≪相次ぐ�Q社��演≫

��来最先端�\術の指�Yともなっていた高性�Ε廛蹈札奪気��b文はないといわれる今�vのInternational Solid-State Circuits Conference 2019(2月17-21日：San Francisco)について、�`に�里泙辰腎J(r┬n)囲ながら以下の�R�`である。

人工��(m┬ng)��(AI)について、FacebookのAIリサーチ�靆腓魄�っ張るYann LeCun��(hu━)の基調講演である。

◇Facebook's Yann LeCun says ‘internal activity’ proceeds on AI chips-Yann LeCun, the leader of Facebook's AI Research unit, said the company is proceeding with internal activity on machine learning chips, though he is confident industry will come up with many new solutions to push forward processing of deep learning in specialized silicon. (2月18日��け ZDNet)

◇AI Pioneer Sees Chip Renaissance-AI researcher sees a bright future for the technology -Unsupervised neural nets move beyond MACs, tensors (2月19日��け EE Times)
→International Solid-State Circuits Conference 2019(2月17-21日：San Francisco)にて、FacebookのLeCun��(hu━)基調講演。1988�QにAT&T Bell Labsにてneural networksの設��を始め、現在computer visionなどのシステムで広く��いられているconvolutional neural nets(CNNs)の�zと考えられている同��(hu━)は、artificial intelligence(AI)の今後について楽�菘�の旨。「�O分の見解では、AIの今後はself-supervised learningである��」と同��(hu━)。

◇AI Revolution is Just Getting Started-Tomorrow's neural nets will be more dynamic and sparse, using new kinds of basic primitives such as dynamic, irregular graphs. (2月20日��け EE Times India)

AI半導��について、Samsungおよび東��のアプローチである。

◇Samsung, Toshiba Detail AI Chips-Samsung, Toshiba describe AI devices at ISSCC -ISSCC papers target smartphones, cars (2月20日��け EE Times)
→Samsung Electronicsが、International Solid-State Circuits Conference 2019(2月17-21日：San Francisco)にて、スマートフォン��neural-network acceleratorの詳細をプレゼンの�k��(sh┫)、東��は�O動運転�Z��artificial intelligence(AI)半導��について述べた旨。Samsungの新しいExynosプロセッサは、8-nmプロセスで作られている旨。

インテルは、Embedded MRAM(eMRAM)の�攵��官�の�△┐△蠅箸靴討い�。

◇Intel Says FinFET-Based Embedded MRAM is Production-Ready (2月20日��け EE Times)
→Intelが、International Solid-State Circuits Conference 2019(2月17-21日：San Francisco)にて、22-nm FinFETプロセスを��いてspin-transfer torque(STT)-MRAMをデバイス組み込みする�\法のさらに詳細をプレゼン、該�\術はhigh-volume���]の�△┐噺���の旨。Intelは、同社22FFL FinFETプロセスで7-Mb perpendicular STT-MRAM arraysを作り出すために、“write-verify-write”��(sh┫)式およびtwo-stage current sensing�\法を��いている旨。

◇Intel Announces that Embedded MRAM is Production Ready (2月21日��け EE Times India)

東��メモリからは、最高容量N(y┫n)ANDとして96-層, 1.33-Tb 3D NAND半導��が発表されている。

◇Toshiba Claims Highest-Capacity NAND (2月20日��け EE Times)
→東��メモリが��曜19日、International Solid-State Circuits Conference 2019(2月17-21日：San Francisco)にて、96-層, 1.33-Tb 3D NAND半導��について�b文プレゼン、最高capacityフラッシュメモリデバイスとしている旨。該東��デバイスは、4 bits/cellを蓄え、8.5 Gb/mm2のビット密度が�u(p┴ng)られて、今�v同じ��曜に東��とそのNAND開発&���]パートナー、Western Digitalにより述べられた512-Gb TLC 3D NANDデバイスより40%以����?j┼n)vる旨。

◇Toshiba Paper Announces Highest-Capacity NAND-Toshiba Memory laid claim to the highest-capacity flash memory device, describing a 96-layer, 1.33-Tb 3D NAND chip (2月22日��け EE Times India)

