≪なお��く感嘆符(!)の�Pびっぷり≫

我が国���Bが発表する毎月の��易統��にて、このところ好調な半導��関連が見出しにあらわれている。半導��業�c�O立化に邁進する中国、そしてメモリで世�cを�j(lu┛)きくリードする�f国への半導�����]����・材料の旺�rな輸出の�X況がうかがえている。

◇11月輸出、中国向けが����?j┼n)vる、半導��関連が好調 (12月18日��け 日経 電子版)
→財��省が18日発表した11月の��易統���]報(通関ベース)。輸出�Yは�i�Q同月比16.2%�\の6兆9204億��と12カ月連��で�\加。スマートフォンに使う�]晶デバイスなどを?y┐n)��]する半導�����]����が好調な中国向けが単月として2カ月連��で�垉邵嚢發魑��{し、�盜餮�けを��?j┼n)vった旨。輸出����に��める中国・アジア向けの�T在感が�k段と高まっている旨。
中国向け輸出�Yは1兆3797億��と�i�Q同月を25.1%��?j┼n)vり、�垉邵嚢發世辰��i月からさらに�Pびた旨。�k��(sh┫)、�盜餮�けは1兆3686億��。�O動�Zや関連����などを牽引役に同13.0%�\えたものの、中国やアジアの�Pびには及ばなかった旨。
世�c的な半導����要の拡�j(lu┛)が背景にある旨。高機�Δ淵好泪曚笋△蕕罎襯皀里�ネットにつながる「IoT」の普及に伴って、中国や�f国などアジアで半導��の�攵��ξ��\�咾箙眦找修�進んでおり、日本が�\術�Cで��争��を�eつ半導�����]����の��要が高まっていることが好調な輸出の背景にある旨。

半導�����]����については、以下の通り約30%の世�c販売高の�Pびという見��(sh┫)であり、来�Q、2018�Qはさすがにそこまではと�j(lu┛)幅に抑えた読みとならざるを�uないところである。

◇Will Fab Tool Boom Cycle Last?-Analysis: Can record sales of fab gear go on? (12月18日��け Semiconductor Engineering)
→VLSI Researchの�h価。今�Qの半導������世�c販売高が30.6%�\の$70.4 billionに達し、来�Q、2018�Qはさらに4.4%�\の$73.5 billion。
3D NANDフラッシュメモリデバイス、およびそれほどではないがDRAMsについての��要が、�����P(gu─n)入の�Pびを推進していく旨。2018�Qの当初予�Rは��調な�Pび、メモリおよび先端10/7-nmでのロジックが��要を焚きつける旨。

感嘆符(!)が見出しにあらわれる半導�����]����の現況となっている。

◇好調！半導�����]����、主要7社、今�Q度設��投�@65%�\ (12月18日��け 日刊工業)
→日本の半導�����]����メーカーが設��投�@を積極化している旨。東�BエレクトロンやSCREENホールディングス(HD)など主要7社の2017�Q度の設��投�@は、2016�Q度比65%�\の1186億��となる見通し。IoT(モノのインターネット)などの普及に伴い、主流の直径300-mmウエハーを加工する����の��要が�\加し、同200-mmウエハー向けの中古����も�s渇している旨。�Q社は旺�rな��要に応えようと、�攵����U(ku┛)の�D�△鮠�ぐ旨。

メモリを代表するDRAMについて見ると、この��四四半期販売高は�i�Q同期比65%�\の見通し、毎四半期史�嶌嚢發���(g┛u)新にて、その勢いをデータ図�C(下記参照)で改めて認識するところである。ただし、そう遠くない今後に落ち込んでいくと警告も��せられている。

◇Q4 DRAM sales to top $21bn says IC Insights-IC Insights: DRAM sales total be $21.1B in Q4 (12月19日��け Electronics Weekly (UK))
→IC Insights発。毎四半期販売高最高を��(g┛u)新している今�QのDRAM、��四四半期のDRAM販売高が最高の$21.1 billionとの予�R、�i�Q同期の$12.8 billionに�瓦靴�65%�\となる旨。

