颪箸隆愀���(d┛ng)化
・�歟耄捷颪慮鯲�は、��模も深さも相当なものと認識しておく��要
　→2015�Qの�盜颪砲�ける�粒��擇凌瑤蓮�中国人30万人に�瓦憩�本人1.9万人
　→���B間の協議をみても、�歟羇屬砲��歟羸鐓S経済���Bという協議��
　　→さらに国連では常任理��国として�g密な協議

■中国との向き合い��(sh┫)
・日本としては、積極的に中国との協議を進めていく��要
　→相�}が気に入らなくとも、透徹した�`で国益をにらんで、進めなくてはならない外交
・�mい、2015�Qに入り、日中間で���N会�iが�O��な形で開��(h┐o)
　→しかし、日中間の信頼関係が醸成されるまでには至っていないよう

■日中戦�S的互�L関係に魂を入れるには
・日中関係の基本的�D組みとして、日中戦�S的互�L関係
　→��要なことは、日本が中国の発�tを�pけ入れること
　→その�屬如�外交��策や防ﾅ��策について突っ込んだ�T見交換を�_ね、お互いの信頼関係を築いていくこと
・日中間で今、��要なことはこれら幅広い交流、それを通じた相互信頼関係の構築
　→その�k��(sh┫)で、あまりに身�M�}な行動を�Dらないようにチェックしていくこと
　　→効果を発ｧするのが国際世�b、そしてアメリカ世�bを味��(sh┫)にしなくてはいけない
　　　…日本が国際的にみて��しく真っ当であることをアメリカ世�bに��(d┛ng)く印��(j┫)づけること

■ワシントンとニューヨークで�pけた��問――見え隠れする中国の影
・(著�vは)2015�Q6月、ブルッキングス研�|所(The Brookings Institution)(ワシントン)と外交問���h議会(Council on Foreign Relations)(ニューヨーク)で講演する機会
　→?ji┌ng)�疑応答で、�盜颪亮映vに�瓦垢訝羚颪留惇x��に驚いた
・南シナ�Lにおける中国の��の�mめ立てについて��疑やりとり
　→アメリカの�k�陲例~識�vから「日本はアメリカが中国と�姦�し、����が��化することを望んでいるのか？」といった��問
　→中国の影�x��がいろいろなところに及んでいることを窺わせる
・「日本こそ平和に徹した国。挑発し、現�Xを変えようとしているのは中国に他ならない。」
　→徹�fして国際世�b、とりわけアメリカ世�bに働きかけなくてはいけない
　→繰り返し、何度も、何度も��(d┛ng)調しなくては

■東シナ�L��ガス田共同開発合�Tの�T�I――空母よりも�j(lu┛)きな威��
・日中間には東シナ�Lの��ガス田共同開発合�Tが、2008�Q6月に行われている
　→いまだ条約にはなっていないが、きちんとした���B間合�T
・日中間では東シナ�Lでの�L域の線引きが、�j(lu┛)陸�^���P(中国��)か中間線(日本��)かで�肝�
　→2007�Q��の福田総理訪中と、2008�Q5月の����(du━)濤国家主席訪日という日中間の建設的な���E環境のもと、交渉が進められ合�Tに
　→東シナ�Lの��の�霾�における日中協��の���k歩
・今こそ、この合�Tを実施に�，垢戮�
・実はこの共同開発合�Tほど中国国内で�h判の�Kい合�Tはなく、��に人�c解放��は�j(lu┛)反�瓦靴討い詭詫�
　→中国���Bは日中間の合�Tであるとして、なんとか国内反�看匹魏，気┐弔韻討い襪�、隙さえあれば、この合�Tをチャラにしてしまいたいと思っているはず
・中国�笋�2008�Q��ガス田共同開発合�Tを�~効で、�j(lu┛)��なものと認識している発言
　→今後、日本はこの2008�Q合�Tを機会あるごとに繰り返し��(d┛ng)調すべき
・東シナ�Lでの2008�Q合�Tに基づく平和��勢に��いて、東シナ�Lおよび南シナ�Lをまたぐ�L洋ルールの合�T形成のため、日本は創�]的なイニシアティブを�Dらなくては

4　��?z─i)��zの核開発にどう�棺茲垢戮�か　…次�vへ��く

■��?z─i)��zをめぐる�歟羇屬料螳�
・2016�Qは、1月の核実�x、さらに2月には���Oミサイルの発�o(j━)
　→��?z─i)��zの挑発で、東アジアの�W��?zh┳n)歉禊愀犬砲箸辰洞砲瓩匿執錣碧覲�け�?br /> ・�U(ku┛)裁��(d┛ng)化を訴える�k��(sh┫)で、刺��すべきではないとする慎�_な�官�
　→日・�檗��f3ヶ国�潅羚颪箸い�構図
・国連�W保理での調�Dは�M��
　→中国も��?z─i)��zに�瓦兄廚い箸匹泙襪茲Δ貌�きかけたが、��?z─i)��zはこれを無��したよう
　→その�k��(sh┫)、中国はアメリカなどが主張する�U(ku┛)裁��(d┛ng)化には慎�_
・中国としては、��?z─i)��zの挑発、核実�xやミサイル発�o(j━)を�Z々しく思っているが、同時に��?z─i)��zをあまりに�{い詰めると暴発しかねず、最�Kケースを深刻に懸念している模様
・核実�xの後、2016�Q1月27日、���Bでの�歟羔┻弔蓮���らかに基本的考え��(sh┫)に違いがあったとみられる
　→?ji┌ng)歟羇屬料螳磴鬚いい海箸枕��(z─i)��zは、次のステップ、2月の長�{(di┐o)�`ミサイル発�o(j━)へ
・�歟羇屬任倭蠹�に�g密な�T見交換が行なわれているが、立場の相違を�ﾀKできない�eも

■世�cが無関心な濃縮ウラン開発疑惑
・��?z─i)��zの核開発問��が深刻化した端緒
　→2002�Q10月、�盜颪離献А璽爛此Ε吋蝓���使が��?z─i)��zを訪問、��?z─i)��zが1994�Qの�歡�枠組み合�Tに反し、秘密裏に濃縮ウラン開発を進めているのではないかとの疑惑突きつけ
　　→1994�Q�歡�枠組み合�T…カーター元�盜饅j(lu┛)統�襪�訪朝、�歡�交渉の�T果できあがったもの。��?z─i)��zが核を廃棄するということが�j(lu┛)枠で合�T
　→2002�Q��、�盜颪歪_��提供を停�V、軽水炉の建設も中?zh┬n)?br /> 　　→これに�瓦訣�?z─i)��zは��しく反発、核開発を再開
・この��?z─i)��zの行動に�瓦掘∀札�国協議が立ち�屬欧蕕譴�
・��?z─i)��zは当初、六ヵ国協議などという枠組みは絶�瓦鉾��瓦噺世ぁ��歡�二国間協議を志向
　→最終的には六ヵ国協議に応じた経緯
　　→��?z─i)��zがアメリカのイラク戦争の影に怯えたからだと思われる
・2005�Qの六ヵ国協議��4�v会合で朝�z半����核化を申し合わせる合�Tが達成
　→しかし、��?z─i)��zはこの合�Tを無��、2006�Qに最初の核実�xを��行
　→2009�Q、��?z─i)��zは六ヵ国協議からの�`脱を表��