SK Hynixは、JEDECのDDR5仕様に基づく最初となるSDRAM設��の詳細をプレゼンしている。

◇Hynix Details First DDR5 Chip-Hynix describes a DDR5 SDRAM; Samsung details an LPDDR5 chip (2月21日��け EE Times)
→International Solid-State Circuits Conference 2019(2月17-21日：San Francisco)にて、SK Hynixが、JEDECのDDR5仕様に基づくsynchronous DRAM設��の詳細を披露の旨。Samsung Electronicsは同じセッションの場で、LPDDR5 SDRAMsに向けたプロセスの�Dり組み詳細をプレゼンの旨。

5G関連については、以下��いて��(j┤)す2月20日のSamsungによる初の5G handset発表を�pけて相並ぶ形での�Q社プレゼンと映る見え��(sh┫)である。

◇5G Chips, Phones Dial Up Power-Millimeter wave bands burn handset watts (2月21日��け EE Times)
→International Solid-State Circuits Conference 2019(2月17-21日：San Francisco)にて、Intel, Mediatek, およびSamsungからのエンジニアが、5G関連の課��、��にミリ�S帯に向けた電��消�Jについてプレゼン、これらはSamsungが初の5G handsetを発表して出てきている旨。

次に、Samsungの折り�Qみ、そして世�c初、次世代5G�\術�官�のスマートフォンの�]ち�屬殴ぅ戰鵐箸任△襪�、�峙�ISSCCの期間中の2月20日に行われ、以下の通り�Q�L�Dり�屬欧任△襦�

◇Samsung and Huawei go different ways on foldable and 5G phones-New phones could be priced up to $2,300, say analysts (2月20日��け Nikkei Asian Review)
→San Francisco時間、2月20日午�i11時、Samsungがfoldableモバイルだけにとどまらず、別のhandsetで、世�c初、次世代5G�\術コンパチのスマートフォンを披露する予定の旨。Samsungの発表イベントは、該業�c最�_要イベント、Mobile World Congress(2019�Q2月25-28日：スペイン・Barcelona)の�i日にHuaweiが�O�iのfoldable phoneを披露する様相の4日�iとなる旨。向こう何日か、ほかのたくさんのスマートフォンメーカーがfoldableあるいは5Gスマートフォンを発表する見込みの旨。

◇Samsung announces folding phone with 5G at nearly $2,000 (2月21日��け Reuters)
→Samsung Electronics Co Ltdが水曜20日、約$2,000のfoldingスマートフォンを披露、Apple社および中国勢の�\術を��?j┼n)vって売�屬可稾造塁�中消�J�vの興味を焚きつける狙いの旨。

◇サムスン、折り�Qみスマホを4月発売、約22万��−�Qめばスマホ、広げればタブレット (2月21日��け 日経 電子版)
→�f国サムスン電子は20日、画�Cを2つに折り�Qめるスマートフォンを4月26日に����(sh━)など�k�陲涼楼茲波�売すると発表、たためば4.6インチのスマホ、広げれば7.3インチのタブレットとして�W(w┌ng)��できる旨。スマホ�x場の停�]が色濃くなるなか、携帯性と�j(lu┛)画�Cの見やすさをあわせ�eつ「1��2役」の新端��で��(ji┐n)要の�f�屬欧鬚瓩兇校�。

この折り�Qみスマホ「ギャラクシーフォールド」は次世代スマホ「foldable」の本命と�`される�k��(sh┫)、5G�官�の新機�|は4月��以�T、��(sh━)国や�f国で投入される運びである。

折り�Qみ��(sh┫)式については、アップルが����を��(g┛u)新するなかで�{加した模様と以下の内容である。

◇折りたたみ式「iPhone」を��(j┤)唆する図�C、アップルの����文書に�{加 (2月18日��け CNET Japan)
→Appleは����出願書類を��(g┛u)新して、折りたたみ式のクラムシェル型スマートフォンの図�Cを�{加した旨。これは、元々2011�Qに出願された����で、2016�Qに��(g┛u)新された際に、フレキシブルディスプレイを?y┐n)△┐拭�iPhone」ともとれる図�Cが�{加された旨。��に興味深いのは、AppleがフレキシブルなOLEDディスプレイの周囲にヒンジとハウジングを組み込んで、ディスプレイを曲げられるようにするさまざまな��(sh┫)法を��(j┤)していること。