◇DRAM Growth Projected to be Highest Since '94 (12月20日��け EE Times)
→IC Insights発。���\するDRAM半導���x場は��四四半期での軟化の兆しはなく、今�Qは��常に�j(lu┛)きく74%の�Pび、23�Qぶりの拡�j(lu┛)の勢いにある旨。
当�Cは���咾い發里隼廚錣譴襪�、��給の振り子が反�瓦僕�れてDRAMの低迷が遠くない今後に見えてきそう、と警告の旨。�Qを通して��いた�x場での不�Bの��中、価格�峺�の�M(f┬i)��に焚きつけられて、��四四半期のDRAM販売高は�i�Q同期比65%�\の見通し、史�嶌嚢發�$21.1 billionに達する旨。DRAM販売高は、2017�Q�Q四半期において新たな史�嶌嚢發鮃獣曄△海�3�Qの推�，砲弔い堂宍�参照：
⇒https://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1332760&image_number=1

メモリ�Q社、それぞれに�Sに乗る動きが見られており、世�cトップのSamsungは、業�c初、10-nm級DRAMのはや��2世代量��を�]ち�屬欧董∪つc最小を実現、他社へのリードを広げている。

◇Samsung mass-produces 2nd generation 10-nano level DRAM-Samsung puts 2nd-gen 10nm DRAM into volume production (12月19日��け Yonhap News Agency (South Korea))
→Samsung Electronicsが、同社��2世代10-nmプロセスを��いるDRAMsの量��を開始、該プロセスで8-gigabit DDR4 DRAMsを�攵�、��1世代10-nmプロセスより10%��?j┼n)vる高�]性�Δ涙k��(sh┫)、消�Jパワーが15%少ない旨。

◇Samsung in Production of Second-gen 10nm DRAM (12月20日��け EE Times)
→�f国・Samsung Electronicsが、��2世代の10nm-class(feature sizesが10-nm〜19-nm) 8-Gb DDR4 DRAMの�攵�を開始、最�j(lu┛)3,600 megabits per second(Mbps)の�]度が�uられ、extreme ultraviolet(EUV) lithographyの��要なく作られる旨。

◇Samsung now mass producing industry's first 2nd-generation, 10nm class DRAM (12月20日��け ELECTROIQ)

◇South Korea's Samsung Elec develops 'world's smallest' DRAM chip (12月20日��け Reuters)

◇サムスン、最先端DRAM量��、微細化、��位を独走 (12月21日��け 日経)
→�f国・サムスン電子が20日、新型DRAMの量��を始めたと発表、�v路線幅は最先端の10-nm級で、微細化により�攵奟率を3割高めた旨。世�cで拡�j(lu┛)するデータセンター向け��要などに�官�する旨。サムスンは半導��メモリで世�c��位。先端����の量��で先行し、�盜颪籠�本メーカーなどのライバルを引き�`す旨。量��を始めたのは、サムスンが「��2世代」と�}ぶ10-nm級DRAMで、記憶容量は8ギガビット。

��くSK Hynixでは、メモリ絶好調のこの機にということか、中国でのファウンドリー合弁を設立する噂が流れている。�j(lu┛)きく後れている該分野での立て直しを図る動きと思われる。

◇SK hynix rumored to be eying foundry venture with China-Sources: SK Hynix plans a foundry joint venture in China (12月20日��け Yonhap News Agency (South Korea))

◇中国で半導���p�m合弁、SKハイニックスが��画 (12月21日��け 日経)
→�f国・SKハイニックスが中国企業と合弁で半導���p�m�攵冄社(ファウンドリー)を中国に設立する��画を進めていることが20日、業�c関係�vの�Bでわかった旨。同社のファウンドリー��業は���C(j┤)に陥っており、中国でのファブレス(工場なし)メーカーからの�p�Rに��路を見いだす旨。

そして、Micronは11月が新�Q度���k四半期の締めとなるが、売�屬欧��i�Q比71%�\と�j(lu┛)幅な�Pび、�W(w┌ng)益も当��予�[を��?j┼n)vって投�@家の心配�fを和らげている。