5G関連半導��の�Dり組みとして、Qualcommよりまとめて以下の通りである。

◇Qualcomm, Startup Roll 5G Silicon-Movandi offers alternative mmWave module (2月19日��け EE Times)
→Qualcommおよびライバルのstartupから出てくる新しい半導��は、5Gネットワークスを期待の高まりに応えるようにするにはまだたくさんの仕��があると��(j┤)している旨。handsetsに向けて、Qualcommは、より統合された5G modem、ミリ�S帯に最適化されたRF front-end(RFFE)モジュールおよびいくつかのsupporting partsを発表、startup、Movandi(Newport Beach, CA)もまた、handsets��のミリ�Sfront endに�Dり組んでいるとし、�Hくの����にわたって5G linksを最適化するデバイスを発表の旨。これら半導��は、operatorsが5Gネットワークスのゆっくりした構築の初期段階と言っているときに出ている旨。ミリ�S信��(gu┤)の�Dり組みは、最も�ξ�を��要とする���Cの旨。

◇Qualcomm's Second-Gen Chip Takes 5G to 7 Gbit/s-Qualcomm unveils Snapdragon X55 5G modem (2月19日��け Light Reading)
→Qualcommの��2世代5G modem、Snapdragon X55は、sub-6GHzおよびミリ�S周�S数の両��(sh┫)について7 Gbpsのdownload�]度が�u(p┴ng)られる旨。同社はまた、QTM525 5Gミリ�Sアンテナモジュールを投入、26〜39 GHz帯コンパチ、8mm以下の薄さのスマートフォンに合う旨。

◇Qualcomm debuts Snapdragon X55 modem for slimmer, faster 5G smartphones (2月19日��け VentureBeat)

MediaTekからもmodem半導��についてである。

◇Anritisu verifies MediaTek's 5G modem-MediaTek's 5G modem chip is verified by Anritsu instrument (2月19日��け New Electronics)
→MediaTekが、radio-frequency機�_(d│)メーカー、AnritsuのRadio Communication Test Station MT8000Aで、Helio M70 5G modem半導��の仕様を検証、該デバイスによりmaximum downlinkおよびuplinkスループットが�u(p┴ng)られることを確認の旨。

ISSCCの最中に行われたSamsungの折り�Qみおよび5G�官�のスマホ�]ち�屬欧��pけて、間�Zに迎えるMobile World Congress(MWC)(2019�Q2月25-28日：バルセロナ)にて、�Q社の�X(qi│n)を帯びた�]ち�屬押∪菴愾茲い�さらに本格化していく。

◇成�^スマホ、5Gに��路、サムスン、折り�Qみで�j(lu┛)画�C、データ収集へ「入り口」争奪 (2月22日��け 日経)
→次世代の高�]通信��格「5G」をにらんだスマートフォンの販売��争が本格化する旨。5Gは高�@細な動画配信など新たなサービスの土壌となる旨。広げると�j(lu┛)画�Cで動画を楽しめる折り�Qみ型など、スマホ�j(lu┛)�}が��(ji┐n)要の�Dり込みを��ぐ旨。スマホ�x場は��和が�z��になる�k��(sh┫)、データ収集の「入り口」としての�_要性が�k段と�\す旨。5G時代を見すえたスマホ戦線が��しくなる旨。5Gの最�j(lu┛)�]度は毎秒20ギガビットと、現行の「4G」に比べ実効�]度が100倍になる旨。25日にはスペインで世�c最�j(lu┛)の携帯見本�x「モバイル・ワールド・コングレス(MWC)」が開幕。2019〜2020�Qにかけ�Q国で商��化される5Gをにらんだ����やサービスを出�tする旨。

≪�x場実��PickUp≫

【��(sh━)中�C�o(h┫)関係】

�U(ku┛)裁関税�崗茲擦隆�限、3月1日を間�Zに�呂┐�、��(sh━)中双��(sh┫)の様々な動き、�~け引きが飛び交う様相である。

��(d┛ng)い�O信そして��(r┫n)�M、Huaweiのトップのコメントである。

◇The US cannot crush us, says Huawei founder-Huawei founder: "The world cannot leave us because we are more advanced" (2月18日��け BBC)
→Huaweiのfounder、Ren Zhengfei(任 ����(r┫n))��(hu━)、BBCとの独��インタビュー。��(sh━)国が同社を押しつぶせる��(sh┫)法はない旨。同��(hu━)の娘、同社のchief financial officer(CFO)、Meng Wanzhou(孟 晩舟)��(hu━)の�j捕は���S的と��(r┫n)�Mされるものである旨。