◇Micron Calms Fears of Memory Chip Downturn-Chipmaker's strong results and forecast ease fears of a peak at hand-Micron reports higher profit, revenue in quarter (12月19日��け The Wall Street Journal)
→Micron Technologyの11月30日締め���k四半期のnet income/株が$2.45、�i�Q同期は32 cents、売�屬欧�同71%�\の$6.8 billion。今四半期については、earningsおよび売�屬欧��i四半期比�爐�な�\加と見ている旨。

◇Micron's Momentum Continues (12月20日��け EE Times)
→Micron Technologyが、好調を維�eしながら新�Q度のスタート、���k四半期売�屬欧�$6.8 billion、�i四半期比11%�\、�i�Q同期比71%�\。モバイル、サーバおよびSSD����に向けた��要�\加による旨。

◇Micron's strong forecast eases concerns over chip boom peaking (12月20日��け Reuters)
→Micron Technology社の��曜19日の今四半期�W(w┌ng)益予�Rが予�[を��?j┼n)vり、半導����要の��況がピークを迎えたという投�@家の懸念を和らげて、同社株が時間外�D引で6%�峺�の旨。

メモリも、かつての高度成長期の先端度、量を��って����として売り込んだ�X況から、時とともにシステム化、複雑高度化が�\していって、モジュール化、顧客がすぐ使える形での納入サービス、と高度に密��した�官�が求められる�X況が聞こえてくるところがある。メモリもそうなったかという感じ��(sh┫)であるが、��給�Cだけではなく現下の高値の�k因かとも思うところである。

≪�x場実��PickUp≫

【ルネサスエレ関連】

ルネサスエレクトロニクスが、この2月に�A収した�盜顱�Intersilと�盜餤�業を統合、Intersilが�Q��けからRenesas Electronics Americaとしてスタートする。

◇Intersil to start operations as Renesas Electronics America in January 2018 (12月19日��け ELECTROIQ)

◇ルネサス、���A収社と�盜餤�業を統合 (12月20日��け 日刊工業)
→ルネサスエレクトロニクスが19日、2月に�A収した�櫂ぅ鵐拭璽轡襪��盜餤�業を統合すると発表、2018�Q1月1日��でインターシルがルネサスの�飮匆饉劼魑杣�合��し、「ルネサスエレクトロニクス・アメリカ」に商��(gu┤)変��(g┛u)して運営を始める旨。同時に日本や�f国でもそれぞれの販社を統合する旨。統合作業の加�]で、�A収による早期の相乗効果創出を狙う旨。

ルネサスエレクトロニクスが�盜顱�Airbiquityと連携、over-the-air(OTA) updating capabilitiesを?y┐n)△┐�connected-car�����Z載ソリューションを開発している。

◇Renesas and Airbiquity announce auto OTA offering-Auto updating offered by Renesas, Airbiquity (12月20日��け Electronics Weekly (UK))
→Renesas ElectronicsがAirbiquity(Seattle, WA)とコラボ、over-the-air(OTA) updating capabilitiesを?y┐n)△┐��W��確実なconnected-car�����Z載ソリューションを開発、今後のadvanced driver assistance systems(ADAS), vehicle-to-everything(V2X), および�O動運転応��を�`指す旨。

【M&A関連】

フランスの宇宙�豢�&防ﾅメーカー、Thalesが、オランダのディジタル同定&認証システム・プロバイダー、Gemaltoを�A収している。

◇Thales agrees to buy Gemalto in digital security deal worth ~$5.43BN-Thales purchases digital security provider Gemalto (12月17日��け TechCrunch)
→フランスの宇宙�豢�&防ﾅメーカー、Thalesが、ディジタルセキュリティソリューション・プロバイダー、Gemaltoの$5.43 billion�A収に合�T、オランダのGemaltoは、SIMカード並びに銀行および法人セキュリティサービス向けの�W��確実な�D引ソリューションを�攵�の旨。

◇Thales to Buy Security Tech Firm Gemalto for $5.7 Billion (12月18日��け EE Times)
→欧�Δ��豢�宇宙、輸送および防ﾅにおける主要メーカーの1つ、Thales(フランス)が、ディジタル同定&認証システム・プロバイダー、Gemalto(オランダ)をEuro 4.8bn(約$5.66 billion) in cashで�A収の旨。Gemaltoは以�i、ライバルのフランスメーカー、AtosからのEuro 4.3bnのオファーを拒否していた旨。Gemaltoのディジタルセキュリティportfolio�A収により、Thalesは、センサのデータ�收�からreal-time decision makingまでIoT, モバイルおよびcloudでの�_要ディジタル��定chain����を�W��確実にするend-to-endソリューションが�uられる旨。

共同holding会社設立に向けて進んでいる半導��実��&テストの�j(lu┛)�}、��湾のASEとSPILについて、株式交換の期限日が��期されている。

◇ASE, SPIL reschedule stock swap for October 2018-ASE and SPIL set stock swap for next October (12月18日��け DIGITIMES)
→IC実��&テストサービス・プロバイダー、Advanced Semiconductor Engineering(ASE)およびSiliconware Precision Industries(SPIL)が、両社共同holding会社を2018�Q5月に設立する��画を中国・Ministry of Commerce傘下のAnti-monopoly Bureauが11月24日に�R認ということで、株式交換停�V日について2017�Q12月31日から2018�Q10月31日に��期��定の旨。

半導��テストのXcerra(�盜�)が、中国���B�Uファンドによる�A収を望むとして、慎�_な�盜駭��B審�h当局の再考を�任稿阿�が見られている。

◇Xcerra to resubmit China-backed deal for U.S. review -Xcerra will refile acquisition deal with CFIUS (12月21日��け Reuters)
→半導��テストのXcerra(�盜�)が、中国���Bに�Tびつく投�@ファンド、Unic Capital Managementによる$580 million�A収を進めたいとして、Committee on Foreign Investment in the United States(CFIUS)に�瓦軍��A収提案を再検討するよう求める旨。XcerraのCEO、Dave Tacelli��は��業�^に送ったemailの中で、CFIUSは該�D引の詳細見直しにさらに時間を要すると説��の旨。

史�嶌能j(lu┛)��模のハイテクM&AといわれるBroadcomがより�j(lu┛)きなQualcommに仕�Xけた1�P、BroadcomがQualcomm boardに入る11人の推薦�t��を�`挙、来�Q3月の総会での投票実施に向けて��さぶりをかけていたが、Qualcommがこれを拒否すると発表、現在の役�^陣容で臨むとして、Qualcommの役�^会を巡る委任�X争奪合戦につながる様相を呈している。

◇Qualcomm board rejects Broadcom, Silver Lake director nominees-Qualcomm says no to Broadcom's board nominees (12月22日��け Reuters)
→Qualcommが、同社役�^会に向けてBroadcomおよびSilver Lake Partnersが��(li│n)ばれるよう指�@した11人を��式に拒否、BroadcomのQualcommに�瓦垢���友好的�A収提案を複雑化、Qualcommの役�^会を巡る委任�X争奪合戦につながる様相の動きである旨。

◇Qualcomm board unanimously rejects director nominees assembled by Broadcom and Silver Lake partners (12月22日��け ELECTROIQ)

◇Qualcomm Rejects Broadcom's Director Slate, Setting Stage for Boardroom Battle-The chipmaker had nominated a slate of 11 dissident directors to help drive its $130 billion hostile bid to takeover Qualcomm. (12月22日��け TheStreet)

◇クアルコム、ブロードコム「�D締役案」拒否、�A収交渉の経緯�o表 −「株価下落時に連絡」と指�~ (12月23日��け 日経 電子版)
→�殀焼����j(lu┛)�}、クアルコムが22日、同社に���甘��A収を仕�Xけた同業ブロードコムによる�D締役の��(li│n)任案を拒否すると発表、スティーブ・モレンコフ最高経営責任�v(CEO)など現任�D締役の再任を2018�Q3月の株主総会に諮る旨。クアルコムは�歉敖w�D引委�^会(SEC)に同日提出した�@料で、ブロードコムによる�A収提案の経緯を�o表。株価下落時を狙った狡猾なものであると指�~し、暗に批判した旨。

【BroadcomのEthernetスイッチ半導��】

�峙�の通りM&Aの動きが気になるBroadcomであるが、12.8 terabits per secondのバンド幅が�uられるEthernetスイッチ半導��のサンプル配布を行っている。TSMCによる���]である。