英国が��Huaweiスタンスで��(sh━)国と溝を�擇犬討い�。

◇脱ファーウェイ、��(sh━)と溝、英「リスク管理可�Α廚畔麑O(p┴ng) (2月18日��け 日経 電子版)
→?ji┌ng)盜颪��W��?zh┳n)歉��屬侶�念を理�y(t┓ng)に不使��を求める中国の華為�\術(ファーウェイ)の通信機�_(d│)をめぐり、�Q国との溝が浮き彫りになっている旨。英情報当局が「リスクは管理可�Α廚箸糧���を�wめたと報じられた旨。ニュージーランドは18日、独�Oに��める�e勢を��確にした旨。��(sh━)国が�Wく世�cでの包囲��構築には不透��感が漂う旨。

国連・UNCTADのレポート。��(sh━)中��易戦争で最も恩�Lを被るのはインド、という見��(sh┫)である。

◇Will Sino-US Trade War Precipitate Manufacturing Spin-Off in India?-The trade war between the US and China seems to have set off a series of small manufacturing ripples across India. (2月18日��け EE Times India)
→国連��易開発会議(UN Conference on Trade and Development：UNCTAD)の最新レポート。インドが、��(sh━)国と中国の間の��易戦争について最�j(lu┛)の�W(w┌ng)益���p国の1つとしてあらわれており、輸出の�\加が最�j(lu┛)$10 billion、あるいは同国輸出の3.5%となる可��性の旨。

◇U.S.-China Trade War Could Benefit India (2月19日��け EE Times)

���Bから所を変えてワシントンで再開している��(sh━)中��易協議関連について、以下の推�，�見られている。3月1日の期限の��長、Huawei排除見直し、と�]開に向けたアドバルーンがあがっているが、最終��定に至る動きに依���R�`である。

◇トランプ��(hu━)が��(sh━)中��易協議の��長��(j┤)唆、次官級協議再開 (2月20日��け 日経 電子版)
→トランプ��(sh━)�j(lu┛)統�襪�19日、3月1日の��(sh━)中��易協議の交渉期限について��長する可��性を再び��(j┤)唆した旨。また��(sh━)中両���Bは19日、ワシントンで次官級の��易協議を再開、21〜22日に開く�V�^級の会合に向けて����レベルで地ならしを進める旨。中国の��(m┬ng)的財�堍侵害などの構�]問��でどこまで歩み寄れるかが��点。

◇トランプ��(hu━)、ファーウェイ排除見直しに含み−ポンペオ��(hu━)は牽�U(ku┛) (2月22日��け 日経 電子版)
→トランプ�j(lu┛)統�襪�21日、ツイッターで「��(sh━)国は進んだ�\術を排除するのではなく、��争を通じて�M�W(w┌ng)したい」と述べ、中国の通信機�_(d│)�j(lu┛)�}、華為�\術(ファーウェイ)����の排除を見直す可��性に含みを�eたせた旨。中国との��易交渉で�D引材料にする思惑があるとの見��(sh┫)も出ている旨。�k��(sh┫)、ポンペオ?ji┌ng)盜���長官はファーウェイの�\術を使う国とは「情報共�~ができなくなるだろう」と警告し、欧���o国を牽�U(ku┛)した旨。

◇ファーウェイ巡り��(sh━)中�~け引き、�|とNZに圧��−トランプ��(hu━)は排除見直し��(j┤)唆 (2月23日��け 日経 電子版)
→中国の通信機�_(d│)最�j(lu┛)�}、華為�\術(ファーウェイ)を巡る��(sh━)中の�~け引きが��しくなっている旨。�W��?zh┳n)歉��屬龍式劼鰺��y(t┓ng)に排除の包囲��を�`指す��(sh━)国に�瓦�、中国が�B並みの乱れを誘おうと経済的な圧��をオーストラリアなどにかけているとの見��(sh┫)が広がる旨。トランプ��(sh━)�j(lu┛)統�襪眛閏劼稜喀���(sh┫)針の見直しに含みを�eたせ、��(sh━)中��易協議での�D引材料になるとの見��(sh┫)も再�\している旨。