◇B'com Shifts Switch to 12.8 Tbits/s-Tomahawk-3 packs 256 56G serdes (12月19日��け EE Times)
→Broadcomが、�j(lu┛)��模データセンター向け12.8 Tbit/second Ethernetスイッチ半導��、Tomahawk-3をサンプル配布、該半導��は14ヶ月�iに発表されたTomahawk-2のaggregateバンド幅の2倍を収容、ともに同じ16FF+ TSMCプロセス���]の旨。

◇Broadcom Ups Its Game in Ethernet Switching-Broadcom samples chip for Ethernet switches (12月19日��け Light Reading)
→Broadcomが、white boxesあるいはhigh-end Ethernetスイッチで��いられるTomahawk 3半導��をサンプル配布、該半導��は、100 gigabits per secondでデータを動かす128のportsがあり、hyperscaleネットワーク��要に�官�する12.8 terabits per secondのバンド幅の可��性の旨。

【業�c�Y��化】

Khronos Groupが、神経ネットワークモデル作成に向けてソフトウェアとハードウェアの間のインタフェース�Y��原案をリリース、業�cの反応を問うている。

◇AI Formats May Ease Neural Jitters-Chip vendors' NNEF faces web giants' ONNX (12月20日��け EE Times)
→半導��ベンダーが主のグループが、神経ネットワークモデルを作り出すソフトウェアの枠組みとそれらを動かすハードウェアacceleratorsの間のインタフェースとして作��することを�`指す�Y��原案をリリース、FacebookおよびMicrosoftが今�Q始めopen-sourceプロジェクトとして始めた別の動きと�`�Yを共�~している旨。該Khronos Groupは、Neural Network Exchange Format(NNEF)のpreliminary版について業�cフィードバックを求めている旨。

デバイス�Y��化を引っ張るJEDECに新たな委�^会が�]ち�屬欧蕕譴討い襦�

◇New JEDEC committee for wide bandgap power semiconductors invites industry participation (12月20日��け ELECTROIQ)
→microelectronics業�cに向けた�Y���t開のリーダー、JEDEC Solid State Technology Associationが、最新委�^会、JC-70 Wide Bandgap Power Electronic Conversion Semiconductorsを�]ち�屬欧了檗�

3G普及�Y��化プロジェクト、3GPP(Third Generation Partnership Project)が、5G cellular radioに向けた最初の�Y��の終了を発表している。

◇5G Baseband Dialed in at 3GPP-Qualcomm, Ericsson announce lab trials (12月21日��け EE Times)
→��3世代携帯電�B(3G)の普及のための�Y��化プロジェクト、3GPP(Third Generation Partnership Project)がPortugalでの会合から、5G cellular radioに向けた最初の�Y��の終了を発表の旨。該milestoneは、会合当たり最�j(lu┛)3,000の提案を提出する800人ほどのエンジニアを引きつけるプロセスを締め括っている旨。

【IEDM 2017から】

今月始めのInternational Electron Devices Meeting(IEDM：2017�Q12月2-6日：San Francisco)について、振り返って�R�`内容が表されている。��に、インテルの10-nmロジックプロセスにおけるコバルト(Co)の使��が�Dり�屬欧蕕譴討い襦�

◇Logic Densities Advance at IEDM 2017 (12月18日��け ELECTROIQ)
→��63�vInternational Electron Devices Meeting(IEDM：2017�Q12月2-6日：San Francisco)にて、トランジスタ密度scalingへの楽�菘�な見��(sh┫)がもたらされた旨。Moore's Law終焉を�x言する�h�bがいくつかある�k��(sh┫)、少なくとも密度についてはその証拠はほとんどなかった旨。Intelのengineering managerは、EUV lithography�t応のいくぶん楽�菘�な見��(sh┫)のプレゼンを行ない、さらにcontactsおよびviasから始めてpatterning改��を議�bの旨。