◇��(sh━)中、3月にも���N会�i、関税�屬苛�期検討 (2月23日��け 日経 電子版)
→トランプ��(sh━)�j(lu┛)統�襪�22日、中国の�{�Z平国家主席と3月中にも会�iし、��易問��で最終合�Tをめざすと表��した旨。同日までの�V�^級協議で、中国は��(sh━)国����の輸入を拡�j(lu┛)して人�c元�W誘導を�U(ku┛)限することなどで合�T。トランプ��(hu━)は3月2日に予定していた中国����の関税引き�屬欧髻崟蒄�ばしも検討する」と述べた旨。

【インテルのインド・ファブレス�A収】

インテルが、インドのファブレス半導��start-up、Ineda Systems(Hyderabad)を�A収している。AI、�O動運転およびIoT応��に向けたGPUs開発について、SoC設��人材の�耀u(p┴ng)が主な狙いとなっている。

◇Tech giant Intel buys Hyderabad-based startup-Intel acquires Ineda Systems, engineers (2月18日��け The Times of India)
→Intelが、ファブレス半導��会社、Ineda Systems(Hyderabad, India)を�A収、該cash�D引は、"acquihire"(�A収による人材の�耀u(p┴ng))の性格であり、Intelは、artificial intelligence(AI), �O動運転およびinternet of things(IoT)における応��に向けたgraphics processing units(GPUs)開発の�\けになる該startupの100人あたりのsystem-on-a-chip(SoC)設��エンジニアに主な関心の旨。

◇Intel Buys Indian SoC Designer Ineda Systems (2月19日��け EE Times)

◇Intel Buys Hyderabad-based Ineda Systems-US-based chip maker Intel Corporation has acquired Hyderabad-based start-up Ineda Systems, a fabless semiconductor product company, for an undisclosed amount. (2月20日��け EE Times India)

【下�Tデータ】

��(sh━)国SIAからの月次世�c半導��販売高でも2018�Q12月が�j(lu┛)きく��(f┫)ってほぼ�i�Q並みとそれまでの�X(qi│n)い��況に水が差されているが、本�Qの当�C先行きもDRAMそしてSSDについて以下の通り値下がりの見��(sh┫)があらわされている。

◇DRAM contract prices to fall another 15% in 2Q19, says DRAMeXchange-DRAMeXchange sees DRAM contract prices sliding 15% more in Q2 (2月20日��け DIGITIMES)
→DRAMeXchange発。1月の主要応���x場のすべてにわたってDRAM����の契約価格が、すでに�i月比15%以�屬猟祺爾了�。3月まで値下がり��向が��いて、2019�Q���k四半期の間に�i四半期比20%��の低下、��く��二四半期ではさらに同15%低下する旨。DRAM�x場における供給��(c┬)剰が��いて、2019�Q�i半のメモリ半導��は"�j(lu┛)きな価格低下"となる旨。PCなどデバイスOEMsでの高い在�U水��とあいまって、��端�x場の��(ji┐n)要は依��弱含みの旨。

◇SSD、値下がり加�]、2割�W、メモリ����供給�\、1〜3月�j(lu┛)口 (2月20日��け 日経)
→記憶����であるソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の値下がりが加�]している旨。1〜3月期の指�Y��の�j(lu┛)口��(ji┐n)要家向け価格は、�i四半期に比べ2割�Zく�Wい旨。この1�Qは四半期ごとの下落率が3〜11%��度。基��(chu┐ng)����のNAND型フラッシュメモリはだぶつきで値下がりが�z��。�Wさが�h価され、パソコンなどへの搭載が�k段と進みそうな旨。

SEMIの����(sh━)半導������メーカーの1月世�cbillingsも、�j(lu┛)きく落とすデータ内容である。

◇North American Semiconductor Equipment Industry Posts January 2019 Billings (2月21日��け SEMI)
→SEMIのJanuary Equipment Market Data Subscription(EMDS) Billings Report。����(sh━)半導������メーカーの2019�Q1月世�cbillingsが$1.89 billion(3ヶ月平均ベース)、2018�Q12月の最終レベル、$2.10 billionより10.5%��(f┫)、2018�Q1月の$2.37 billionより20.8%��(f┫)。

	Billings	Year-Over-Year
	(3ヶ月平均)
August 2018	$2,236.8	2.5%
September 2018	$2,078.6	1.2%
October 2018	$2,029.2	0.5%
November 2018	$1,943.6	-5.3%
December 2018 (final)	$2,104.0	-10.5%
January 2019 (prelim)	$1,896.4	-20.8%

　　　　　　　　　　　　　[Source: SEMI (www.semi.org), February 2019]

【8-インチ�攵���況】

8-インチウェーハ���]capacitiesについて、Samsung、TSMCなど�\��(d┛ng)を推進している�k��(sh┫)、12-インチの��(sh┫)は分野によって冷えてきている�X(ju└)況が以下の通りである。�x場分野別に今後の推�，��R�`である。

◇Competition among 8-inch foundries heating up-Foundries are getting into the game for 8-inch wafer fabs (2月19日��け DIGITIMES)
→業�c筋発。専業ファウンドリーの間のfirst-tierおよびsecond-tier�Q社が、現�X(ju└)のfabラインを拡張するか新fabsを建設するかで、8-インチウェーハ���]に向けた�攵�capacityを加えている旨。Samsung ElectronicsおよびTSMCなどがこの流れに��っている旨。

◇Lead time for MOSFET chips shortens-Sources: MOSFET lead times are getting shorter (2月20日��け DIGITIMES)
→業�c筋発。8-インチウェーハ���]capacitiesの拡�j(lu┛)が、metal-oxide-semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)のdeliveryリードタイム�](m└i)縮を�Г┐討い觧�。2017�Q後半の間に始まった供給不�Bの�X(ju└)況がここにきて緩和されている、と��に言及の旨。

◇Mixed Outlook For Silicon Wafer Biz-Demand for 200mm wafers still strong; 300mm sales soften-300mm market softening, 200mm still strong. (2月21日��け Semiconductor Engineering)
→200-mmシリコンウェーハの供給が2019�Qも�U(ku┛)限される�k��(sh┫)、いくつかの分野での300-mmウェーハの売�屬欧�冷めてきており、今�Qはシリコン基��価格が�峺�(j━ng)する様相の旨。「今�Qの300-mmウェーハ�x場は�i�Q並みとなりそう」と、Macquarie Securitiesのアナリスト、Damian Thong��(hu━)。

【�L(f┘ng)陥材料インパクト】

TSMCが1月��に、フォトレジスト材料に��格外のものが見つかり、歩�里泙蠅鳳惇xが出ているとしていた�Pであるが、���k四半期売�屬欧�約$550 million低下するという見込みが出されている。

◇TSMC cuts forecast after manufacturing incident (2月16日��け The Taipei Times (Taiwan))

◇TSMC lowers 1Q19 guidance after defective material impact-Defective photoresist to cost TSMC $550M in Q1 revenue (2月18日��け DIGITIMES)
→TSMC発。同社において�攵桵のウェーハ廃棄につながった�L(f┘ng)陥フォトレジスト材料の使��で、���k四半期売�屬欧�約$550 million低下の旨。顧客とのデリバリー再調�Dを経て、��二四半期の間に�攵���失を��う見込みの旨。

◇Bad Photoresist Costs TSMC $550 Million (2月19日��け EE Times)

≪グローバル雑学?f┫)棔?55≫

「芸術は爆発だ！」、そして1970�Qの�X(qi│n)かった�j(lu┛)阪万�Fの「�陵曚療磧廚���(m┬ng)られる�K本�領rについて、

『日本人だけが��(m┬ng)らない本当は世�cでいちばん人気の国・日本』
　(ケント・ギルバート 著：SB新書 443)　…2018�Q8月15日 初版��1刷発行

よりその人�據⊃佑箸覆蠅鮹�っていく。�H画家の�z、小説家の母の間で奔放な環境での型破りな少�Q時代、東�B美術学�鬚愎奮惴繃k家でパリに渡ることになりピカソの作��との出会い。そして戦後、日本で積極的に絵画・立��作��を�U(ku┛)作するかたわら、縄文土�_(d│)�bや沖縄文化�bを発表するなど文筆��動も行い、それから雑誌やテレビなどのメディアにも1950�Q代から積極的に出演したのは小�擇竜�憶にも残るところである。日本の縄文時代について、「文化」という切り口で最初に��ったこと、そして世�cを驚嘆させた「創�]性」に至るいくつかの原点を��(m┬ng)らされている。