◇IEDM 2017: Intel's 10nm Platform Process (12月18日��け ELECTROIQ)
→IEDM 2017にてみんなが期待していたCMOSプラットフォーム�b文、IntelのChris Auth��の“A 10nm High Performance and Low-Power CMOS Technology Featuring 3rd Generation FinFET Transistors, Self-Aligned Quad Patterning, Contact over Active Gate and Cobalt Local Interconnects”について。

◇Companies Ready Cobalt for MOL, Gate Fill (12月21日��け ELECTROIQ)
→International Electron Devices Meeting(IEDM)(2017�Q12月2-6日：SAN FRANCISCO)にて、middle-of-the-line(MOL)およびtrenchコンタクトに向けたcobalt(Co)があらわれて、Intel, GlobalFoundries, およびApplied Materialsがその��性を如何に最もよく�W(w┌ng)��するか議�bしている旨。Intel社は来る10-nmロジックプロセスについて、下層metalのいくつかにcobaltを使��、trenchコンタクトでのcobalt fillおよびcobalt M0 & M1 wiring levelsなどの旨。��来のmetallizationに比べてresistivityおよび信頼性が�j(lu┛)きく改��される�T果の旨。

≪グローバル雑学?f┫)棔?94≫

アメリカとソ連の「�n�Iなき冷戦」を見てきた後半は、中国および朝�z半��の��二次世�c�j(lu┛)戦後の�S乱の経�圈�動きを、

『国際法で読み解く戦後史の真実−文��の�Z代、野蛮な現代』
　(倉�僉　）� 著：PHP新書 1116)　…2017�Q10月27日 ��1版��1刷

より辿っていく。中国では、国共内戦から国�c党が��湾へ逃亡、中華人�c共和国と微��に���Tする�X況が今に至る�k��(sh┫)、朝�z半��では、朝�z戦争が勃発、中国が��に、国連��が南に加わったアコーディオン戦争の様相の�T果として、38度線分��が今に��いている。ともに�垉遒��Bではなく、今の問��としてもっと見る�`を養わなければと読後の率直な�T識となっている。

��3章　国際法を理解できない�v VS 理解して破る�vの「�n�Iなき冷戦」
　　　…後半

□残虐���Oかつ謀�Sと裏切りに満ちた国共内戦
・1945�Q10月、国�c党と共�欃の����衝突が始まり、内戦�X��に
　…国共内戦
　→当初、共�欃は�Z戦
・ソ連はヤルタ会�iで�M�}に��めた通りに中国東���陲���配を復��、ソ連と繋がっている共�欃を�Хeする中国人はいなくなった
　→ここでアメリカが、休戦を仲介するという��で介入、1946�Q1月にジョージ・マーシャル(George Catlett Marshall, Jr.)を派遣
　→毛�u東は1946�Q6月、アメリカが蒋介石に�����飩@を�q�\していることについてマーシャルに�^議
　→1946�Q12月、アメリカ��の中国からの����を表��
・1946�Q6月に蒋介石は共�欃��配地域への���C��撃を開始
　→1947�Qまでは共�欃を圧倒するが、次��に形勢が逆転
　→1948�Qから1949�Qにかけて共�欃の勢いはもはや�戮擦未發里�
　→蒋介石と国�c党は��湾へ逃亡
・1949�Q10月、毛�u東は中華�c国に代わって���Bで中華人�c共和国の建国を�x言
　→恐怖という�@の�Хe基盤を背景に、国際社会で�j(lu┛)国としてふるまうように

□ソ連共�欃の他国��配システムと毛�u東
・まったく国際法には基づかず「国家と国家の関係」ではないソ連の��配システム
　→ソ連共�欃の��定が�Q国の共�欃に下達されるという��
・毛�u東は、徹�f的に���發鯒喀�してトップに立ち、その地位を認めさせた
　→スターリンは、�T果的に中国を東欧のようなﾅ星国にはできなかった
　→中国は華夷秩�M(j━n)の国、�O国でトップに立ってしまえば、他国の人間に頭を下げるという発�[がない
・人類の�p�Mに�瓦垢詁云陲柾L(f┘ng)け、戦争や�xといった�_�j(lu┛)な問��に関してむしろ軽薄な�e勢さえ感じさせる、毛�u東の演説
・毛�u東は執拗にソ連に�瓦靴導乏�発の�\術をねだった
　→�x去したスターリンの後�M(f┬i)、ニキタ・フルシチョフ(Nikita Khrushchev)は拒んだ