��四章　様式美
　―――世�cを驚嘆させた「創�]性」　…その1

□縄文土�_(d│)で世�cを席捲した「革命児」
　―――�K本�領r

〓日本美術�cの異端児の「もう�kつの顔」
・「芸術は爆発だ！」という言��で��(m┬ng)られる�K本�領r
�、��T外と��(m┬ng)られていないのではないかという�k�Cも
・日本の縄文時代について、「文化」という切り口で��った最初の人�颪任�
�、��@緻な文様が施された縄文土�_(d│)、その芸術的価値を見い出す以�iは、縄文土�_(d│)は単なる「工芸��」として扱われていた
・芸術家としての顔のほかに、�c�t学�vとしての顔
�、�1930�Q代、パリ�j(lu┛)学で�c�t学を学んだ
�、�その後の創作��動に�j(lu┛)きな影�x、中でも縄文土�_(d│)との出会い
・フランスから帰国した�領rは、文芸雑誌『みづゑ』に「四次元との���B――縄文土�_(d│)�b」を寄�M
�、�それまで、日本文化の源流は弥�攣�代とされていたものが、それより以�iの縄文時代であると捉えなおされた
�、�その後も�領rは縄文文化の研�|に�X(qi│n)中、何冊も関連書籍を著した

〓型破りな少�Q
・�K本�領rは1911�Q、�H画家の�z・�k平と�⊃佑脳�説家の母・かの子の間に�擇泙譴�
�、��zは成功した�H画家だったが、�j(lu┛)変な浪�J家
�、�母は母で、�@家出身のお��様、世間を��(m┬ng)らず、家��なども�k切できず
�、��領rの異端児気��は、この両親の影�xであることはたしか
・�葼�I�I普通��(旧�U(ku┛)中学��)を卒業、東�B藝術�j(lu┛)学の�i身、東�B美術学�鬚愎奮�
�、��z・�k平がパリに派遣、�領rは休学、�K本�k家はパリに渡った
�、�両親の帰国後もパリに残った�領rは、やがて、キュビスム時代のパブロ・ピカソの絵と出会い、「ピカソを��えてやる」という野心を�Qくように
・かつて日本の学�鬚慢R��めず、転入学を繰り返した�領r
　→パリで、「�O分はもっと�O�y(t┓ng)に�擇�ていいんだ、�O�y(t┓ng)に表現していいんだ」と感じたのかも

〓「�陵曚療磧廚��瓦鬚覆構j(lu┛)作の秘めたる��
・パリ����も、1940�Q、ナチス・ドイツのパリ侵��によって、突��の終�V符
　→日本に帰国した�領rは、画家として順調なスタート
�、�しかし、30代と比較的高齢ながら中国戦線へと送られ、厳しい兵役����を送った
・終戦後、�領rは再び芸術��動を本格化
�、��領rの�@�mは次��に高まっていき、そしてついにあの代表作へ
・�j(lu┛)阪万�F会場に設��された巨�j(lu┛)モニュメント「�陵曚療磧�
　→てっぺんの「黄金の顔」　　　　…「未来」を��(j┫)徴
　　中央�i�Cの「�陵曚隆蕁廖　　　　帖峺什漾廚���(j┫)徴
　　背�Cに施された「��い�陵曄廖　　帖���(c┬)去」を��(j┫)徴
�、�塔の内�陲砲蓮��斂燭麟`」
�、���(c┬)去から現在、未来へと連綿と��いていく「�斂拭廚箸いΔ發里領���(d┛ng)さを、塔����で表現
・「�陵曚療磧廚汎瓜��U(ku┛)作され、�瓦鬚覆垢箸い錣譴觸j(lu┛)作、壁画「��日の神�B」
�、�長�Q、行��(sh┫)不��になっていたが、メキシコの郊外の町で発見されたのは、2003�Qのこと
�、�今では東�B・�q谷駅構内で�j(lu┛)勢の��来を見下ろしている
�、�モチーフは、1954�Q、アメリカによる水爆実�xの被害に遭った��五福竜丸
�、��j(lu┛)きな悲�Sや混乱にあってもなお、人々はそれを乗り越えて�擇�ていくんだ、そして果てしない命の連鎖で「��日の神�B」をつくっていくんだ、という��(d┛ng)いメッセージ

〓�領rはピカソを��えたのか
・�領rは、戦�i、戦中、戦後という��動の時代を、芸術や�c�t学に�瓦垢諷X(qi│n)い思いを�eって�~け�sけ、�Hくの芸術作��と文化的功績を残した
�、�ピカソとはまた別の�T味合いで、稀代の�j(lu┛)芸術家と�}んでも、おそらく誰も異�bはない