□朝�z南��分��――ウィルソンの「�c���O��」はどこへ？
・ソ連共�欃の指�@と��の保護を�pけて��?z─i)��zのトップに立った金日成
　→ソ連は��?z─i)��zのことはﾅ星国とすることに成功
・��?z─i)��zの金�k��
　→初代の金日成はスターリン主�I
　→その後の金��日、いまの金��恩の2人は毛�u東主�I
　　→国�cの����より核実�xの成功を優先
・ウィルソンの提言した「�c���O��」はどこへ行ってしまったか？
　→朝�zに関してだけは、�櫂�2国で朝�z半��を南��に分��
・金日成はソ連の�мqを�pけながら、1950�Q6月25日に�x戦布告なしに�f国への侵��を開始
　→��?z─i)��z��は3日後にはソウルを陥落させた
・�f国は朝�z戦争勃発�iに、朝�z唯�kの合法���Bであるとして国連に加盟を申��
　→加盟が認められたのは、何と1991�Qのこと

□朝�z戦争をめぐる�Q国の思惑
・アメリカはこの����を�pけて、1950�Q6月27日、国連�W保理で��?z─i)��zを侵�S�vと認定、7月には国連��を�T成
　→9月��には国連��がソウルを奪��
　→10月��までには中朝国境の�r�u江まで進出
・すると、国連��が��?z─i)��zに入ったら介入すると警告していた中国が参戦
　→国連��を押し戻し、再度、ソウルを���S
　→その後、国連��が38度線���Zまで押し戻すという、アコーディオン戦争に
・毛�u東は、朝�z戦争に�j(lu┛)��模に介入しながらも、アメリカと本気で戦争をする気はなかった
　→������にはせず、人�c�I勇��を募る形
・ソ連もアメリカとの戦争を望んではいない
　→ソ連にしてみれば、金日成がどうしてもやりたいというから、やらせてやっただけ
　→共�弤�Iにかわって、��?z─i)��z独��の「主��思�[」が登場するのは、この時期から

　□日本再���△離船礇鵐垢鯔世某兇辰慎氾捗{
・アメリカが、1952�Q、いまの�Oﾅ��の�i身に当たる警察予�Å�の創設を指��
　→きっかけになったのが、朝�z戦争
　→当時、「高田���P」ほか��国�Q地で日本にいる�f国人と朝�z人の�^争���Pが頻発
　→数�何傭碓未猟��z人が警察署を��撃する���Pが相次ぎ、朝�z戦争が始まるとさらに�P数も�\え、��模も�j(lu┛)きくなっていった
・�k度は日本からすべての����を�Dり�屬欧織▲瓮螢�
　→�E�W維�eと日本の防ﾅの��要性から警察予�Å�の創設を命令した
　→吉田�{��相は拒否
・(著�vは、)このときこそが帝国陸�L��を復��させる�j(lu┛)チャンスだったと考える

□総��戦思考であるがゆえに�Bをすくわれたマッカーサー
・朝�z半������を�Dり返すべきだと考えていた国連司令官のマッカーサー
　→�r�u江に��?z─i)��zを�{い詰めたところで、毛�u東�笋�川を渡って逆��
　→国連��は38度線の南まで�j(lu┛)�`走
・1951�Q4月、マッカーサーは�M�}に��湾の国�c党��を参戦させようと議会に働きかけ
　→�_�j(lu┛)な����違反を�瓩靴燭箸靴堂鯒い�

□核の先�U(ku┛)使��が「国際法違反」にならない場合もある
・まだ����行動を��こしていない相�}に核兵�_(d│)をぶち込むのは国際法違反か？
　→侵��(aggression)…「挑発もされないのに、先�U(ku┛)������撃をすること」
　→�_要なのは、「どちらが挑発したか」＝「戦いの原因をつくったか」
・������撃の際に核を使うかどうかの問��以�iに、「やらんかったらやられる」と思われる�X況かどうかが�_要
　→「核の先�U(ku┛)使��は、いかなる場合でも国際法違反となるわけではない」